[发明专利]半导体器件的制造方法及其中用到的导电组合物无效
| 申请号： | 200610074811.1 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1862839A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | Y·L·王;A·F·卡洛尔;K·W·汉;R·J·S·扬 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01B1/20;H01B1/14;H01B1/00;C08K3/00;C03C3/062;H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种厚膜导电组合物，包含：分散在(d)有机介质中的(a)导电银粉；(b)含锰的添加剂；(c)玻璃料，其中所述玻璃料的软化点在300－600℃。本发明还涉及一种半导体器件以及从结构构件制造该半导体器件的方法，所述结构构件由具有p－n接面的半导体和形成在半导体主要表面上的绝缘薄膜组成。所述制造方法包括步骤(a)将如上所述的厚膜组合物施加在所述绝缘薄膜上；和(b)烧制所述半导体、绝缘薄膜和厚膜组合物以形成电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 其中 用到 导电 组合 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜导电组合物，其包含：分散在(d)有机介质中的：a)导电银粉；b)含锰的添加剂；c)玻璃料，其中所述玻璃料的软化点为300-600℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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