[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明提供一种半导体存储器件，在双晶体管式的增益单元中可以进行没有误动作的稳定的读出，并且具有小面积的存储单元。在具有写入晶体管(M2)和读出晶体管(M1)的双晶体管式增益单元存储器中，分别具有写入字线(WWL)、读出字线(RWL)、写入位线(WBL)以及读出位线(RBL)，并被分别独立地设定施加电压。而且使存储单元(MC)与相邻存储单元(MC)连接在同一读出字线(RWL)以及写入位线(WBL)上。

主权项

1.一种半导体存储器件，具有将存储单元配置成矩阵状的存储单元阵列，所述存储单元包括写入晶体管和读出晶体管；所述半导体存储器件的特征在于：上述写入晶体管的控制电极与写入字线连接，上述写入晶体管的源极和漏极区域的一者与写入位线连接，上述写入晶体管的源极和漏极区域的另一者与上述读出晶体管的控制电极连接，上述读出晶体管的源极和漏极区域的一者与读出字线连接，上述读出晶体管的源极和漏极区域的另一者与读出位线连接，上述读出晶体管的源极和漏极区域的一者与相邻存储单元连接在同一读出字线上，上述读出晶体管的源极和漏极区域的另一者与上述相邻存储单元连接在不同的读出位线上，上述写入晶体管的源极和漏极区域的一者与上述相邻存储单元连接在同一写入位线上，上述写入晶体管的控制电极与上述相邻存储单元连接在不同的写入字线上。