[发明专利]沉积环退火处理方法有效

专利信息
申请号: 200610029905.7 申请日: 2006-08-10
公开(公告)号: CN100560791C 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 陈顺发;张强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58;H01L21/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种沉积环退火处理方法,包括:确定沉积反应室温度;将沉积环由常温升温至退火温度,所述退火温度高于沉积反应室温度;维持退火温度;将沉积环由退火温度降至常温。应用本发明方法,可在沉积过程发生前去除在沉积温度下易挥发的沉积环内陶瓷材料部分组分,减少沉积时沉积环内陶瓷材料的挥发,保证沉积过程中真空室内的真空度,有效控制沉积缺陷的产生;进而减少沉积废品的产生,提高了生产良率,降低了生产成本。
搜索关键词: 沉积 退火 处理 方法
【主权项】:
1.一种沉积环退火处理方法,包括:确定沉积反应室温度;将沉积环由常温升温至退火温度,所述退火温度高于沉积反应室温度,以减少沉积过程中沉积环内陶瓷材料的挥发;维持退火温度;将沉积环由退火温度降至常温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610029905.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top