[发明专利]沉积环退火处理方法有效
申请号: | 200610029905.7 | 申请日: | 2006-08-10 |
公开(公告)号: | CN100560791C | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 陈顺发;张强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种沉积环退火处理方法,包括:确定沉积反应室温度;将沉积环由常温升温至退火温度,所述退火温度高于沉积反应室温度;维持退火温度;将沉积环由退火温度降至常温。应用本发明方法,可在沉积过程发生前去除在沉积温度下易挥发的沉积环内陶瓷材料部分组分,减少沉积时沉积环内陶瓷材料的挥发,保证沉积过程中真空室内的真空度,有效控制沉积缺陷的产生;进而减少沉积废品的产生,提高了生产良率,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 沉积 退火 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种沉积环退火处理方法,包括:确定沉积反应室温度;将沉积环由常温升温至退火温度,所述退火温度高于沉积反应室温度,以减少沉积过程中沉积环内陶瓷材料的挥发;维持退火温度;将沉积环由退火温度降至常温。
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