[发明专利]场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510092746.0 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1738054A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 笠井直记;中原宁;木村央;深井利宪 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提高场效应晶体管的导通状态电流。为了该目的，在具有{100}面作为主表面的单晶硅衬底(101)上形成基本上在单晶硅的<010>晶轴方向或等价于<010>晶轴方向的轴方向上延伸的栅电极(107)，以及在栅电极(107)的两侧的单晶硅衬底(101)的表面上的源/漏区(129)。在栅电极(107)的正下方的区域中的单晶硅衬底(101)的表面上，形成主表面和沿着栅电极(107)的延伸方向倾斜于主表面的倾斜表面(133)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 互补 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：由具有{100}面作为主表面的单晶硅制得的衬底；在所述衬底上的栅电极，其基本上在所述单晶硅的<010>晶轴或等价于所述<010>晶轴方向的轴的方向上延伸；以及在所述栅电极的两侧的所述衬底的表面上的源/漏区，其中所述栅电极正下方的所述衬底的所述表面具有所述主表面和沿着所述栅电极的延伸方向倾斜于所述主表面的倾斜表面。
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