[发明专利]反铁磁/铁磁交换耦合结构垂直磁偏置异常磁电阻传感器

摘要

本发明涉及一种异常磁电阻(EMR)传感器，其在EMR有源膜上具有反铁磁/铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁/铁磁双层结构提供垂直于EMR有源膜平面的磁场来偏置EMR传感器的磁电阻对磁场响应。铁磁层可由任何可用于垂直磁记录的铁磁材料形成，并以其各向异性轴显著地离面的方式来制备。反铁磁层可由任何已知的Mn合金形成，例如PtMn、NiMn、FeMn、IrMn、PdMn、PtPdMn和RhMn，或者由任何绝缘反铁磁材料形成，例如那些基于钴氧化物和镍氧化物的反铁磁材料。

主权项

1.一种异常磁电阻传感器，包括：半导体衬底；在所述衬底上的EMR有源膜，该有源膜包括对大体垂直于该有源膜的磁场作出响应的非磁半导体材料；与所述有源膜接触的导电分路；与所述有源膜接触的一对电流引线；与所述有源膜接触的一对电压引线；所述衬底上的铁磁层，其磁矩取向大体垂直于所述铁磁层和有源膜的平面；以及与所述铁磁层接触的反铁磁层，所述铁磁层的磁矩被该反铁磁层垂直地偏置。