[发明专利]全缺乏SOI多临界电压应用有效
| 申请号： | 200510067914.0 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1716618A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;张长昀;李迪弘;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种全缺乏SOI多临界电压应用。一种集成电路，包括一基材与形成于基材中的一埋式介电层。埋式介电层具有第一厚度于第一区中、具有第二埋式介电层厚度于第二区中，以及具有一阶梯介于第一与第二区之间。一半导体层位于埋式介电层上。埋式介电层厚度可依照各种不同应用而变化，而这些应用的晶体管可具有不同的预期临界电压，例如核心应用、低电源应用及I/O应用。另外，可在同一晶圆中使用不同的埋式氧化层厚度，以提供实质保留给要求Vth调整的FD SOI背闸偏压元件的Vth调整能力，例如核心应用、低电源应用及I/O应用。 | ||
| 搜索关键词： | 缺乏 soi 临界 电压 应用 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，包括：一基材；一埋式介电层，形成于该基材中，该埋式介电层具有一第一厚度于一第一区及具有一第二厚度于一第二区；以及一半导体层，位于该埋式介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
