[发明专利]用于投影光刻机的调焦调平传感器有效
申请号: | 200510025793.3 | 申请日: | 2005-05-13 |
公开(公告)号: | CN1700101A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 胡建明;王向朝;曾爱军 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/207 | 分类号: | G03F7/207 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 201203上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及投影光刻机的调焦调平传感器与调焦调平技术,特别是一种具有投影光栅和探测光栅的调焦调平传感器。它包括相互垂直的两个分支,每分支包括两路测量光路和两路参考光路,测量光路测量基板表面相对投影物镜最佳焦面的高度,参考光路测量投影物镜下表面的高度,并且每一个分支的四路光路共用成像系统,该测量光路中具有改变测量光斑的大小的可变光阑。本发明可以灵活地测量不同大小的曝光视场,增大了调焦调平传感器的测量范围,提高了芯片设计和生产的灵活性。 | ||
搜索关键词: | 用于 投影 光刻 调焦 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种用于投影光刻机的调焦调平传感器,包括相互垂直的两个分支,每分支包括两路测量光路和两路参考光路,测量光路测量基板表面相对投影物镜最佳焦面的高度,参考光路测量投影物镜下表面的高度,并且每一个分支的四路光路共用成像系统,其特征在于:该测量光路中具有改变测量光斑的大小的可变光阑(13)。
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- 2011-05-20 - 2011-11-02 - G03F7/207
- 本发明公开了一种光刻机气动自动对焦装置及对焦方法,通过气动测量技术测量气测头到曝光基底的距离,从而控制移动平台竖直运动,确保基底处于物镜的焦面位置,从而实现聚焦功能。通过采用气动测量技术的气动自动对焦系统能够保证聚焦的实时性和降低成本。
- 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统-201110038321.7
- 邢卉;罗先刚;王长涛;冯沁;刘尧;赖之安;杨欢 - 中国科学院光电技术研究所
- 2011-02-14 - 2011-05-25 - G03F7/207
- 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统,属于直写光刻设备领域,(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动;(2)直写头调节装置可以进行0~90°转动;(3)基片台可以进行高速转动;(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量;(5)直写头采用空气动力学原理设计结构,可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围,保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围,突破衍射极限限制,实现高分辨力的光刻结果。
- 动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法-200910197949.4
- 刘艳松 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2009-10-30 - 2011-05-11 - G03F7/207
- 本发明公开了一种动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法,包括下列步骤:(a)选取晶片中的任一成像块,测量该成像块的表面距离聚焦透镜中心的距离d;(b)判断所述距离d是否满足f-|DOF|≤d≤f+|DOF|,其中f是聚焦透镜的焦距,f>0,DOF是聚焦透镜的焦深;(c)若满足,则进入步骤(d);若判断出d<f-|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向远离聚焦透镜的方向移动,直到d≥f-|DOF|,进入步骤(d);若判断出d>f+|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向靠近聚焦透镜的方向移动,直到d≤f+|DOF|,进入步骤(d);(d)对所述成像块进行曝光成像,返回步骤(a)。
- 监测曝光机聚焦的方法-200910198488.2
- 安辉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2009-11-05 - 2011-05-11 - G03F7/207
- 本发明公开了一种监测曝光机聚焦的方法,包括:对半导体晶圆进行预处理、打底胶,并形成光刻胶膜;利用固定的曝光能量和渐变的曝光机焦平面偏移值对光刻胶膜进行曝光,然后后烘并显影,形成图案;测量所形成的图案的关键尺寸,得到关键尺寸与曝光机焦平面偏移值之间的对应关系;计算得到曝光机的第一最佳焦平面;重复以上步骤,得到曝光机的第二最佳焦平面;如果第二最佳焦平面不同于第一最佳焦平面,则确定曝光机的聚焦发生偏移。该方案只需占用曝光机几分钟的时间对半导体晶圆进行曝光,减少了曝光机聚焦监测所需的时间。
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