[发明专利]薄膜晶体管与其制作方法有效
| 申请号： | 200410011588.7 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1624933A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈纪文;张鼎张;刘柏村;甘丰源 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明主要是提供一种薄膜晶体管，其包括有一半导体层、一下重掺杂半导体层与一上重掺杂半导体层构成的内岛状结构。其中下重掺杂半导体层设于半导体层的沟道区域外的相对两侧的上表面，而上重掺杂半导体层设于下重掺杂半导体层上且包覆下重掺杂半导体层相对于沟道区域外的两侧壁与半导体层相对两侧的侧壁，由此源极电极与漏极电极未与半导体层直接相连。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：一衬底；一栅极电极，形成于该衬底上；一栅极绝缘层，形成于该衬底上且覆盖该栅极电极；一岛状结构，设于该栅极绝缘层上，该岛状结构包括：一半导体层，相对于该栅极电极形成于该栅极绝缘层上，该半导体层包括一沟道区域；以及一上重掺杂半导体层，形成于该半导体层上并包覆该半导体层的该沟道区域外的相对两侧的侧壁；以及一源极电极与一漏极电极，分别形成于相对该沟道区域两侧的该上重掺杂半导体层的上方。
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