[发明专利]用作光致抗蚀剂的具有稠合的4－元杂环的多环基团的氟化单体,氟化聚合物和用于微石印术的方法无效
| 申请号： | 03819298.5 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1675179A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | A·E·费林;F·L·查特三世;V·A·佩特罗夫;B·E·斯马特;W·B·法纳姆 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | C07D205/12 | 分类号： | C07D205/12;C07D305/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈文青 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新颖的含氟共聚物，它包含至少一种氟烯烃，至少一种带有稠合的4－元杂环的多环烯不饱和单体，和任选的其它组分。共聚物可用作光成像组合物，特别是光致抗蚀剂组合物(阳图制版和/或阴图制版)，在制备半导体器件中用于成像。共聚物特别可用于在具有高UV透明度(特别是在短波长处，如157纳米处)的光致抗蚀剂组合物中作为光致抗蚀剂组合物的基料树脂，并可潜在地用于其它使用方面。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 光致抗蚀剂 具有 元杂环 基团 氟化 单体 聚合物 用于 石印 方法 | ||
【主权项】：
1.一种烯不饱和化合物，它具有下式结构：![]()
其中n是0，1或2；A是O或NR3；RI和R2独立地是H，卤素，任选地被卤素或醚氧基所取代的C1-C10烷基或烷氧基；C6-C20芳基；Y；C(Rf)(Rf’)OR4；R5Y；OR5Y；和R3是H；任选地被卤素或醚氧基取代的C1-C10烷基或烷氧基；C6-C20芳基；Y；C(Rf)(Rf’)OR4；R5Y；OR5Y；或R1和R2结合在一起形成＝C(Rf)(Rf’)或C2-C9亚烷基，任选地被卤素取代，或被掺入醚氧基；或R2和R3一起成为双键的部分；Y是COZ或SO2Z；R4是氢或酸不稳定性保护基团；Rf和Rf’是相同的或不同的1-10个碳原子氟代烷基，或它们结合在一起形成(CF2)m，其中m为2-10；R5是任选地被卤素或醚氧基取代的C1-C20亚烷基；Z是OH，卤素，R6或OR6；和R6是任选地被卤素或醚氧基取代的C1-C20烷基，或是C6-C20芳基；条件是R1或R2中的至少一个是氟或含有一个或多个氟原子。
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