[发明专利]包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物在审

专利信息
申请号: 201811317425.X 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109761919A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 本杰明·舒尔策;多玛果伊·帕维奇科;雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: C07D251/24 分类号: C07D251/24;C07D401/10;C07D405/10;C07D409/10;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 郭国清;穆德骏
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地,本发明涉及一种根据式1的化合物,所述化合物适合用作电子器件的层材料,并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层,以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
搜索关键词: 有机半导体层 有机电子器件 芳基基团 芴基团 三嗪 电子器件 制造
【主权项】:
1.一种式1化合物,其中R1选自C1至C16烷基、被取代或未被取代的C6至C24芳基、或被取代或未被取代的C2至C24杂芳基,其中所述被取代的C6至C24芳基和所述被取代的C2至C24杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、CN、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基;Ar1选自C1至C16烷基、被取代或未被取代的C6至C24芳基、或被取代或未被取代的C2至C24杂芳基,其中所述被取代的C6至C24芳基或被取代的C2至C24杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基;Ar2选自‑C6H5CN或含有N、O或S的C2至C24杂芳基;Ar3选自被取代或未被取代的C6至C24亚芳基、或被取代或未被取代的C2至C24亚杂芳基,其中所述被取代的C6至C24亚芳基的取代基或所述被取代的C2至C24亚杂芳基的取代基选自C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、F、C6至C18芳基或C3至C25杂芳基;其中Ar1的被取代的C6至C24芳基或被取代的C2至C24杂芳基是单取代或二取代的;并且其中Ar3的被取代的C6至C24亚芳基或被取代的C2至C24亚杂芳基是单取代或二取代的;其中Ar2可以不包含咔唑基基团并且可以不包含吲哚并咔唑基基团。
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