[发明专利]半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液有效
| 申请号： | 03103346.6 | 申请日： | 2003-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1434491A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金野智久;元成正之;服部雅幸;川桥信夫 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;B24B1/00;C09K3/14;C09G1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 化学 机械抛光 方法 水分 | ||
【主权项】：
1、半导体基板的化学机械抛光方法，其特征在于使用含有(A)磨料和(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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