[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法无效

专利信息
申请号: 02804494.0 申请日: 2002-06-24
公开(公告)号: CN1491431A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 石田大 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L21/68
代理公司: 北京东方亿思专利代理有限责任公司 代理人: 陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 因为采用了将在常压下形成层间绝缘膜的第一处理单元组,和在真空或者加压下进行如电子射线或紫外线照射、CVD、或者洗净处理等的第二处理单元组设置成一体的结构,所以,尤其能够缩短金属镶嵌工序的处理时间,能够减少每个处理能力所占用的面积。同时,由于缩短了处理时间,因此,例如,即使在采用多孔膜作为绝缘膜的情况下,也能够防止因吸收大气中的水分而使膜的质量恶化,从而能够形成质量良好的绝缘膜。
搜索关键词: 衬底 处理 装置 方法
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具有:存放盒站,配有多个存放衬底的存放盒;第一处理单元组,与所述存放盒站相邻而设,配有多个第一处理单元,所述第一处理单元在常压下,在衬底上形成绝缘膜;第一运送单元,对所述多个第一处理单元进行衬底的运送;第二处理单元组,配有多个第二处理单元,所述第二处理单元,在真空或者加压条件下,对已经形成所述绝缘膜的衬底进行处理;多个装载锁定室,分别与所述多个第二处理单元连接,能够控制内部压力;第二运送单元,在所述第一处理单元组和所述多个装载锁定室之间进行衬底的运送。
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