[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法无效
申请号: | 02804494.0 | 申请日: | 2002-06-24 |
公开(公告)号: | CN1491431A | 公开(公告)日: | 2004-04-21 |
发明(设计)人: | 石田大 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/68 |
代理公司: | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 因为采用了将在常压下形成层间绝缘膜的第一处理单元组,和在真空或者加压下进行如电子射线或紫外线照射、CVD、或者洗净处理等的第二处理单元组设置成一体的结构,所以,尤其能够缩短金属镶嵌工序的处理时间,能够减少每个处理能力所占用的面积。同时,由于缩短了处理时间,因此,例如,即使在采用多孔膜作为绝缘膜的情况下,也能够防止因吸收大气中的水分而使膜的质量恶化,从而能够形成质量良好的绝缘膜。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具有:存放盒站,配有多个存放衬底的存放盒;第一处理单元组,与所述存放盒站相邻而设,配有多个第一处理单元,所述第一处理单元在常压下,在衬底上形成绝缘膜;第一运送单元,对所述多个第一处理单元进行衬底的运送;第二处理单元组,配有多个第二处理单元,所述第二处理单元,在真空或者加压条件下,对已经形成所述绝缘膜的衬底进行处理;多个装载锁定室,分别与所述多个第二处理单元连接,能够控制内部压力;第二运送单元,在所述第一处理单元组和所述多个装载锁定室之间进行衬底的运送。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造