[发明专利]薄膜基板、半导体器件、电路基板及其制造方法无效
| 申请号： | 02143913.3 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1411056A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 横井哲哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜基板，具备在将来要分离的区域的外周线上边具有切缝部分，装载半导体器件芯片的绝缘性薄片；在上述绝缘性薄片上边形成，横穿上述切缝部分，连接到上述半导体器件芯片的外部端子上的导电性图形。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 路基 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜基板，具备：在将来要分离的区域的外周线上边具有切缝部分(#slitportion#)，装载半导体器件芯片的绝缘性薄片；在上述绝缘性薄片上边形成，横穿上述切缝部分，连接到上述半导体器件芯片的外部端子上的导电性图形。
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