[发明专利]氮化物半导体器件无效
| 申请号： | 02108234.0 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1379483A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥宏和;太田启之;渡边温 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种氮化物半导体器件,具有较高的电极接触性能。该氮化物半导体器件包括由III族类氮化物半导体制成的半导体层、及用于向该半导体层提供载流子的金属电极。该器件具有第一接触层,由III族类氮化物半导体(AlxGa1－x)1－yInyN(0≤x≤1,0 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体器件，包括由III族类氮化物半导体制成的半导体层和用于向该半导体层提供载流子的金属电极，所述器件包括：第一接触层，由III族类氮化物半导体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1，0＜y≤1)制成，它沉积在所述半导体层和所述金属电极之间，并具有被加入到所述III族类氮化物半导体的II族类元素；及第二接触层，由III族类氮化物半导体Alx’Ga1-x’N(0≤x’≤1)制成，并被沉积在所述第一接触层和所述金属电极之间。
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