[发明专利]一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法无效
| 申请号： | 01100449.5 | 申请日： | 2001-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1164524C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 葛昌纯;曹文斌;沈卫平;李江涛;武安华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于：向低原子序数陶瓷-碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂，对于SiC/C FGM，采用活性炭粉和B粉作SiC的烧结助剂，SiC的烧结助剂B+C含量应在1-10wt％(重量百分比)，碳材料添加剂B的含量应在1-10wt％。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计，B4C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中，压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃，保温1-3小时。优点在于：具有优良的耐高温等离子体冲刷，抗热冲击和耐化学溅射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 碳化 功能 梯度 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备SiC、B4C-碳体功能梯度材料的方法，其特征在于：向SiC、B4C-碳体功能梯度材料原料中加入烧结助剂，对于SiC/C FGM，采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂，SiC的烧结助剂B+C含量为3-10重量％，碳体材料添加剂B的含量为1-10重量％；C含量在3-10重量％范围内变化，B含量在0-2重量％范围内变化；SiC/C FGM采用线性成分分布设计；B4C-SiC/CFGM采用S型成分分布设计；为其中一个相的体积分数；x为离表面的相对距离；δ为功能梯度材料样品的厚度；n是指数，它是梯度变化特征的一个参数；S型成分分布设计用下式表示：![]()
烧结工艺为：在氩气气氛中，压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃，保温0.5-3小时。
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- 一种先驱体转化法制备碳化铪陶瓷的方法及陶瓷块体材料的碳化铪-202310705420.9
- 体旭彤;史小红;李伟;吕君帅;焦凡 - 西北工业大学
- 2023-06-15 - 2023-10-03 - C04B35/56
- 本发明涉及一种先驱体转化法制备碳化铪陶瓷的方法及陶瓷块体材料的碳化铪，通过凝胶‑溶胶法制备碳化铪前驱体与使其反应烧结产生碳化铪的工艺方法。采用氢氧化铪凝胶、聚乙烯醇树脂与乙二醇混合后固化干燥的方式制备碳化铪前驱体。经过热处理反应烧结制备碳化铪陶瓷。采取氢氧化铪凝胶、聚乙烯醇树脂与乙二醇混合后固化干燥的方式制备的碳化铪前驱体，经过热处理反应烧结制备碳化铪陶瓷中聚乙烯醇树脂、乙二醇与氢氧化铪凝胶之间产生氢键作用，得到碳化铪陶瓷块体成品。本发明中原材料简单易得、安全环保，工艺简易方便、节约成本。最终烧结产物碳化铪陶瓷均匀性好、致密度高、纯净度高。
- 一种耐火砖及其制备方法-202211207485.2
- 张姗;董舜杰;阮和平;蒋杰;万志华 - 安徽瑞泰新材料科技有限公司
- 2022-09-30 - 2023-10-03 - C04B35/567
- 本发明公开了一种耐火砖，其原料按重量份包括：碳化硅35‑40份、Si
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