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[发明专利]一种光学浮区法制备六方结构Ybx-CN202210241940.4在审
发明人：尚加敏;武安华;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶的生长方法。所述方法包括以下步骤：根据元素化学计量比称量氧化铁、氧化镱、氧化铟为原料并将其混合均匀，在800‑1200℃预烧结12‑24h，使得原料初步反应形成YbxIn1‑xFeO3而又不形成正交相；将预烧结后的材料等静压成型得到原料棒；将原料棒在1000‑1200℃烧结12‑24h，烧结过程中保持原料棒为水平状态，得到籽晶棒；将籽晶棒作为下料棒，将原料棒作为上料棒，进行晶体生长；晶体生长结束后降温，得到所述六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶。
一种光学法制备六方结构 yb base sub

[发明专利]一种激光加热基座法生长Al2-CN202310124557.5在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。
一种激光加热基座生长 al base sub

[发明专利]一种利用C方向籽晶实现CeF3-CN202211375706.7在审
发明人：吴振;武安华;张中晗;张振;苏良碧 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用C方向籽晶实现CeF3晶体定向生长的方法，包括如下步骤：a)将CeF3单晶沿晶体C轴方向进行定向切割，经滚圆后，得到轴向平行于晶体C方向的圆柱形单晶棒，作为定向生长所需的C方向籽晶；b)将CeF3粉料和氟化物除氧剂均匀混合，再经高温氟化处理，得到高温氟化处理后的混合粉料；c)将所得C方向籽晶装入石墨坩埚底部籽晶孔中，再将高温氟化处理后的混合粉料装入石墨坩埚中，随后装上坩埚盖；d)将石墨坩埚装入坩埚下降法晶体生长炉中，在真空条件下，以0.3～1mm/h的下降速度进行CeF3晶体的生长，得到C方向的CeF3晶体。
一种利用方向籽晶实现 cef base sub

[发明专利]一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法-CN202310124558.X在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤的生长方法，包括：将至少两种具有不同掺杂离子浓度的同质晶体或者陶瓷和无掺杂离子的同质晶体或者陶瓷切割成方棒；选择无掺杂离子的方棒为第一籽晶，选择掺杂第一离子浓度的方棒为第一源棒，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；当掺杂第一离子浓度的单晶光纤生长至所需长度后，添加掺杂第二离子浓度的方棒作为源棒进行熔接继续单晶光纤的一次正向生长，重复N次直至每种掺杂离子的单晶光纤生长至所需长度；将所得熔接好的具有不同掺杂离子浓度的单晶光纤依次进行一次逆向生长、二次正向生长和二次逆向生长，得到具有掺杂离子连续梯度分布的单晶光纤。
一种具有掺杂离子连续梯度分布光纤生长方法

[发明专利]一种GAGG系列单晶光纤及激光加热基座法制备GAGG系列单晶光纤的方法-CN202310124562.6在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种GAGG系列单晶光纤及激光加热基座法制备GAGG系列单晶光纤的方法。所述GAGG系列单晶光纤为M元素掺杂的GAGG单晶光纤，其中M元素为稀土元素或Cr元素；所述稀土元素为Ce、Nd和Yb中至少一种；M元素的掺杂含量为0～10at％。
一种 gagg 系列光纤激光加热基座法制方法

[发明专利]一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤及其生长方法-CN202310124559.4在审
发明人：戴云;武安华;张博;寇华敏;张振;苏良碧;张中晗 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂离子可调控分布的单晶光纤的生长方法，包括：(1)选择具有均匀掺杂离子浓度为n at％的晶体或陶瓷，以及无掺杂离子的同质晶体或陶瓷切割成方棒后，按侧面设计切线进行切割、抛光和拼接，得到第一源棒；(2)采用无掺杂离子的晶体或者陶瓷作为籽晶，将所得源棒固定于激光加热基座单晶光纤生长炉中，利用激光加热基座法进行单晶光纤的一次正向生长；(3)将一次正向生长的单晶光纤作为第二源棒进行一次逆向生长；(4)将一次逆向生长后的单晶光纤作为第三源棒进行二次正向生长；(5)二次正向生长后的单晶光纤作为第四源棒进行二次逆向生长，得到所述掺杂离子可调控分布的单晶光纤。
一种掺杂离子调控分布光纤及其生长方法

[发明专利]一种百微米直径单晶光纤的抛光方法-CN202010931586.9有效
发明人：戴云;张中晗;武安华;苏良碧;张博;王静雅;刘荣荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种百微米直径单晶光纤的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：（1）通过激光加热基座法制备单晶光纤；（2）将步骤（1）所得单晶光纤进行切割；（3）将石英玻璃切割成直条状并将直条状石英玻璃端面的棱角研磨至45°；然后将多根直条状石英玻璃粘结以形成包含至少一个具有两个直角部的U形承载体的模具，每个直角部具有45°夹角槽；（4）将步骤（2）切割后的单晶光纤置于所述45°夹角槽并用粘结剂将其固定；（5）对固定的单晶光纤的两端面依次粗磨、细磨和精磨；（6）抛光完成后，将模具与单晶光纤分离，获得端面呈激光级抛光的单晶光纤。本发明解决了现有抛光方法难以实现百微米直径单晶光纤抛光的问题。
一种微米直径光纤抛光方法

[发明专利]一种亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列及其制备方法和应用-CN202210459833.9在审
发明人：丁栋舟;赵书文;杨帆;朱寿政;吴泓澍;王林伟;武安华;张中晗;薛中军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列及其制备方法和应用。所述亚毫米级高分辨闪烁晶体阵列包括：由多个直径或边长0.1～1mm的闪烁晶体像素晶柱组成的阵列、用于隔开每个闪烁晶体像素晶柱的高反射介质层和隔光介质层、以及用于排列和固定闪烁晶体像素晶柱形成阵列的模具或用于排列和固定闪烁晶体像素晶柱形成阵列且分布在阵列间隔内部的粘结基质。
一种毫米分辨闪烁晶体阵列及其制备方法应用

[实用新型]一种利用激光环形加热的光纤晶体自动制备系统-CN202023251492.1有效
发明人：李金;武欢;佘建军;龙勇;武安华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明属于基础材料领域，涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种利用激光环形加热的光纤晶体自动制备系统，包括水冷系统结构、炉体架主体结构、控制结构，水冷系统与炉体结构通过水冷管路相连接，控制结构与其他两部分通过通讯线路及驱动线路相连接并加以控制；炉体架主体结构上安装有光学加热系统、炉膛真空系统、运动系统以及测绘系统，炉膛真空系统内设有朝向束变环装置的密封窗口镜；光学加热系统用于产生激光光束并将该激光光束输入炉膛真空系统；炉膛真空系统中安装有折轴反射系统及聚焦反射系统；运动系统用于控制馈送棒和籽晶棒进行上下移动；本发明能够产生不同直径和能量密度的激光光束，增强了激光加热系统的可调性。
一种利用激光环形加热光纤晶体自动制备系统

[发明专利]一种利用激光环形加热的光纤晶体自动制备系统-CN202011597255.2在审
发明人：李金;武欢;佘建军;龙勇;武安华 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明属于基础材料领域，涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种利用激光环形加热的光纤晶体自动制备系统，包括水冷系统结构、炉体架主体结构、控制结构，水冷系统与炉体结构通过水冷管路相连接，控制结构与其他两部分通过通讯线路及驱动线路相连接并加以控制；炉体架主体结构上安装有光学加热系统、炉膛真空系统、运动系统以及测绘系统，炉膛真空系统内设有朝向束变环装置的密封窗口镜；光学加热系统用于产生激光光束并将该激光光束输入炉膛真空系统；炉膛真空系统中安装有折轴反射及聚焦反射系统；运动系统用于控制馈送棒和籽晶棒进行上下移动；本发明能够产生不同直径和能量密度的激光光束，增强了激光加热系统的可调性。
一种利用激光环形加热光纤晶体自动制备系统

[发明专利]一种高柔性Al-CN201910943103.4在审
发明人：戴云;武安华;张中晗;苏良碧;吴庆辉;姜大朋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高柔性Al
单晶光纤高柔性制备方法和应用三方晶系

[实用新型]一种环形激光加热系统-CN201920699719.7有效
发明人：李金;彭华东;武安华;武欢;龙勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环形激光加热系统，可见光发射器及激光发射器朝向合束装置设置，合束装置能够将可见光发射器发射的可见光束的光路及激光发射器发射的激光光束的光路合束为相同光路并使其朝向束变环装置；束变环装置能够将可见光束或激光光束变为空心环状光束并将空心环状光束折轴射向聚焦装置；聚焦装置能够将空心环状光束聚焦并射向待加热区域。本实用新型将可见光束的光路与激光光束的光路合束为相同光路，工作人员可基于可见光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息来判断激光光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息，从而便于对激光光束进行控制调节，保证加热效果。
光路激光光束可见光束空心环状可见光发射器本实用新型激光发射器合束装置焦点位置聚焦效果聚焦装置环装置平行度合束光束聚焦环形激光加热区域加热系统加热效果控制调节发射折轴保证

[发明专利]一种环形激光加热系统-CN201910410402.1在审
发明人：李金;彭华东;武安华;武欢;龙勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形激光加热系统，可见光发射器及激光发射器朝向合束装置设置，合束装置能够将可见光发射器发射的可见光束的光路及激光发射器发射的激光光束的光路合束为相同光路并使其朝向束变环装置；束变环装置能够将可见光束或激光光束变为空心环状光束并将空心环状光束折轴射向聚焦装置；聚焦装置能够将空心环状光束聚焦并射向待加热区域。本发明将可见光束的光路与激光光束的光路合束为相同光路，工作人员可基于可见光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息来判断激光光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息，从而便于对激光光束进行控制调节，保证加热效果。
光路激光光束可见光束空心环状可见光发射器激光发射器合束装置环形激光加热系统焦点位置聚焦效果聚焦装置环装置平行度合束光束聚焦加热区域加热效果控制调节发射折轴保证

[发明专利]一种磁光晶体材料及其制备方法-CN201410724917.6有效
发明人：赵向阳;王博;武安华;徐军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁光晶体材料及其制备方法，所述磁光晶体材料的组成化学式为Sm_1‑_xR_xFeO₃，其中，R包括Gd、Tb、Yb、Er中至少一种，x的取值范围为0.2‑0.8。
一种晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸稀土正铁氧体单晶的制备方法-CN201410657966.2在审
发明人：王博;赵向阳;武安华;徐军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸稀土正铁氧体单晶的制备方法，所述大尺寸稀土正铁氧体单晶的化学式为RFeO3，其中，R、M为稀土元素和铱中的至少一种元素，所述方法包括：1）称取稀土氧化物粉体和氧化铁粉体，均匀混合后在1100‑1200℃下烧结，再研磨得到混合粉体；2）将步骤1）制备的混合粉体，在坩埚下降炉中第一次生长；3）将步骤2）中第一次生长所得的晶体，在浮区生长炉中进行第二次生长，得到所述大尺寸稀土正铁氧体单晶。
一种尺寸稀土铁氧体制备方法

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