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[发明专利]锂硫电池用聚合物修饰隔膜、其制备方法及锂硫电池-CN201410280367.3在审
发明人：李国春;栗欢欢;刘良;江浩斌;陈龙 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂硫电池用聚合物修饰隔膜、其制备方法及锂硫电池，所述锂硫电池用聚合物修饰隔膜由电池隔膜与附着在所述电池隔膜上的聚合物修饰层构成，所述聚合物修饰层为聚多巴胺修饰层。所述聚多巴胺修饰层含较多有机官能团，对硫电极在循环过程中产生的中间产物多硫化锂有阻挡吸附作用，能有效抑制反应过程中多硫化锂的溶解损失，从而改善电池的循环性能；使得隔膜从疏水性变为亲水性，便于电解液浸润隔膜，隔膜的离子电导率增大，组装的锂硫电池通过采用聚多巴胺修饰的隔膜用于锂硫电池后，其表现出的循环稳定性和倍率性能有了很大的提高。
电池聚合物修饰隔膜制备方法

[发明专利]一种多值相变存储器单元-CN201410188538.X在审
发明人：胡晓程;魏益群;楼海君;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多值相变存储器单元，包括相变材料层、加热电极、顶电极、底电极和隔热材料层，相变材料层包括第一相变材料层和第二相变材料层，加热电极包括第一加热电极和第二加热电极；顶电极位于第一加热电极的顶部，第一加热电极的底部接第一相变材料层的顶部，第一相变材料层的底部接第二相变材料层的顶部，第二相变材料层的底部接第二加热电极，底电极位于第二加热电极的底部，隔热材料层包裹相变材料层和加热电极。本发明提出新型多值相变存储器单元，其通过堆垛结构及两个加热电极，使得在电流脉冲作用下，第一相变材料层和第二相变材料层依次发生相变，产生晶态\晶态、晶态\非晶态、非晶态\非晶态等相态，为实现多值存储提供可能。
一种相变存储器单元

[发明专利]一种光伏组件的连接方法-CN201410281983.0在审
发明人：贾河顺;姜言森;刘兴村;任现坤;张春艳;马继磊 -专利权人：山东力诺光伏高科技有限公司
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏组件的连接方法，电池片正负电极出线端电池片位于组件宽度二分之一处的相邻的两列，位于组件第一行顶端，有且只有电池片的出线端有汇流条与接线盒连接；从出线端正极电池片开始沿行或列的方向与下一电池片用焊带正负电极串联，如果连续的3片电池片在连接方向上的夹角呈90°，其中第二片电池片的正面电极与背面电极焊带的焊接方向呈90°夹角。该发明涉及组件的连接方式与传统组件的连接方式相比，可以大大减少汇流条的使用，不但可以减少材料成本而且可以减少组件的串阻，起到增加组件效率的目的。
一种组件连接方法

[发明专利]高阻抗衬底上的RF开关-CN201310303834.5在审
发明人：陈家忠;黄崎峰;傅淑芳;叶子祯;周淳朴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件，包括具有第一导电类型的半导体衬底，以及所述半导体衬底中的深阱区，其中深阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。该器件还包括位于深阱区上方的具有第一导电类型的阱区。半导体衬底具有位于阱区上方的顶部以及位于深阱区下方的底部，其中所述顶部和所述底部具有第一导电类型并且具有高阻抗。栅极电介质位于半导体衬底之上。栅电极位于栅极电介质上方。源极区和漏极区延伸至半导体衬底的顶部中。源极区、漏极区、栅极电介质以及栅电极形成射频（RF）开关。本发明还公开了高阻抗衬底上的RF开关。
阻抗衬底 rf 开关

[发明专利]一种增强型氮化物半导体器件及其制造方法-CN201410312838.4在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型氮化物半导体器件及其制造方法，该器件包括衬底；依次设于衬底上的氮化物成核层、氮化物缓冲层、氮化物沟道层和氮化物势垒层；与氮化物势垒层相接触的漏极和源极；设于氮化物势垒层上除源极和漏极以外区域的钝化介质层，刻蚀掉栅极区域处的钝化介质层后形成的三层复合结构的栅极；栅极可以具有凹槽结构。栅极的第一层为绝缘体氧化镍，第二层为p型半导体氧化镍，第三层为金属层，使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气，实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构，同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。
一种增强氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有无源器件焊盘的无型芯衬底-CN201410091429.6在审
发明人： Q.张;Y.刘 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开的实施例针对具有无源器件焊盘的无型芯衬底，以及用于形成具有无源器件焊盘和封装装配的无型芯衬底的方法，以及含有此类无型芯衬底的系统。无型芯衬底可包括多个堆积层，诸如无凸块堆积层(BBUL)。在各种实施例中，电气定路线特征和无源器件焊盘可布置在衬底的外表面上。在各种实施例中，无源器件焊盘可与布置在堆积层上或堆积层内的传导元件耦合。在各种实施例中，电气路径可定义在多个堆积层中以在无源器件焊盘与耦合到无型芯衬底的管芯之间对电力定路线。
具有无源器件无型芯衬底

[发明专利]用于半导体封装的表面处理方法和装置-CN201310334939.7在审
发明人：张志鸿;邓桔程;郭庭豪;陈映予 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中，对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中，在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中，纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中，在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。
用于半导体封装表面处理方法装置

[发明专利]浅沟槽隔离的制备方法-CN201410164073.4在审
发明人：桑宁波;雷通;贺忻;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离的制备方法，所述方法包括：提供一半导体结构；采用高密度等离子体化学气相沉积工艺在浅沟槽中填充二氧化硅，该二氧化硅薄膜的表面呈U形，覆盖浅沟槽的侧壁；采用SiCoNi刻蚀工艺对所述二氧化硅薄膜进行刻蚀，以去除部分覆盖所述浅沟槽侧壁的二氧化硅薄膜，使所述二氧化硅薄膜的表面水平，且该表面与所述浅沟槽的顶部之间的距离不超过对所述浅沟槽的侧壁进行热氧化工艺；进行退火工艺；采用等离子体化学气相沉积工艺制备二氧化硅填充所述浅沟槽中剩余的部分。通过本发明的方法将浅沟槽隔离上顶部的侧壁氧化为二氧化硅的方法修复因高密度等离子体轰击而产生的单晶硅缺陷，提高了器件的可靠性与良率。
沟槽隔离制备方法

[发明专利]具有化学控制的工作液的便携声波颗粒去除工具-CN201410095568.6在审
发明人：阿尔曼·阿沃杨;克利夫·拉克鲁瓦;石洪;约翰·多尔蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及具有化学控制的工作液的便携声波颗粒去除工具，具体涉及一种颗粒去除工具，其具有声场变换器、清洁室和开口密封面。清洁室具有从声场变换器延伸至开口密封面的清洁流体引导室，与清洁流体引导室流体连通的清洁流体输送通道以及清洁流体返回通道。开口密封面具有被设置为与由开口密封面形成的平面邻接的清洁口；以及与清洁表面平面形成液密密封的室到面接口密封件。声场变换器设置在清洁口的视线内，并产生具有介于约20kHz至约2MHz之间的频率的声波。
具有化学控制工作液便携声波颗粒去除工具

[发明专利]嵌入式多层陶瓷电子元件和具有该电子元件的印刷电路板-CN201310317127.1在审
发明人：李炳华;金斗永;李镇宇;郑镇万 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括陶瓷本体、第一内电极和第二内电极、第一外电极和第二外电极。所述陶瓷本体包括电介质层，所述陶瓷本体具有第一主表面和第二主表面、第一侧表面和第二侧表面以及第一端表面和第二端表面，所述陶瓷本体具有250μm的厚度或更小的厚度，所述第一内电极和第二内电极交替地暴露于所述第一侧表面或第二侧表面，所述第一外电极和第二外电极形成在所述第一侧表面和第二侧表面上，其中所述第一外电极包括第一电极层和第一金属层，所述第二外电极包括第二电极层和第二金属层，所述第一外电极和第二外电极延伸至所述第一主表面和第二主表面，形成在所述第一主表面和第二主表面上的所述第一外电极和第二外电极的宽度彼此不同。
嵌入式多层陶瓷电子元件具有印刷电路板

[发明专利]电子元件以及电子元件的制造方法-CN201410050474.7在审
发明人：坂本晋一;程志刚;费尔南多·尚·莫克;川原井贡 -专利权人：胜美达集团株式会社
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：该电子元件包括：磁芯，其具有大致方体形状的板状部与从板状部的上表面延伸出去的芯部；线圈，其具有以沿边卷绕方式卷绕扁平线而成的卷绕部与从卷绕部至2个前端的2个非卷绕部，且卷绕部插通有芯部；以及磁性封装体，其至少覆盖卷绕部以及芯部。并且，2个非卷绕部均沿着板状部的第1侧面、底面以及与第1侧面相对的第2侧面配置，2个非卷绕部中的、沿着底面配置的部分为电极。根据本发明，线圈的2个非卷绕部均大致平行地配置于磁芯的侧面，因而易于对2个非卷绕部进行弯曲等加工。
电子元件以及制造方法

[发明专利]多层螺旋结构的共模滤波器-CN201310083809.0在审
发明人：戴世旻;陈建亨;陈韦铨;张育嘉 -专利权人：佳邦科技股份有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01F17/02 文献下载
摘要：一种多层螺旋结构的共模滤波器包含一第一线圈、一第一绝缘层、一第二线圈、一第二绝缘层、一第三线圈、一第三绝缘层以及一第四线圈，其中第一线圈与第四线圈串联，第二线圈与第三线圈串联。在本揭露的一实施例中，一第一导电柱连接第一线圈与第四线圈，一第二导电柱连接第二线圈与第三线圈，其中第一导电柱与第二导电柱设置于一矩形的相对角落或同侧角落。
多层螺旋结构滤波器

[发明专利]一种钴基铁氧体磁芯材料-CN201410283364.5在审
发明人：李新满 -专利权人：铜陵三佳变压器有限责任公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴基铁氧体磁芯材料，它包括主料和添加剂，所述的主料按照摩尔比包括：62.1-68mol的Fe₂O₃、14.7-18mol的氧化锰、11.2-16mol的氧化锌、0.1-0.2mol的碳化硅、0.1-0.3mol的碳酸锂、0.01-0.02mol的稀土复合导磁粉体；添加剂按照占所述铁氧体磁芯材料的重量比计包括：10-20ppm的硫化铁、20-30ppm的硝酸银，本发明的铁氧体磁芯材料加入的稀土复合导磁粉体磁能积高，磁性稳定，制备方法简单，成品具有晶界电阻率高，气孔率低、晶粒大而均匀的特点。
一种铁氧体材料

[发明专利]一种乏燃料循环冷却系统-CN201410224647.2在审
发明人：韩旭;李军;刘江;马如冰;朱明华 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G21C19/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种乏燃料循环冷却系统，包括乏燃料贮存水池(3)，还包括与乏燃料贮存水池(3)相连的中间换热水池(1)以及含有冷水体的最终热阱(2)，中间换热水池(1)与最终热阱(2)通过设在二者之间的最终热阱隔离闸门(5)隔开。本发明提供的一种乏燃料水池闭式循环冷却系统，保持了乏燃料湿法贮存的技术优势，并通过设计简化使系统造价及乏燃料贮存成本显著下降，尤其适用于乏燃料中间贮存厂。
一种燃料循环冷却系统

[发明专利]底屏蔽稳定的磁晶种层-CN201410095508.4在审
发明人： E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本申请公开了底屏蔽稳定的磁晶种层。通常能感测数据位的数据读取器可经配置至少具有磁性叠层，所述磁性叠层在磁晶种层上具有自由和固定的磁化结构。底屏蔽可置于接触地邻近相对于顶屏蔽的磁性叠层，底屏蔽具有设置为预定磁取向的定钉扎磁性。
屏蔽稳定磁晶种层