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[发明专利]用于宽范围温度控制的加热器基座组件-CN201780057399.9有效
发明人： K·阿拉亚瓦里;A·巴拉克里希纳;S·巴录佳;A·K·班塞尔;M·J·布舍;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;S·T·斯里尼瓦桑;T·乌拉维;周建华 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
用于范围温度控制加热器基座组件

[发明专利]VNAND拉伸厚TEOS氧化物-CN201680047305.5有效
发明人： M·W·蒋;P·P·杰哈;韩新海;金柏涵;金相赫;朱明勋;朴亨珍;金伦宽;孙镇哲;S·格纳纳威路;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;M·K·莎莱扎;J·K·福斯特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
vnand 拉伸 teos 氧化物

[发明专利]具有多个流体输送区的喷淋头组件-CN201610875496.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹;S·巴录佳;S·H·金;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
具有流体输送喷淋组件

[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件-CN202010128359.2有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开了一种用于处理腔室的内部容积中的C形通道。在一个实施例中，所述C形通道包括：顶部环形部，所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口，所述多个开口将所述顶部环形部的顶表面与所述顶部环形部的底表面连接；底部环形部，所述底部环形部面向所述顶部环形部；中间环形部，所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体，其中所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域，所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积；以及排气口，所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
用于产量处理工艺套件

[发明专利]用于处理基板的系统-CN202111322370.3在审
发明人： D·R·杜博伊斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;H·K·波内坎蒂;S·巴录佳;P·威尔顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开涉及用于处理基板的系统。本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
用于处理系统

[发明专利]通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性-CN201810576218.X有效
发明人： S·巴录佳;Y·杨;T·恩古耶;N·南塔瓦拉努;J·F·奥布充;T·A·恩古耶;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。
通过独立控制 teos 流量沉积径向边缘轮廓可维持

[发明专利]晶片交换器-CN201680023585.6有效
发明人： D·R·杜博伊斯;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;H·K·波内坎蒂;S·巴录佳;P·威尔顿 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-02-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。
晶片交换

[发明专利]具有高长宽比孔洞及高孔洞密度的气体分布板-CN202080017675.0在审
发明人： S·阿加瓦尔;S·巴录佳;C·彼德森;M·R·赖斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞，该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞，该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步，该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。
具有高长宽孔洞密度气体分布

[发明专利]自居中底座加热器-CN201710307714.0有效
发明人： S·H·金;张宇星;M·嘉德瑞;S·巴录佳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。
居中底座加热器

[发明专利]用于提供较短且对称的接地路径的接地路径系统-CN201980030846.0在审
发明人： T·A·恩古耶;J·M·舒浩勒;爱德华四世·P·哈蒙德;D·伯拉尼克;T·乌拉维;A·K·班塞尔;S·巴录佳;马骏;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。
用于提供对称接地路径系统

[发明专利]用于流动分配调谐的通用可调式阻隔板-CN201980029240.5在审
发明人：张宇星;S·巴录佳;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶;T·乌拉维;G·克里希纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：兹公开一种气体分配装置。该装置包括面板及阻隔板。调节机构耦合至阻隔板，且可操作以相对于面板定位阻隔板，以便修改所穿过的气体流动的流动轮廓。亦公开一种使用气体分配处理基板的方法。
用于流动分配调谐通用调式阻隔

[发明专利]用于高温处理的腔室衬垫-CN201780019944.5有效
发明人： S·巴录佳;段仁官;K·高希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
用于高温处理衬垫

[发明专利]用于高产量处理腔室的工艺套件-CN201510964982.0有效
发明人： K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;祝基恩;S·金;王彦杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文公开了一种用于处理基板的处理腔室。在一个实施例中，所述处理腔室包括：衬层组件，所述衬层组件设置在所述处理腔室的内部容积内；以及C形通道，所述C形通道设置在所述腔室的内部容积内，并且包围所述衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，所述工艺套件设置在所述处理腔室的所述内部容积内。所述工艺套件包括设置在所述内部容积内的衬层组件、C形通道和隔离器。所述C形通道和所述隔离器包围所述衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板上的方法。
用于产量处理工艺套件

[实用新型]高温气体分配组件-CN201920467457.1有效
发明人： S·巴录佳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容总的来说涉及用于基板处理腔室中的气体分配的装置。所述气体分配装置包括第一区隔板、第二区隔板和面板。所述面板可移动地放置在部分地限定处理容积的腔室衬垫上。灯组件设置在所述气体分配组件上方并且可调整地加热所述面板。
高温气体分配组件

[实用新型]流体输送组件和用于处理半导体基板的装置-CN201920459396.4有效
发明人： A·古纳吉;T·A·(麦克)·恩古耶;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;K·朗厄兰德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及流体输送组件和用于处理半导体基板的装置。本公开内容关于用于与半导体工艺腔室一起使用的流体输送系统组件。一系列三通阀控制工艺流体导管之间的工艺流体流动，所述工艺流体导管通向所述工艺腔室和转向导管。
工艺流体导管半导体工艺腔室流体输送系统流体输送组件半导体基板工艺腔室三通阀流动

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