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[发明专利]碳化硅半导体器件-CN201910414124.7有效
发明人： T.巴斯勒;R.埃尔佩尔特;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种半导体器件（100,500），其具有：SiC半导体本体（102）以及在SiC半导体本体（102）的第一表面（104）上的第一负载端子（L1）。在SiC半导体本体（102）的与第一表面（102）相对的第二表面（106）上形成第二负载端子（L2）。该半导体器件（100,500）具有在SiC半导体本体（102）中的第一导电类型的漂移区（112）以及第二导电类型的第一半导体区（108），所述第一半导体区与第一负载端子（L1）电连接。漂移区（112）和第一半导体区（108）之间的pn结限定半导体器件（100，500）的电压截止强度。
碳化硅半导体器件

[发明专利]具有包括场区带的终止结构的半导体器件以及制造方法-CN201811257913.6有效
发明人： R.埃尔佩尔特;R.鲁普;R.舍尔纳;L.韦尔汉-基利安;B.齐佩留斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有包括场区带的终止结构的半导体器件以及制造方法。在碳化硅衬底的终止区中，通过离子注入来形成场区带，其中通过横向调制通过离子注入进入碳化硅衬底的掺杂剂的分布，将场区带中的水平净掺杂剂分布设定成在至少200 nm内从最大净掺杂剂浓度Nmax降至Nmax/e，其中e表示欧拉数。该场区带与漂移层形成第一pn结。
具有包括场区终止结构半导体器件以及制造方法

[发明专利]具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件-CN202010005313.1在审
发明人： C.伦德茨;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;T.加纳;J.P.孔拉特;L.韦尔哈恩-基利安 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括碳化硅本体（100），该碳化硅本体（100）包括第一导电类型的源极区（110）、第一导电类型的阴极区（160）和第二导电类型的分离区（140）。条形栅极结构（150）沿第一方向（291）延伸并直接邻接源极区（110）和分离区（140）。碳化硅器件（500）还包括第一负载电极（310）。沿着第一方向（291），阴极区（160）位于分离区（140）中的两个分离区之间，并且分离区（140）中的至少一个分离区位于阴极区（160）和源极区（110）之间。源极区（110）和第一负载电极（310）形成欧姆接触（OC），并且第一负载电极（310）和阴极区（160）形成Schottky接触（SC）。
具有 schottky 接触碳化硅器件

[发明专利]SiC沟槽晶体管器件及其制造方法-CN201911119103.9在审
发明人： T.艾兴格;W.贝格纳;P.埃林豪斯;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;F.格拉泽;C.莱恩德茨;S.牛;D.彼得斯;R.西米尼克;B.齐佩留斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据半导体器件的实施例，器件包括形成在SiC衬底中并在第一方向上纵向平行延伸的栅极沟槽。第一导电类型的源极区的行形成在SiC衬底中并且在相对于第一方向为横向的第二方向上纵向平行延伸。在源极区的行下方的SiC衬底中形成与第一导电类型相反的第二导电类型的体区的行。在SiC衬底中形成第二导电类型的体接触区的行。体接触区的行在第二方向上纵向平行延伸。第二导电类型的第一屏蔽区在SiC衬底中形成得比体区的行更深。
sic 沟槽晶体管器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN201910375055.3在审
发明人： R.西米尼克;T.艾兴格;T.巴斯勒;W.贝格纳;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;M.黑尔;D.屈克;C.莱恩德茨;D.彼得斯;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅半导体器件。半导体器件（500）具有从第一表面（101）出发延伸到SiC半导体本体（100）中的栅极结构（150）。在所述SiC半导体本体（100）中的体区（120）至少与所述栅极结构（150）的第一侧壁（151）邻接。导电类型为所述体区（120）的导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区（161，162）为所述体区（120）至少两倍高地掺杂。二极管区（140）在所述第一屏蔽区（161）和所述第二屏蔽区（162）之间与负载电极（310）形成肖特基接触（SC）。
屏蔽区体区半导体本体导电类型栅极结构碳化硅半导体器件半导体器件肖特基接触第一表面第一侧壁二极管区负载电极邻接掺杂高地延伸申请

[发明专利]具有边缘终止结构的碳化硅半导体器件-CN201811407108.7在审
发明人： L.韦尔汉-基利安;R.埃尔佩尔特;R.鲁普;R.西米尼克;B.齐佩留斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件（500），其具有拥有有源区（610）和至少部分围绕有源区（610）的边缘终止结构（190）的SiC半导体本体（100）。在SiC半导体本体（100）中构造有第一导电类型的漂移区（131）。边缘终止结构（190）具有在SiC半导体本体（100）的第一表面（101）和漂移区（131）之间的第二导电类型的第一掺杂区（191）。第一掺杂区（191）至少部分围绕有源区（610）并且与第一表面（101）间隔开。边缘终止结构（190）还具有在第一表面（101）和第一掺杂区（191）之间的第二导电类型的第二掺杂区（192）和在第二掺杂区（192）之间的第一导电类型的第三掺杂区（193）。
掺杂区边缘终止结构半导体本体第一表面源区第一导电类型导电类型漂移区碳化硅半导体器件半导体器件

[发明专利]包括沟道停止区的半导体器件-CN201110196783.1有效
发明人： R.埃尔佩尔特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：包括沟道停止区的半导体器件。此处描述的半导体器件包括在第二导电性的沟道区域的第一侧与沟道区域邻接的第一导电类型的本体区域。第一导电类型的栅极控制区域在与第一侧相对的沟道区域的第二侧与沟道区域邻接，沟道区域配置成通过在栅极控制区域和本体区域之间施加电压控制其导电性。第二导电类型的源极区布置在本体区域内且第二导电类型的沟道停止区布置在第一侧，沟道停止区至少部分地布置在本体区域和沟道区域至少之一内。沟道停止区包括比源极区域的最大掺杂剂浓度低的最大掺杂剂浓度。
包括沟道停止半导体器件