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[发明专利]使用两个多晶硅沉积步骤来形成三栅极非易失性闪存单元对的方法-CN201610247666.6有效
发明人： F.周;X.刘;C-S.苏;N.杜;C.王 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于使用两次多晶硅沉积形成非易失性存储器单元对的简化方法。在第一多晶硅沉积工艺中，在半导体衬底上形成第一多晶硅层，并将所述第一多晶硅层与所述半导体衬底绝缘。在所述第一多晶硅层上形成一对间隔开的绝缘块。将所述第一多晶硅层的暴露部分移除，同时保持所述第一多晶硅层的各自被设置在所述一对绝缘块中的一个绝缘块下方的一对多晶硅块。在第二多晶硅沉积工艺中，在所述衬底和所述一对绝缘块上方形成第二多晶硅层。在保持第一多晶硅块(设置在所述第一对绝缘块之间)、第二多晶硅块(设置成与一个绝缘块的外侧相邻)和第三多晶硅块(设置成与另一绝缘块的外侧相邻)的同时，将所述第二多晶硅层的部分移除。
使用两个多晶沉积步骤形成栅极非易失性闪存单元方法

[发明专利]带有3D鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制作方法-CN201680015252.9有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;H.V.陈;N.杜;C-M.陈 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器单元，其包括具有鳍形上表面的半导体衬底，所述鳍形上表面具有顶部表面和两个侧表面。源极区和漏极区形成在所述鳍形上表面部分中，沟道区位于源极区和漏极区之间。导电浮栅包括沿所述顶部表面的第一部分延伸的第一部分，以及分别沿所述两个侧表面的第一部分延伸的第二部分和第三部分。导电控制栅包括沿所述顶部表面的第二部分延伸的第一部分、分别沿所述两个侧表面的第二部分延伸的第二部分和第三部分、沿所述浮栅第一部分的至少一些向上并在其上方延伸的第四部分、以及分别延伸出并在所述浮栅第二部分和第三部分的至少一些上方延伸的第五部分和第六部分。
带有场效应晶体管结构分裂非易失性存储器单元及其制作方法

[发明专利]分裂栅型双位非易失性存储器单元-CN201610285454.7有效
发明人： C.王;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，所述存储器装置包括第一导电类型的半导体材料衬底；在所述衬底中间隔开并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一区和第二区，其中所述衬底中的连续沟道区在所述第一区和所述第二区之间延伸；第一浮栅设置在所述沟道区的与所述第一区相邻的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘。第二浮栅设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘。字线栅设置在所述沟道区的介于所述第一沟道区部分和所述第二沟道区部分之间的第三部分上方并且与所述第三部分绝缘。第一擦除栅设置在所述第一区上方并且与其绝缘。第二擦除栅设置在所述第二区上方并且与其绝缘。
分裂栅型双位非易失性存储器单元

[发明专利]制造分裂栅非易失性闪存单元的方法-CN201610330742.X有效
发明人： C.王;L.邢;A.刘;M.刁;X.刘;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及一种在具有存储器单元区域和逻辑电路区域的衬底上形成非易失性存储器单元的方法，所述方法通过以下方式进行：在所述存储器单元区域中形成一对导电浮动栅极；在所述衬底中在所述一对浮动栅极之间形成第一源极区域；在两个区域中形成多晶硅层；在所述逻辑电路区域中在所述多晶硅层上方形成氧化物层；在所述存储器单元区域中对所述多晶硅层执行化学‑机械抛光从而在所述浮动栅极之间留下所述多晶硅层的第一区块，所述第一区块与所述多晶硅层的其余部分分开；以及选择性蚀刻所述多晶硅层的多个部分从而产生：设置在所述存储器单元区域的外区域中的所述多晶硅层的第二和第三区块，以及在所述逻辑电路区域中的所述多晶硅层的第四区块。
制造分裂栅非易失性闪存单元方法

[发明专利]形成低高度分裂栅存储器单元的方法-CN201780048382.7有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成导电材料层；在所述导电材料层上形成绝缘块；沿着所述绝缘块的侧表面并且在所述导电材料层上形成绝缘间隔物；蚀刻所述导电材料层以形成所述导电材料的直接地设置在所述绝缘块和所述绝缘间隔物下方的块；去除所述绝缘间隔物；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一部分和第二部分，所述第一部分包裹所述导电材料的所述块的暴露的上边缘，所述第二部分设置在所述衬底上方的在所述第一绝缘层的第一部分上；以及形成通过所述第二绝缘层与所述导电材料的所述块绝缘的并且通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述衬底绝缘的导电块。
形成高度分裂存储器单元方法

[发明专利]将FINFET CMOS器件与嵌入式非易失性存储器单元集成的方法-CN201780032086.8有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成具有在平面衬底表面上方的存储器单元和在鳍形衬底表面部分上方的FinFET逻辑器件的存储器器件的方法，所述方法包括在所述衬底的存储器单元部分中的先前形成的浮栅、擦除栅、字线多晶硅和源极区上方形成保护层，接着在所述衬底的所述表面中形成鳍片并沿着所述鳍片在所述衬底的逻辑部分中形成逻辑门，然后去除所述保护层并完成在所述衬底的所述存储器单元部分中从所述字线多晶硅形成字线栅以及漏极区。
衬底存储器单元字线多晶硅衬底表面保护层鳍片存储器器件逻辑器件擦除栅漏极区逻辑门源极区字线栅浮栅鳍形去除

[发明专利]具有自对准的浮栅和擦除栅的非易失性存储器单元及其制造方法-CN201480074513.5有效
发明人： B.陈;C.苏;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中在半导体材料衬底中形成沟槽。源极区形成于所述沟槽下方，并且位于所述源极区和漏极区之间的沟道区包括基本上沿所述沟槽的侧壁延伸的第一部分和基本上沿所述衬底的表面延伸的第二部分。浮栅设置在所述沟槽中，并且与所述沟道区第一部分绝缘以便控制其导电性。所述控制栅设置在所述沟道区第二部分上方并且与其绝缘，以便控制其导电性。所述擦除栅至少部分地设置在所述浮栅上方并且与其绝缘。所述一对浮栅之间的所述沟槽的任何部分不含导电元件，除了所述擦除栅的下部部分之外。
具有对准擦除非易失性存储器单元及其制造方法

[发明专利]形成存储器阵列和逻辑器件的方法-CN201680059728.9有效
发明人： J.金;C.苏;F.周;X.刘;N.杜;P.屯塔苏德;P.加扎维 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在具有存储器区域、核心器件区域和HV器件区域的衬底上形成存储器设备的方法。所述方法包括在所有三个区域中形成一对导电层，在所有三个区域中在所述导电层上方形成绝缘层(以保护所述核心器件区域和所述HV器件区域)，以及然后在所述存储器区域中蚀刻穿过所述绝缘层和所述一对导电层以形成存储器叠堆。所述方法还包括在所述存储器叠堆上方形成绝缘层(以保护所述存储器区域)，移除所述核心器件区域和所述HV器件区域中的所述一对导电层，以及在所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成导电栅极，所述导电栅极设置在所述衬底上方并且与其绝缘。
核心器件区域器件区域导电层绝缘层存储器区域导电栅极存储器衬底叠堆蚀刻存储器设备存储器阵列逻辑器件移除绝缘穿过

[发明专利]电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的电流形成-CN201780046525.0在审
发明人： S.哈里哈兰;H.V.陈;F.周;X刘;S.莱姆克;N.杜;Z.陈;X.王 -专利权人：硅存储技术公司;新加坡科技研究局
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：存储器设备包括：金属氧化物材料，该金属氧化物材料被设置在第一导电电极和第二导电电极之间并且与它们电接触；和电流源，该电流源被配置成施加通过金属氧化物材料的一个或多个电流脉冲。对于所述一个或多个电流脉冲中的每一个，所述电流的振幅在所述电流脉冲期间随时间增大，以在金属氧化物材料中形成导电细丝。
金属氧化物材料电流脉冲导电电极电流源电阻式随机存取存储器存储器设备导电细丝电流形成电接触细丝施加配置

[发明专利]具有整合式高K金属栅的非易失性分离栅存储单元及其制作方法-CN201680058271.X有效
发明人：周锋;X.刘;J-W.杨;C-S.苏;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种形成存储单元对的方法，该方法包括：在半导体基板上方形成多晶硅层并且与半导体基板绝缘；在多晶硅层上方形成导电控制栅对并且与多晶硅层绝缘；形成第一和第二绝缘层，其沿着控制栅的内侧和外侧表面延伸；移除多晶硅层的与控制栅的外侧表面相邻的部分；在该结构上形成HKMG层并且移除其在控制栅之间的部分，移除多晶硅层的与控制栅的内侧表面相邻的部分；在与控制栅的内侧表面相邻的基板中形成源区；在源区上方形成导电抹除栅并且与源区绝缘；形成导电字线栅，其横向地与控制栅相邻，以及在与字线栅相邻的基板中形成漏区。
控制栅多晶硅层移除源区绝缘半导体基板存储单元内侧表面外侧表面导电基板绝缘层高K金属栅导电字线非易失性分离栅整合式字线栅漏区抹除延伸制作

[发明专利]利用5伏逻辑器件形成分离栅存储器单元的方法-CN201680033492.1有效
发明人： N.杜;V.蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种在半导体衬底上形成存储器器件的方法，该半导体衬底具有存储器区域（具有浮置栅极和控制栅极）、第一逻辑区域（具有第一逻辑栅极）以及第二逻辑区域（具有第二逻辑栅极）。第一植入形成：在该存储器区域中与该浮置栅极相邻的源极区域；和在该第一逻辑区域中与该第一逻辑栅极相邻的源极和漏极区域。第二植入形成在该第二逻辑区域中与该第二逻辑栅极相邻的源极和漏极区域。第三植入形成在该存储器区域中与该控制栅极相邻的漏极区域，并且增强该存储器区域中的该源极区域和该第一逻辑区域中的该源极/漏极区域。第四植入增强该第二逻辑区域中的该源极/漏极区域。
利用逻辑器件形成分离存储器单元方法

[发明专利]具有EEPROM功能的闪存系统-CN201580042700.X有效
发明人： H.V.特兰;H.Q.阮;N.杜;V.蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本发明涉及具有EEPROM功能的闪存装置。所述闪存装置是字节可擦除的和位可编程的。
具有 eeprom 功能闪存系统

[发明专利]具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列-CN201510089866.9有效
发明人： J.金;V.蒂瓦里;N.杜;X.刘;钱晓州;白宁;余启文 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，其包括多个ROM单元以及在所述多个ROM单元上面延伸的导电线，其中每一个ROM单元具有：形成在衬底中的间隔开的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区两者间设有沟道区；第一栅极，其设置在所述沟道区的第一部分上面并与之绝缘；第二栅极，其设置在所述沟道区的第二部分上面并与之绝缘。所述导电线电耦接到所述ROM单元的第一子组的所述漏极区，并且不电耦接到所述ROM单元的第二子组的所述漏极区。另选地，所述ROM单元的第一子组在所述沟道区中各自包括较高电压阈值的植入物区，而所述ROM单元的第二子组在所述沟道区中各自缺少任何较高电压阈值的植入物区。
具有 rom 单元非易失性存储器阵列

[发明专利]制成具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法-CN201580050301.8有效
发明人： C.苏;H.V.陈;M.塔达尤尼;N.杜;J.杨 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体设备的方法，所述方法以具有硅、在所述硅上的第一绝缘层和在所述第一绝缘层上的硅层的衬底开始。仅从第二衬底区域移除所述硅层和所述绝缘层。在所述衬底第一区域中的所述硅层上方和在所述第二衬底区域中的所述硅上方形成第二绝缘层。在所述第一衬底区域中形成第一多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所有的层并且延伸到所述硅中。在所述第二衬底区域中形成第二多个沟槽，每个沟槽延伸穿过所述第二绝缘层并且延伸到所述硅中。在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成绝缘材料。在所述第一衬底区域中形成逻辑设备，并且在所述第二衬底区域中形成存储器单元。
制成具有绝缘体衬底嵌入式存储器设备方法

[发明专利]用于形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元细丝的多阶电压-CN201780014845.8在审
发明人： F.周;X.刘;H.V.陈;H.Q.阮;N.杜;M.雷滕;Z.陈;X.王;G-Q.罗 -专利权人：硅存储技术公司;新加坡科技研究局
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器设备和方法，所述存储器设备包括：金属氧化物材料，所述金属氧化物材料被设置在第一导电电极和第二导电电极之间并与它们电接触，以及电压源，所述电压源被配置成跨所述第一电极和所述第二电极施加在时间上间隔开的多个电压脉冲。对于所述电压脉冲中的每一个，所述电压的振幅在所述电压脉冲期间增大。
电压脉冲金属氧化物材料存储器设备导电电极电压源电阻式随机存取存储器第二电极第一电极多阶电压电接触细丝施加配置