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[发明专利]用于定子的连接单元、用于电机的定子布置、用于生产定子布置的方法、以及用于驱动车辆的电机-CN202180084145.2在审
发明人： S·迪特里希;B·霍夫曼;M·梅茨 -专利权人：法雷奥新能源汽车德国有限责任公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01R4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于定子(101)的连接单元(1a，1b)，该定子具有定子绕组(103)，该定子绕组具有数量为N个的相，该连接单元包括：第一至第N接触部分(2a‑c；2d‑f)，该第一至第N接触部分各自被设计用于导电接触定子(101)的N个连接部分(105a‑c；105d‑f)中的一个连接部分、形成用于接纳连接部分(105a‑c；105d‑f)中的一个连接部分的接纳腔(4)、并且具有引导部(11)，其中，相应接触部分(2a‑c；2d‑f)具有壁(3a)，该壁在一侧限制接纳腔(4)，并且接触部分的引导部(11)具有壁(12a)，该引导部的壁邻接接触部分(2a‑c；2d‑f)的壁(3a)并且相对于接触部分(2a‑c；2d‑f)的壁(3a)以背向接纳腔(4)的方式倾斜；以及导体布置(5)，该导体布置导电连接第一至第N接触部分(2a‑c)或者包括N个导体部分(14a‑c)，这些导体部分彼此电隔离并且各自导电连接到接触部分(2d‑f)中的一个接触部分。
用于定子连接单元电机布置生产方法以及驱动车辆

[发明专利]用于定子的连接单元、用于电机的定子、定子布置、用于生产定子布置的方法、以及用于驱动车辆的电机-CN202180084272.2在审
发明人： S·迪特里希;B·霍夫曼;M·梅茨 -专利权人：法雷奥新能源汽车德国有限责任公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于定子(101)的连接单元(1a；1b)，该定子包括定子绕组(103)，该定子绕组具有数量为N个的相，该连接单元具有：数量为N个的接触部分(2a‑c；2d‑f)，其中，每个接触部分具有第一壁(3a)和第二壁(3b)，每个接触部分形成接纳室(4)，接纳室由第一壁(3a)和第二壁(3b)界定并且被设计成围封定子(101)的N个连接部分(105a‑c；105d‑f)中的一个连接部分，并且每个接触部分被配置成导电接触连接部分(105a‑c；105d‑f)，其中，N个接触部分(2a‑c；2d‑f)的第一和第二壁(3a，3b)彼此平行地定向；以及导体布置(5)，该导体布置导电连接接触部分(2a‑c)或者包括N个导体部分(14a‑c)，这些导体部分彼此电隔离并且各自导电连接到N个接触部分(2d‑f)中的一个接触部分。
用于定子连接单元电机布置生产方法以及驱动车辆

[发明专利]用于定子的连接设备、用于电机的定子布置、用于生产定子布置的方法、以及用于驱动车辆的电机-CN202180083525.4在审
发明人： S·迪特里希;B·霍夫曼;M·梅茨 -专利权人：法雷奥新能源汽车德国有限责任公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：一种用于定子(101)的连接设备(1)，该定子具有定子绕组(103)，该定子绕组包括数量为N个的相，该连接设备包括第一连接单元(1a)和第二连接单元(1b)，该第一连接单元和该第二连接单元各自包括N个接触部分(2a‑f)和导体布置(5)，其中，第一连接单元(1a)的接触部分(2a‑c)各自被设计用于与定子绕组(103)的N个连接部分(105a‑c)中的一个连接部分导电接触，并且第一连接单元(1a)的导体布置(5)导电连接第一连接单元(1a)的接触部分(2a‑c)，其中，第二连接单元(1b)的接触部分(2d‑f)各自被设计用于与定子绕组(103)的N个另外连接部分(105d‑f)中的一个连接部分导电接触，并且第二连接单元(1b)的导体布置(5)包括N个导体部分(14a‑c)，这些导体部分彼此电绝缘且各自导电连接到第二连接单元(1b)的N个接触部分(2d‑f)中的一个接触部分，其中，提供紧固装置(17)，借助于该紧固装置，第一连接单元(1a)和第二连接单元(1b)可以从脱离位置转移到紧固位置，在该紧固位置，第一连接单元(1a)和第二连接单元(1b)彼此紧固，并且第一连接单元(1a)的导体布置(5)和第二连接单元(1b)的导体布置(5)彼此电绝缘。
用于定子连接设备电机布置生产方法以及驱动车辆

[发明专利]具有不同过孔和金属选择性沉积的交错的且垂直间隔开的集成电路线金属化-CN202211467313.9在审
发明人： E·卡尔波夫;M·雷什奥特克;S·B·格伦迪宁;J-R·陈;M·梅茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：相邻互连线处于交错的并且垂直间隔开的位置，这相应减小了其在互连金属化的一个层级之内的电容耦合。矮的和高的互连过孔开口着陆于垂直交错的互连线上。在交错互连线中的上方互连线上选择性沉积的帽盖材料限制了矮过孔的过刻蚀，而使得高过孔朝向交错互连线中的下方互连线前进。不同深度的过孔开口可以例如利用单镶嵌金属化工艺填充，为交错的并且垂直间隔开的互连线上方的所有过孔金属化限定共面顶表面。
具有不同金属选择性沉积交错垂直间隔集成路线金属化

[发明专利]具有石墨烯帽的集成电路互连结构-CN202210587438.9在审
发明人： C·内勒;J·查瓦拉;M·梅茨;S·金;R·谢比亚姆;M·科布林斯基;S·克伦德宁;S·李;C·杰泽斯基;S·丘;J·比勒费尔德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了集成电路互连结构，其包括第一金属和位于第一金属的顶表面之上的石墨烯帽。在该互连结构内，第二金属、氮或硅的量在接近石墨烯帽的界面处更大。第二金属、氮或硅的存在可以提高石墨烯与第一金属的粘合力，和/或以其他方式提高带石墨烯帽的互连结构的电迁移抗力。可以在第一金属的沉积期间或者在第一金属的沉积后处理期间将第二金属、氮或硅引入到第一金属中。可以在利用石墨烯帽盖第一金属之前或之后引入第二金属、氮或硅。
具有石墨集成电路互连结构

[发明专利]MASP-2抑制剂和使用方法-CN202080095609.5在审
发明人： M·齐齐雷利;N·S·卡特沙尔;J·L·盖奇;S·R·戈德斯泰因;S·K·克什佩迪;权度延;R·H·勒穆斯;T·L·利特尔;M·梅茨;J·H·阮;P·K·诺勒特冯斯佩奇特;L·M·普赖斯;J·朝;S·B·瓦德拉 -专利权人：奥默罗斯公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： A61P3/00 文献下载
摘要：本公开尤其提供了具有MASP‑2抑制活性的化合物、此类化合物的组合物以及制备和使用此类化合物的方法。
masp 抑制剂使用方法

[发明专利]MASP-2抑制剂和使用方法-CN202080095552.9在审
发明人： N·S·卡特沙尔;J·L·盖奇;权度延;T·L·利特尔;M·梅茨;P·K·诺勒特冯斯佩奇特;J·朝;J·H·阮;M·戴维斯;R·H·勒穆斯;S·K·克什佩迪;S·R·戈德斯泰因 -专利权人：奥默罗斯公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： A61K31/513 文献下载
摘要：本公开尤其提供了具有MASP‑2抑制活性的化合物、此类化合物的组合物以及制备和使用此类化合物的方法。
masp 抑制剂使用方法

[发明专利]MASP-2抑制剂和使用方法-CN202080095608.0在审
发明人： N·S·卡特沙尔;J·L·盖奇;S·R·戈德斯泰因;S·K·克什佩迪;权度延;R·H·勒穆斯;T·L·利特尔;M·梅茨;P·K·诺勒特冯斯佩奇特;L·M·普赖斯;J·朝 -专利权人：奥默罗斯公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C07D211/60 文献下载
摘要：本公开尤其提供了具有MASP‑2抑制活性的化合物、此类化合物的组合物以及制备和使用此类化合物的方法。
masp 抑制剂使用方法

[发明专利]自对准互连结构及其制造方法-CN202111393718.8在审
发明人： K·俊;S·高希;W·拉赫马迪;A·阿格拉瓦尔;S·舒克赛;J·托雷斯;J·卡瓦列罗斯;M·梅茨;R·基奇;K·甘古利;A·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：集成电路互连结构包括在第一装置层级上方的金属化层级。金属化层级包括耦合到装置结构的互连结构、在互连结构的最上表面上的包括互连结构的金属与硅或锗的合金的导电帽。导电帽上方的第二装置层级包括与导电帽耦合的晶体管。晶体管包括包含半导体材料的沟道层，其中导电帽的至少一个侧壁与沟道层的侧壁共面。晶体管还包括在沟道层的第一部分上的栅极，其中栅极位于源极区和漏极区之间，其中源极区或漏极区中的一个与导电帽接触。
对准互连结构及其制造方法

[发明专利]用于互补金属氧化物半导体晶体管的栅极电介质及其制造方法-CN202111401562.3在审
发明人： A·V·佩努马季哈;S·H·宋;J·卡瓦列罗斯;U·阿维奇;T·特罗尼克;S·希瓦拉曼;D·梅里尔;T·布朗-赫夫特;K·马克西;M·梅茨;I·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管包括第一晶体管，该第一晶体管具有在第一沟道之上的第一栅极电介质层，其中第一栅极电介质层包括Hf1‑xZxO2，其中0.33＜x＜0.5。第一晶体管还包括在第一栅极电介质层上的第一栅极电极以及在第一栅极电极的相对侧上的第一源极区域和第一漏极区域。CMOS晶体管还包括与第一晶体管相邻的第二晶体管。第二晶体管包括在第二沟道之上的第二栅极电介质层、在第二栅极电介质层上的第二栅极电极以及在第二栅极电极的相对侧上的第二源极区域和第二漏极区域，其中第二栅极电介质层包括Hf1‑xZxO2，其中0.5＜x＜0.99。
用于互补金属氧化物半导体晶体管栅极电介质及其制造方法

[发明专利]用于制造电池单池的电极粉末混合物的方法-CN202111587040.7在审
发明人： S·绍普夫;A·图纳斯坎托纳;B·韦斯特法尔;M·梅茨 -专利权人：大众汽车股份公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造电池单池(14)的电极粉末混合物(28)的方法(32)。将活性材料(34)、胶粘剂(36)和导电添加剂(38)注入机器(42)的注入区域(40)中，所述机器具有被驱动的、沿纵向(44)延伸的螺杆(48)，所述螺杆用于混合并且沿纵向(44)输送粉末。借助螺杆(48)将胶粘剂(36)、活性材料(34)和导电添加剂(38)混合为第一粉末(66)，并且借助螺杆(48)通过使胶粘剂(36)原纤化由第一粉末(66)产生第二粉末(68)。借助螺杆(48)通过将原纤化的胶粘剂(38)碾碎由第二粉末(68)产生电极粉末混合物(28)，并且在取出开口(58)处将电极粉末混合物(28)从机器(42)取出，其中，取出开口(58)沿纵向(44)与注入区域(40)相间隔。此外，本发明涉及一种机器(42)的应用和用于制造电池单池(14)的电极(16)的方法(30)。
用于制造电池电极粉末混合物方法

[发明专利]具有选择性偶极子阈值电压移位器的带状或线状晶体管堆叠体-CN202111366914.6在审
发明人： N·托马斯;E·马特森;S·李;S·B·克伦德宁;T·布朗-赫夫特;I-C·邓;T·迈克洛斯;G·杜威;C·郭;M·梅茨;M·拉多萨夫列维奇;C·穆赫塔尔扎德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：集成电路包括带状或线状(RoW)晶体管堆叠体，晶体管在其内具有不同的阈值电压(Vt)。在一些示例中，晶体管堆叠体的栅电极可以仅包括一种功函数金属。金属氧化物可以沉积在晶体管堆叠体的一个或多个沟道周围，作为将向(多个)沟道区扩散的金属氧化物物质的固态源。当扩散时，金属氧化物可以保持(例如，作为硅酸盐或铪酸盐)紧邻沟道区，从而改变栅极绝缘体材料的偶极子性质。晶体管堆叠体的不同沟道可以暴露于不同量或不同类型的金属氧化物物质，以在所述堆叠体内提供一定范围的Vt。在扩散之后，金属氧化物可以作为牺牲物被剥离或被保留。
具有选择性偶极子阈值电压移位带状线状晶体管堆叠

[发明专利]葡糖神经酰胺合酶抑制剂-CN202210106457.5在审
发明人： E·布尔克;M·A·卡布雷拉-萨拉扎;C·塞拉特卡;S·H·程;B·赫斯;A·古德;K·詹克希克斯;J·马歇尔;M·梅茨;R·K·朔伊勒;R·斯凯尔杰;Y·项;Z·赵;J·伦纳德;T·纳托利;E·马金诺;H·赫森;O·贝斯克罗夫纳亚 -专利权人：建新公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： A61K31/439 文献下载
摘要：本申请涉及葡糖神经酰胺合酶(GCS)抑制剂，其可单独或与酶代替疗法联合用于治疗代谢病例如溶酶体贮积病、可用于治疗囊性病和可用于治疗癌症。
葡糖神经酰胺抑制剂

[发明专利]用于集成电路中低电阻过孔的具有区域选择性粘附或阻挡材料的互连结构-CN202111170788.7在审
发明人： C·杰泽斯基;J-R·陈;M·雷什奥特克;J·M·布莱克韦尔;M·梅茨;C-Y·林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：集成电路互连结构包括具有衬垫材料的互连金属化特征，所述衬垫材料在填充金属和介电材料之间具有较大的厚度，并且在填充金属和下级互连金属化特征之间具有较小的厚度。衬垫材料可实质上不存在于填充金属与下级互连金属化特征之间的界面。在过孔底部处的厚度减小的衬垫材料可以减小过孔电阻和/或便于使用可以增强互连结构的可缩放性的高阻抗衬垫材料。在一些实施例中，利用区域选择性原子层沉积工艺将衬垫材料沉积在介电表面上。对于单镶嵌实施方式，过孔和金属线两者都可以包括选择性沉积的衬垫材料。
用于集成电路电阻具有区域选择性粘附阻挡材料互连结构

[发明专利]葡糖神经酰胺合酶抑制剂-CN201810581322.8有效
发明人： E·布尔克;M·A·卡布雷拉-萨拉扎;C·塞拉特卡;S·H·程;B·赫斯;A·古德;K·詹克希克斯;J·马歇尔;M·梅茨;R·K·朔伊勒;R·斯凯尔杰;Y·项;Z·赵;J·伦纳德;T·纳托利;E·马金诺;H·赫森;O·贝斯克罗夫纳亚 -专利权人：建新公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C07D453/02 文献下载
摘要：本申请涉及葡糖神经酰胺合酶(GCS)抑制剂，其可单独或与酶代替疗法联合用于治疗代谢病例如溶酶体贮积病、可用于治疗囊性病和可用于治疗癌症。
葡糖神经酰胺抑制剂

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