“K·K·姆奇尔拉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果108个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在存储器装置处生成虚设数据的编程命令生成-CN202211363271.4在审
发明人： J·宾福特;V·莫斯基亚诺;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉;J·S·麦克尼尔;P·S·阮 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及在存储器装置处生成虚设数据的编程命令生成。一种存储器装置，其包括组织成一组子块和一组字线的存储器单元阵列。控制逻辑以操作方式与所述存储器单元阵列耦合，所述控制逻辑执行包含以下各项的操作：从处理装置接收编程命令，所述编程命令包含指示与所述一组字线中的弃用字线相关联的物理地址的信息；响应于检测到所述编程命令内的所述信息，生成虚设数据，所述虚设数据是伪随机数据、全一值或全零值中的一者；以及使所述虚设数据被编程到所述一组子块中的数个子块中选择性地连接到所述弃用字线的存储器单元。
存储器装置生成虚设数据编程命令

[发明专利]用于缓冲器和快照存储器的单独分区-CN202180050394.X在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;N·里盖蒂;J·S·小麦克尼尔;合田晃;T·A·马夸特;M·A·赫尔姆;G·戈洛夫;J·宾福特;C·米科利;G·普齐利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种系统包含处理装置和触发电路系统，所述触发电路系统至少部分地基于确定已发生触发事件，发信号通知所述处理装置作出响应。所述系统可另外包含以通信方式耦合到所述处理装置的存储器装置。所述存储器装置可包含具有与其相关联的第一耐久特性和第一可靠性特性的循环缓冲器分区部分。所述存储器装置可另外包含经由保持电容器耦合到所述循环缓冲器分区部分的快照分区部分。所述快照分区部分可具有与其相关联的第二耐久特性和第二可靠性特性。所述处理装置可执行包含以下操作的操作：将接收到的数据依序写入到所述循环缓冲器分区部分；和至少部分地基于所述确定已发生所述触发事件，将数据从所述循环缓冲器分区部分写入到所述快照分区部分。
用于缓冲器快照存储器单独分区

[发明专利]存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串-CN202211027555.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串。存储器装置中的控制逻辑确定对所述存储器装置的存储器阵列的块中的多个存储器串中的第一存储器串起始串读取操作，所述块包括多个字线，其中所述多个存储器串中的每一者包括与所述多个字线相关联的多个存储器单元，且其中所述第一存储器串被指定为牺牲串。所述控制逻辑进一步使读取电压同时施加到所述存储器阵列的所述多个字线中的每一者，且在所述读取电压施加到所述多个字线中的每一者时，感测流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的电流电平。另外，所述控制逻辑基于流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的所述电流电平而识别所述块上是否已发生阈值水平的读取干扰。
存储器装置用于检测读取干扰牺牲

[发明专利]存储器装置的裸片上交叉温度管理-CN202211046231.7在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;辉俊胜;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;P·R·哈亚特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的裸片上交叉温度管理。存储器装置中的控制逻辑接收从存储器装置的存储器阵列读取数据的请求，所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示，且确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中。响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中，所述控制逻辑基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度来确定所述数据的交叉温度，确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数，且基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数来确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
存储器装置裸片上交叉温度管理

[发明专利]存储器系统处的覆写-CN202211053848.1在审
发明人： J·S·帕里;J·S·麦克尼尔;G·卡列洛;K·K·姆奇尔拉;R·巴苏 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案是针对存储器系统处的覆写。存储器系统可被配置成用新数据覆写存储器阵列的部分，这可与省略擦除操作相关联。举例来说，可根据第一分界配置执行写入操作以将信息存储于存储器阵列的一部分处。存储器系统的一部分接着可确定用不同的或经更新的信息覆写所述存储器阵列的所述部分，这可包含根据第二分界配置执行写入操作。所述第二分界配置可与针对一或多个逻辑状态的不同单元特性相关联，所述不同单元特性例如存储的电荷或其它单元性质的不同分布、不同分界特性、不同写入操作以及其它差异，这可支持执行覆写操作而无需首先执行擦除操作。
存储器系统

[发明专利]校准读取电压电平的集成命令-CN202211062936.8在审
发明人： E·N·李;V·莫斯基亚诺;J·S·麦克尼尔;J·菲兹帕特里克;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种校准读取电压电平的集成命令。存储器装置中的处理逻辑接收执行具有对应于与所述存储器装置相关联的编程分布的读取电压电平的读取操作集合的命令。确定存储器位计数集合，其中每一存储器位计数对应于与所述读取操作集合的所述多个读取电压电平相关联的仓集合中的相应仓。确定具有所述存储器位计数集合中的最小存储器位计数的谷值中心仓。所述处理逻辑确定所述谷值中心仓的所述最小存储器位计数满足条件，且响应于满足所述条件而识别与所述谷值中心仓相关联的经调整读取电压电平。
校准读取电压电平集成命令

[发明专利]基于存储器单元的健康特性进行媒体管理操作-CN202210629902.6在审
发明人： A·马尔谢;K·K·姆奇尔拉;V·P·拉亚普鲁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及基于存储器单元的健康特性进行媒体管理操作。一种方法包含确定存储器单元块的有效数据部分与数据部分总数量的比率是大于还是小于有效数据部分阈值，并且确定所述存储器单元块的所述有效数据部分的健康特性是大于还是小于有效数据健康特性阈值。所述方法另外包含响应于确定所述有效数据部分与所述数据部分总数量的比率大于所述有效数据部分阈值而对所述存储器单元块执行第一媒体管理操作，并且响应于确定所述有效数据部分与所述数据部分总数量的比率小于所述有效数据部分阈值且所述有效数据部分的所述健康特性大于所述有效数据健康特性阈值而对所述存储器单元块的至少一部分执行第二媒体管理操作。
基于存储器单元健康特性进行媒体管理操作

[发明专利]基于取数据时间和有效性的存储器管理-CN202210619034.3在审
发明人： A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于取数据时间和有效性的存储器管理。一种方法包含确定一段时间内非易失性存储器胞元块的相应有效翻译单元计数，确定所述一段时间内所述非易失性存储器胞元块的所述相应有效翻译单元计数的变化率，将所述有效翻译单元计数的所述变化率与仓转变率进行比较，以及基于将所述有效翻译单元计数的所述变化率与所述仓转变率进行比较，对所述非易失性存储器胞元块执行媒体管理操作。
基于数据时间有效性存储器管理

[发明专利]基于高电压脉冲执行编程操作以安全地擦除数据-CN202180017603.0在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;H·R·辛吉迪;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;S·K·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：能够接收对存储器组件执行安全擦除操作的请求。能够确定在读取操作期间施加到所述存储器组件的未经选择的字线的电压电平。能够将电压脉冲施加到所述存储器组件的至少一个字线以执行所述安全擦除操作。所述电压脉冲能够与编程操作相关联以将所述存储器组件的存储器单元置于超过在所述读取操作期间施加到所述存储器组件的所述未经选择的字线的所述电压电平的另一电压电平下。
基于电压脉冲执行编程操作安全地擦除数据

[发明专利]存储器编程操作中的电力损耗免疫-CN202210431053.3在审
发明人： S·A·斯托勒;P·舒克拉;K·K·姆奇尔拉;F·罗里;王斌 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开描述用于在存储器编程操作中提供电力损耗免疫的系统及方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线及多个位线的多个存储器单元；及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器用以执行包括以下的操作：致使编程脉冲施加到所述存储器阵列的一或多个字线；响应于确定所述存储器阵列的一或多个存储器单元的阈值电压已达到预编程验证电平，致使第一偏置电压电平施加到所述存储器阵列的第一位线子集且致使第二偏置电压电平施加到所述存储器阵列的第二位线子集。
存储器编程操作中的电力损耗免疫

[发明专利]将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处-CN202210429938.X在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;G·普齐利;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;J·菲兹帕特里克;S·S·瑞胡那森;V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
读取数据存储存储器装置影响干扰页面

[发明专利]减轻存储器子系统中的缓慢读取干扰-CN202210408754.5在审
发明人： V·P·拉亚普鲁;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;G·普齐利;S·谢里菲·德黑兰尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本公开涉及减轻存储器子系统中的缓慢读取干扰。公开一种包括存储器装置和处理装置的系统，所述处理装置以操作方式与所述存储器装置耦合以执行操作，所述操作包含：接收对所述存储器装置的块执行读取操作的读取请求；确定对应于所述块的条目是否存储在与所述存储器装置相关联的数据结构中；响应于所述条目存储在所述数据结构中，递增与所述块相关联的计数器以跟踪对所述存储器装置的所述块执行的读取操作的数目；将与所述块相关联的定时器复位到初始值，其中所述定时器将跟踪自从对所述存储器装置的所述块执行所述读取操作以来流逝的时间段；确定所述计数器和所述定时器满足第一准则；以及响应于确定所述计数器和所述定时器满足所述第一准则，从与所述存储器装置相关联的所述数据结构移除对应于所述块的所述条目。
减轻存储器子系统中的缓慢读取干扰

[发明专利]用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定-CN202210399698.3在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·K·瑞特南;S·诺埃尔;P·费利;S·帕塔萨拉蒂;M·N·凯纳克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及用于校准存储器装置的电压块组的阈值电压确定。存储器子系统的处理装置配置成：识别指派到存储器装置的多个电压块组中的第一电压块组的多个块；识别具有距与所述多个电压块组中的所述第一电压块组与后续电压块组之间的转变边界相关联的第二编程后时间TAP在预定阈值时间段内的TAP的所述多个块的子集；确定与块的所述子集相关联的阈值电压偏移；及使所述阈值电压偏移与所述后续电压块组相关联。
用于校准存储器装置电压阈值确定

[发明专利]存储器装置中的错误处置流管理-CN202210321990.3在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·诺埃尔;M·N·凯纳克;S·K·瑞特南;P·费利;S·帕塔萨拉蒂;D·M·巴图蒂斯;罗贤钢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本公开涉及存储器装置中的错误处置流管理。公开了包含存储器装置和操作性地耦合到所述存储器装置的处理装置的系统和方法。所述处理装置可执行包含以下各项的操作：检测关于驻存于所述存储器装置的块中的数据的读取错误，其中所述块与电压偏移区间相关联，确定待对所述数据执行的错误处置操作的有序集合，确定与所述电压偏移区间相关联的最近执行的错误处置操作；通过按错误处置操作集合的次序将所述最近执行的错误处置操作定位在预定位置内来调整所述错误处置操作集合的所述次序；以及按调整后的次序执行所述错误处置操作集合中的一或多个错误处置操作，直到与所述读取错误相关联的数据恢复为止。
存储器装置中的错误处置流管

[发明专利]基于块的电压分布参数来避免错误-CN202210323271.5在审
发明人： S·诺埃尔;S·M·金茨;M·舍佩雷克;M·N·凯纳克;K·K·姆奇尔拉;L·J·考德莱;B·A·利卡宁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请案针对于基于块的电压分布参数来避免错误。一种方法可包含接收从与处理装置耦合的存储器装置的块读取数据的请求；使用将块识别符映射到对应电压分布参数值的数据结构确定与所述存储器装置的所述块相关联的电压分布参数值；确定与所述电压分布参数值相关联的读取电平集，其中所述读取电平集中的每个读取电平对应于所述块包括的至少一个存储器单元的相应电压分布；和使用所述所确定的读取电平集从所述存储器装置的所述块读取数据。
基于电压分布参数避免错误