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[发明专利]存储器子系统中的存储器装置的双交错编程-CN202111552850.9在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及存储器子系统中的存储器装置的双交错编程。存储器装置中的逻辑控制识别第一多个编程分布群组，其中每一群组包括与所述存储器装置的存储器阵列的配置为四层级QLC存储器的一部分相关联的编程分布的子集；在多遍次编程操作的第一遍次期间，所述控制逻辑将所述配置为QLC存储器的部分中的存储器单元粗略地编程为表示第二多个主机数据页的初始值，且将所述第一多个编程分布群组的指示符存储在所述存储器装置的所述存储器阵列的配置为单层级单元SLC存储器的一部分中，所述粗略编程的存储器单元中的每一个与所述第一多个编程分布群组相关联。
存储器子系统中的装置交错编程

[发明专利]专用块的动态预留空间分配-CN202080077461.2在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;H·R·辛吉迪;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;S·K·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：从存储器组件的存储区域块池分配一或多个块到第一组专用块。执行在所述存储器组件的用户块处将第一数据写入到第一数据条带的第一写入操作。确定所述第一组专用块中的所述块是否满足指示所述第一组专用块将被弃用的条件。响应于所述第一组专用块中的所述块满足所述条件，从所述存储器组件的所述存储区域块池分配一或多个其它块到第二组专用块。执行在所述存储器组件的所述用户块处将第二数据写入到第二数据条带的第二写入操作。
专用动态预留空间分配

[发明专利]读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元-CN202111401190.4在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元。一种存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。在接收到所述数据位之后，存储器装置根据位的值的组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示所述数据位的值的组合的第一电平。所述阈值电平被划分为多个组，每一组含有所述阈值电平的子集。使用“异或”(或“同或”)来将所述数据位组合到所述多个组当中含有所述第一电平的第一组的组标识的位中。所述存储器装置使用所述组标识从所述第一存储器单元读回所述数据位以精细编程所述存储器单元的所述阈值电压以表示所述数据位。
读取经由交错式两遍数据编程技术粗略存储器单元

[发明专利]减少写入放大的交错式两遍数据编程技术-CN202111403086.9在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及减少写入放大的交错式两遍数据编程技术。在粗略编程中，根据N‑1个可能位的值的组合与阈值电平之间的第一映射，将存储器单元的阈值电压编程到表示N‑1个位值数据的第一电平。组标识表示所述第一电平是所述第一映射中的奇数电平还是偶数电平。对于精细编程，基于所述组标识，读取所述存储器单元以获得所述N‑1个位值；并且接收至少一个额外位以接合所述N‑1个位值以形成至少N个位值。然后，根据所述至少N个可能位的值的组合与阈值电平之间的第二映射，将所述存储器单元的所述阈值电压精细编程到表示所述至少N个位值的第二电平。
减少写入放大交错式两遍数据编程技术

[发明专利]经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取-CN202111430028.5在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请案涉及经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的单阶梯读取。存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。存储器装置根据位值组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示位值的组合的第一电平。所述阈值电平被分成组，每一组含有所述阈值电平的子集且具有分离所述子集中的阈值电平的相关联读取电压。为所述存储器单元确定所述组当中含有所述第一电平的第一组的组标识。所述存储器装置施加在序列中按递增次序交错的不同组的读取电压，以在所施加读取电压与所述第一组相关联时读取所述存储器单元。使用从所述存储器单元读回的所述数据位来精细编程所述存储器单元的所述阈值电压。
经由交错式两遍数据编程技术粗略存储器单元阶梯读取

[发明专利]用以读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的简化操作-CN202111418849.7在审
发明人： P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请案中的实施例涉及用以读取经由交错式两遍数据编程技术粗略编程的存储器单元的简化操作。存储器系统用以在存储器单元中存储多个数据位。在接收到所述数据位之后，存储器装置根据位值的组合与阈值电平之间的映射将所述存储器单元的阈值电压粗略地编程到表示位值的组合的第一电平。所述阈值电平被分成多个组，每一组含有所述阈值电平的子集。为所述存储器单元确定所述多个组当中含有所述第一电平的第一组的组标识。所述存储器装置使用所述组标识从所述第一存储器单元读回所述数据位的子集，并且将所述组标识的所述位与所述子集组合以恢复整个数据位集以精细编程所述存储器单元的所述阈值电压以表示所述数据位。
用以读取经由交错式两遍数据编程技术粗略存储器单元简化操作

[发明专利]跨存储器阵列的字线使用数据选择的扫描优化-CN202111551594.1在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;S·齐德日茨;J·A·拉克绍;P·Z·亥特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开涉及跨存储器阵列的字线使用数据选择的扫描优化。系统包含具有子块的存储器阵列，每一子块具有存储器单元群组。与所述存储器阵列可操作地耦合的处理装置将执行包含在通过所述子块编程字线之后对所述字线执行扫描的操作。所述扫描包含：选择所述子块中的第一子块的所述存储器单元群组的第一群组以对所述字线的第一数据进行采样；选择所述子块中的第二子块的所述存储器单元群组的第二群组以对所述字线的第二数据进行采样；同时从所述存储器单元群组的所述第一群组读取所述第一数据且从所述第二群组读取所述第二数据；以及使用所述第一数据和所述第二数据对所述字线执行错误检查。
存储器阵列使用数据选择扫描优化

[发明专利]存储器子系统写入序列追踪-CN202111529233.7在审
发明人： K·D·舒;V·P·拉亚普鲁;吴建刚;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请案涉及一种存储器子系统写入序列追踪。一种系统包含存储器装置及通信地耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置以物理不连续方式将数据写入到所述存储器装置的数个存储器单元群组。所述处理装置进一步追踪用所述数据写入所述数个存储器单元群组的序列。响应于触发事件，所述处理装置进一步至少部分基于所述追踪序列来识别具有在所述触发事件之前的预定义周期内接收的数据的所述数个存储器单元群组的至少一部分。
存储器子系统写入序列追踪

[发明专利]管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移-CN202111543967.0在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;M·N·凯纳克;M·舍佩雷克;S·诺埃尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及管理用于低阈值电压偏移区间放置的读取电平电压偏移。创建与存储器装置相关联的块族。所述块族与阈值电压偏移区间相关联。确定读取电平电压偏移集，使得将所述读取电平电压偏移集施加到与所述块族相关联的基础读取电平阈值电压产生不超过最大可允许错误率的次佳错误率。通过更新块族元数据，使所确定的读取电平偏移集与所述阈值电压偏移区间相关联。
管理用于阈值电压偏移区间放置读取电平

[发明专利]存储器子系统媒体管理群组-CN202111529588.6在审
发明人： K·D·舒;吴建刚;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统媒体管理群组。一种系统包含存储器装置及耦合到所述存储器装置的处理装置。所述处理装置可将多个超级块中的每一者指派到多个群组中的一者。所述处理装置可监测所述群组中的每一者被写入的次序。所述处理装置可将数据写入到所述多个群组中的第一者的第一超级块的第一块。
存储器子系统媒体管理

[发明专利]对应于编程/擦除周期的修整-CN202111520736.8在审
发明人： J·S·小麦克尼尔;K·D·舒;V·P·拉亚普鲁;G·普齐利;K·K·姆奇尔拉;G·戈洛夫;T·A·马夸特;吴建刚;N·里盖蒂;A·马尔谢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及与编程/擦除周期相对应的修整。可以以第一间隔执行指令以调整修整直到达到一定数量的编程/擦除周期PEC。所述修整限定数据状态之间的谷宽。在达到所述一定数量的PEC之后，可以以大于所述第一间隔的第二间隔执行指令以调整所述修整。
对应编程擦除周期修整

[发明专利]用于多个读取操作的存储器装置-CN202111545041.5在审
发明人： E·N·李;K·K·姆奇尔拉;J·S·麦克尼尔;辉俊胜 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及一种用于多个读取操作的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列、多个存取线和控制逻辑。所述存储器单元阵列包含多个串联连接的存储器单元串。所述多个存取线中的每一存取线连接到所述多个串联连接的存储器单元串中的每一串联连接的存储器单元串的相应存储器单元的控制栅极。所述控制逻辑配置成：打开所述存储器单元阵列以用于多个读取操作；从耦合到所述多个存取线中的所选存取线的相应存储器单元读取第一页数据；从耦合到所述所选存取线的所述相应存储器单元读取第二页数据；且在读取所述第一页数据和所述第二页数据之后关闭所述存储器单元阵列。
用于读取操作存储器装置

[发明专利]具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法-CN202110346710.X有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;S·K·瑞特南;P·菲利;M·G·米勒;C·S·哈立;R·C·帕迪拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F12/0873 文献下载
摘要：本申请涉及具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法。一种操作存储器装置的方法包含：将存储器阵列划分成SLC块的第一部分及XLC块的第二部分；将主机数据的至少一部分存储到作为静态高速缓冲存储器的SLC块的所述第一部分中；及响应于确定主机数据突发大于所述静态高速缓冲存储器可处置的量而将所述主机数据的至少另一部分存储到在SLC模式中作为动态高速缓冲存储器的XLC块的所述第二部分中。
具有包含静态动态单元混合高速缓冲存储器存储器装置电子系统以及相关方法

[发明专利]经调整扫描事件阈值-CN201980070789.9有效
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;P·S·菲利;A·马尔谢;R·小帕迪拉;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C29/32 文献下载
摘要：公开系统及方法，所述系统包括：存储器装置，其包括存储器单元的多个群组，所述群组包括存储器单元的第一群组和存储器单元的第二群组，所述第一群组和所述第二群组经配置成以每一存储器单元的相同位容量来存储信息；及处理装置，其可操作地耦合到所述存储器装置，所述处理装置经配置以将用于存储器单元的所述第一或第二群组中的一个的扫描事件阈值调整为小于用于存储器单元的所述第一和第二群组的目标扫描事件阈值的阈值，以在所述存储器装置上及时分配扫描事件。
调整扫描事件阈值

[发明专利]温度通知的存储器刷新-CN201980071437.5有效
发明人： G·S·阿尔萨苏阿;H·R·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;S·瑞特南;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;R·小帕迪利亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本文中描述用于温度通知的存储器刷新的装置及技术。可响应于在极端温度下执行的存储器组件写入而更新温度数据。此处，对所述存储器组件中的存储器组件元件执行所述写入。可基于所述温度数据将所述存储器组件元件排序在所述存储器组件中的其它存储器组件元件之上。一旦排序到这些存储器组件元件的顶部，就可对所述存储器组件元件执行刷新。
温度通知存储器刷新