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[发明专利]使用与存储器子系统相关联的错误控制成功率实施粘性读取-CN201980080070.3在审
发明人： H·桑吉迪;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;S·K·瑞特南;R·帕迪拉;M·米勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：可基于与使用特定参数的多个错误控制操作相关联的阈值成功率来确定存储器子系统在目标操作特性内操作。当确定所述存储器子系统在所述目标操作特性内操作时，通过使用所述特定参数执行后续读取操作来进入粘性读取模式。确定在所述粘性读取模式期间使用所述特定参数针对至少第一阈值数目的读取操作触发额外错误控制操作。当确定在所述粘性读取模式期间使用所述特定参数针对至少所述第一阈值数目的读取操作触发所述额外错误控制操作时，通过使用与所述存储器子系统相关联的默认参数执行进一步的读取操作而退出所述粘性读取模式。
使用存储器子系统相关错误控制成功率实施粘性读取

[发明专利]使用贪婪无用单元收集的存储器组件中的周期性清空-CN201980080443.7在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;P·S·菲利;S·K·瑞特南;A·马尔谢;C·S·哈立 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：确定存储在第一存储器处的多个数据块中的每个数据块的有效数据量。基于每个数据块的有效数据量而执行将特定数据块的有效数据从所述第一存储器写入到第二存储器的操作。确定已满足与所述数据块的有效数据写入到所述第一存储器的时间相关联的阈值条件。响应于确定已满足所述阈值条件，基于所述有效数据写入到所述第一存储器的时间而执行将所述数据块的有效数据从所述第一存储器写入到所述第二存储器的所述操作。
使用贪婪无用单元收集存储器组件中的周期性

[发明专利]基于通电时间的数据重新定位-CN201980077155.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;R·C·帕迪拉;S·K·瑞特南;S·谢里菲·德黑兰尼;P·菲利;K·R·布兰特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：确定多个数据块的第一数据块上的第一数据的总经估计占用值。为了确定所述第一数据块的所述总经估计占用值，确定所述第一数据块的总块通电时间POT值。然后，将缩放因子应用于所述总块POT值以确定所述第一数据块的所述总经估计占用值。确定所述第一数据块的所述总经估计占用值是否满足阈值准则。响应于确定所述第一数据块的所述总经估计占用值满足所述阈值准则，将存储在所述第一数据块处的数据重新定位到所述多个数据块中的第二数据块。
基于通电时间数据重新定位

[发明专利]读取干扰扫描合并-CN201980077691.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;H·R·桑吉迪;S·诺埃尔;V·P·拉亚普鲁;S·K·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：存储器系统中的处理装置确定存储器组件的第一平面上的第一数据块的第一读取计数满足第一阈值准则。所述处理装置进一步确定所述存储器组件的第二平面上的第二数据块的第二读取计数是否满足第二阈值准则，其中所述第二块与所述第一块相关联，且其中所述第二阈值准则小于所述第一阈值准则。响应于所述第二读取计数满足所述第二阈值准则，所述处理装置执行多平面扫描以并行地确定所述第一数据块的第一错误率和所述第二数据块的第二错误率。
读取干扰扫描合并

[发明专利]在低密度存储器系统上实施容错页条带-CN202011606424.4在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;M·A·赫尔姆;G·普齐利;P·菲利;Y·刘;V·莫斯基亚诺;合田晃;S·K·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及在低密度存储器系统上实施容错页条带。一种实例存储器子系统包括：存储器装置；以及操作性地与所述存储器装置耦合的处理装置。所述处理装置被配置成：接收第一主机数据项目；将所述第一主机数据项目存储在存储器装置的第一逻辑单元的第一页中，其中所述第一页与容错条带相关联；接收第二主机数据项目；将所述第二主机数据项目存储在所述存储器装置的所述第一逻辑单元的第二页中，其中所述第二页与所述容错条带相关联，且其中所述第二页由包含不存储主机数据的虚设字线的一或多个字线与所述第一页分隔；以及将与所述容错条带相关联的冗余元数据存储在所述存储器装置的第二逻辑单元的第三页中。
密度存储器系统实施容错条带

[发明专利]存储器子系统处的数据块切换-CN202011528569.7在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;P·菲利;S·K·瑞特南;K·R·布兰特;C·M·斯坦梅茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及存储器子系统处的数据块切换。可以第一写入模式将主机数据写入到存储器子系统的第一部分。可接收到所述存储器子系统的第二部分的数据块可用于以第二写入模式进行写入的指示。响应于接收到所述指示，确定将所述主机数据的第二部分写入到所述第二部分的所述数据块。响应于确定将所述主机数据的所述第二部分写入到所述第二部分的所述数据块，在以所述第一写入模式封闭第一可用数据块之前以所述第二写入模式将所述主机数据的所述第二部分写入到第二可用数据块。
存储器子系统数据切换

[发明专利]NAND装置及其操作方法-CN201880078167.6有效
发明人： K·坦派罗;J·黄;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G06F12/0868 文献下载
摘要：在一些实例中揭示系统、方法、NAND存储器装置及用于智能SLC高速缓存迁移过程的机器可读媒体，所述智能SLC高速缓存迁移过程基于一组规则将写入到SLC高速缓存的数据移动到MLC存储装置，所述一组规则是使用所述NAND装置的状态进行评估。在一些实例中，所述SLC高速缓存迁移过程可利用数个NAND操作参数确定何时将写入到SLC高速缓存的所述数据移动到MLC、从SLC移动多少数据到MLC及用于移动所述数据的参数。
nand 装置及其操作方法

[发明专利]选择性读取扰动取样-CN202011496084.4在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;H·R·桑吉迪;R·C·帕迪拉;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;S·K·瑞特南 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及选择性读取扰动取样。存储器系统中的处理装置维持计数器以跟踪对存储器装置的数据块执行的读取操作的数目，且确定对所述数据块执行的读取操作的所述数目满足第一阈值准则。所述处理装置进一步确定对所述数据块执行扫描操作的数目是否满足扫描阈值准则。响应于对所述数据块执行的扫描操作的所述数目满足所述扫描阈值准则，所述处理装置执行第一数据完整性扫描以确定所述数据块的一或多个第一错误率，所述一或多个第一错误率中的每一个对应于所述数据块的第一组字线，所述第一组包括邻近字线的第一交替对。
选择性读取扰动取样

[发明专利]用于筛选容易出现缺陷的存储器块的基于度量的反应性读取-CN201980074189.X在审
发明人： H·R·桑吉迪;V·P·拉亚普鲁;K·K·姆奇尔拉;J·黄;罗贤钢;A·马尔谢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：各种应用可包含用于抢先检测存储器装置中的容易出现缺陷的存储器块并且在这些存储器块发生故障并触发数据丢失事件之前处理这些存储器块的设备及/或方法。基于存储器操作的度量可用于促进所述存储器块的检查。可跟踪与存储器块上的存储器操作相关联的一或多个度量并且可产生每个度量的Z分数。响应于度量的Z分数与所述度量的Z分数阈值的比较，可执行操作以控制从所述比较开始的所述存储器块的可能引退。公开了另外的设备、系统及方法。
用于筛选容易出现缺陷存储器基于度量反应读取

[发明专利]数据单元的基于回归的校准及扫描-CN202011402501.4在审
发明人： V·P·拉亚普鲁;H·R·辛吉迪;A·马尔谢;S·K·瑞特南;林其松;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请涉及数据单元的基于回归的校准及扫描。可执行读取操作以读取存储在数据块处的数据。可基于所述多个读取操作确定在与所述数据块相关联的一对编程分布之间的间隔的参数。可接收读取存储在所述数据块处的所述数据的读取请求。响应于接收到所述读取请求，可基于反映在与所述数据块相关联的所述一对编程分布之间的分离的参数执行读取操作，以读取存储在所述数据块处的所述数据。
数据单元基于回归校准扫描

[发明专利]管理针对临时操作条件的块引退-CN202011132140.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·K·瑞特南;S·A·斯托勒;P·A·汤姆森;K·R·布兰特;M·S·汉密尔顿;C·S·哈立 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本申请案涉及管理针对临时操作条件的块引退。存储器系统中的处理装置检测存储器组件的块中的数据丢失发生。所述处理装置识别与所述存储器组件的所述块中的所述数据丢失发生相关联的行为准则。所述处理装置进一步响应于所述行为准则的发生而使与所述块相关联的计数器递增，其中所述计数器的值对应于与所述块中的数据丢失发生相关联的多个行为准则的发生的数目。响应于确定所述计数器的所述值满足第一阈值准则，所述处理装置将所述块指定为被隔离块，执行对所述块的多个应力测试中的应力测试，并且响应于所述块未通过第一应力测试，所述处理装置引退所述存储器组件的所述块。
管理针对临时操作条件引退

[发明专利]具有包含静态及动态单元的混合高速缓冲存储器的存储器装置及电子系统以及相关方法-CN201780057208.9有效
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;S·K·瑞特南;P·菲利;M·G·米勒;C·S·哈立;R·C·帕迪拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G06F12/0873 文献下载
摘要：一种具有存储器控制器的存储器装置经配置以操作混合高速缓冲存储器，所述混合高速缓冲存储器包含具有XLC块的动态高速缓冲存储器及具有SLC块的静态高速缓冲存储器。所述存储器控制器经配置以停用所述静态高速缓冲存储器或所述动态高速缓冲存储器中的至少一者。一种操作存储器装置的方法包含：将存储器阵列划分成SLC块的第一部分及XLC块的第二部分；将主机数据的至少一部分存储到作为静态高速缓冲存储器的SLC块的所述第一部分中；及响应于确定主机数据突发大于所述静态高速缓冲存储器可处置的量而将所述主机数据的至少另一部分存储到在SLC模式中作为动态高速缓冲存储器的XLC块的所述第二部分中。还描述额外存储器装置、方法及计算机系统。
具有包含静态动态单元混合高速缓冲存储器存储器装置电子系统以及相关方法

[发明专利]存储器子系统处的错误控制操作的优先级排序-CN202010783801.5在审
发明人： V·P·拉亚普鲁;H·R·辛吉迪;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;罗贤钢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统处的错误控制操作的优先级排序。可确定存储器存取操作已失败。可做出关于第一错误控制操作的执行是否已补救所述存储器存取操作的所述失败的确定。响应于确定所述第一错误控制操作已补救所述存储器存取操作的所述失败，可基于已补救所述失败的所述第一错误控制操作来针对已失败的后续存储器存取操作改变多个经优先级排序错误控制操作中的一或多个经优先级排序错误控制操作的执行次序。
存储器子系统错误控制操作优先级排序

[发明专利]用于数据完整性扫描的读取计数缩放因子-CN202010768291.4在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢;V·P·拉亚普鲁;H·R·辛吉迪;G·S·阿尔萨斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请案涉及用于数据完整性扫描的读取计数缩放因子。存储器系统中的处理装置从主机系统接收第一读取请求，其中所述第一读取请求被引导到存储于存储器组件的块中的第一地址处的第一数据。所述处理装置确定所述第一地址位于所述块的第一区内并且使所述块的读取计数器递增默认量。所述处理装置进一步从所述主机系统接收第二读取请求，其中所述第二读取请求被引导到存储于所述存储器组件的块中的第二地址处的第二数据，确定所述第二地址位于所述块的第二区内并且使所述块的所述读取计数器递增经缩放量。
用于数据完整性扫描读取计数缩放因子

[发明专利]读取错误恢复-CN201980038939.8在审
发明人：罗贤钢;H·R·桑吉迪;罗婷;K·K·姆奇尔拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：公开系统和方法，其包含将用于一组码字CW的错误恢复数据结构保存在存储系统中；以及使用一组错误处置EH步骤对所述组CW执行错误恢复，直到所述组CW中的每一CW在所述错误恢复数据结构中指示为可校正为止。所述错误恢复可包含：确定所述组CW中的每一CW是否可通过EH步骤来校正；将确定CW可通过所述EH步骤来校正的指示存储在所述错误恢复数据结构中；确定所述组CW中的一或多个CW在所述错误恢复数据结构中是否不指示为可校正，以及响应于确定所述组CW中的一或多个CW在所述错误恢复数据结构中不指示为可校正，递增所述特定EH步骤。
读取错误恢复