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- [发明专利]具有高分辨率的信号接收-CN202210765975.8在审
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H·韦伯;F·梅斯尔
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B和R工业自动化有限公司
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2022-06-30
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2023-01-03
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H04J3/06
- 为了给出一种灵活的用于由实时网络(1)的用户(12)接收信号(S)的方法，其中，所述信号(S)具有带有信号时钟频率(f11)的信号时钟(ZT11)，并且所述用户(12)包括计数器(Z2)，该计数器具有带有计数器时钟频率(f2)的计数器时钟(ZT2)并且映射用户(12)的本地时间(t2)，用户(12)的接收计数器(Z20)的接收时钟(ZT20)设置用于对信号(S)进行采样，其中，接收时钟(ZT20)由计数器时钟(ZT2)推导出，以此接收计数器(Z20)映射用户(12)的本地时间(t2)。接收时钟(ZT20)的相位在由计数器时钟(ZT2)推导出的情况下与信号时钟(ZT11)的相位相匹配，并且以接收计数器(Z20)的接收时钟频率(f20)对信号(S)进行采样。
- 具有高分辨率信号接收
- [发明专利]包括沟槽结构的半导体器件-CN202210289294.9在审
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H·韦伯;D·卡默兰德;A·里格勒
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英飞凌科技奥地利有限公司
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2022-03-23
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2022-09-27
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H01L29/423
- 包括沟槽结构的半导体器件。提出了一种半导体器件。半导体器件（100）的示例包括具有第一主表面（104）的半导体本体（102）。沟槽结构（106）从第一主表面（104）延伸到半导体本体（102）中。沟槽结构（106）包括沟槽电极结构（108）和沟槽电介质结构（110）。沟槽电介质结构（110）包括沟槽电介质结构（110）的上部（110a）中的栅极电介质（1101）和沟槽电介质结构（110）的下部（110b）中的间隙（1102）。半导体器件（100）还包括在沟槽电介质结构（110）的上部（110a）中的沟槽结构（106）的侧壁（114）处与栅极电介质（1101）邻接的本体区（112）。栅极电介质（1101）沿着侧壁（114）比本体区（112）更深地延伸到半导体本体（102）中。
- 包括沟槽结构半导体器件
- [发明专利]微机械构件-CN202111413608.3在审
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H·韦伯;P·施莫尔格鲁贝尔;T·弗里德里希
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罗伯特·博世有限公司
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2021-11-25
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2022-05-27
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B81B1/00
- 一种微机械构件(100)，其具有：‑覆盖元件(10)；‑布置在所述覆盖元件(10)的下方的腔体(20)；‑至少一个垂直蚀刻通道(11)，其布置在所述覆盖元件(10)的锚固结构之外；‑至少一个横向蚀刻通道(12a...12n)，其从所述至少一个垂直蚀刻通道(11)出发设置在蚀刻停止层(3)的下方和所述腔体(20)的下方并布置在所述蚀刻停止层(3)与硅衬底(1)之间；和‑至少一个通路蚀刻通道(3a1...3an)，其构造在所述至少一个横向蚀刻通道(12a...12n)与所述腔体(20)之间。
- 微机构件
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