[发明专利]用于操作功率晶体管电路的方法在审
| 申请号： | 202310429663.4 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116938209A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | C·法赫曼;M-A·库查克;O·维登鲍尔;W·凯因德尔;H·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0814 | 分类号： | H03K17/0814;H03K17/687 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
公开了一种用于操作功率晶体管电路的方法。该方法包括关断电子电路中的功率晶体管电路(1)。该电子电路包括电源(2)、负载电路(3)以及连接于电源(2)和负载电路(3)之间的功率晶体管电路(1)。关断功率晶体管电路(1)包括使功率晶体管电路(1)中包括的至少一个功率晶体管(10；10 |
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| 搜索关键词： | 用于 操作 功率 晶体管 电路 方法 | ||
【主权项】：
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- C·C·戴维森 - 通用电气技术有限公司
- 2014-06-10 - 2019-04-26 - H03K17/0814
- 在HVDC电力转换器的领域中，需要一种改进的半导体开关串，其避免了与表现出不同性能特性且在其性能上具有固有限制的各个半导体开关元件相关的困难。一种半导体开关串(100)，用在HVDC电力转换器中，包括多个串联连接的半导体开关组件(10；70；110)。每个半导体开关组件(10；70；110)具有主半导体开关元件(12)，该主半导体开关元件(12)包括第一和第二连接端子(14，16)，当主半导体开关元件(12)被接通时，在第一连接端子(14)与第二连接端子(16)之间，电流从第一端子(14)向第二端子(16)流动。主半导体开关元件(12)还具有辅助半导体开关元件(28；72；112)，电连接在主半导体开关元件(12)的第一与第二连接端子(14，16)之间。每个半导体开关组件(10；70；110)还包括控制单元(30)，其可操作地与每个辅助半导体开关元件(28；72；112)连接。所述控制单元或每个控制单元(30)被配置为接通各个辅助半导体开关元件(28；72；112)以在与其相关的第一连接端子(14)与第二连接端子(16)之间选择性地建立替代电流路径(32；114，116)，由此电流被转向为通过替代电流路径(32；114，116)流动，以减少对应的主半导体开关元件(12)两端的电压。所述控制单元或每个控制单元(30)还被配置为当对应的主半导体开关元件(12)两端的电压与来自半导体开关串(100)中的所有所述主半导体开关元件(12)两端的电压的电压基准不同时，接通所述各个辅助半导体开关元件(28；72；112)。
- 桥式电路及其元件-201510140463.2
- 詹姆斯·霍尼亚;吴毅锋 - 特兰斯夫公司
- 2009-02-10 - 2018-10-26 - H03K17/0814
- 桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥，所述半桥具有至少一个晶体管，所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道，所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压，所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流，所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
- 智能控制IGBT输出的驱动电路-201820333893.5
- 阳孝发;姜宗军 - 宁波申菱机电科技股份有限公司
- 2018-03-12 - 2018-10-12 - H03K17/0814
- 本实用新型公开了一种智能控制IGBT输出的驱动电路，包括DSP处理器、光电耦合器和绝缘栅双极型晶体管,所述耦合器的FAULT引脚经电阻R2连接处理器的信号输入端，耦合器的CATHODE引脚和CATHODE引脚经电阻R4连接处理器的PWM波信号输出端,耦合器的VE引脚连接晶体管的S端,耦合器的DESAT引脚经电阻R8、二极管D3、二极管D4连接晶体管的D端，耦合器的VOUT引脚经电阻R10连接晶体管的G端，本实用新型有效的控制了IGBT 工作电流最大值达到额定电流，实现了各种情况下造成IGBT过流的保护。
- 具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关-201611140216.3
- 田泽;惠晓强;杨宁;邵刚;刘敏侠 - 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所
- 2016-12-12 - 2018-10-02 - H03K17/0814
- 本发明属于集成电路设计领域，涉及一种具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关，包括：N沟道MOSFET，其特征在于，还包括驱动N沟道MOSFET的电荷泵、均流检测和控制电路、工作模式控制/故障状态寄存器和控制逻辑电路。本发明通过集成电路的手段，将低边功率开关技术、过流过压过热保护技术、串行通信技术、负载均流技术结合起来实现具有PHM功能的可并联配置的智能低边功率开关。它实现了功率器件的完善保护，故障模式和信息获取、为PHM提供信息，针对不同的负载进行在线可配置，为自适应接口和智能远程接口单元提供技术手段和物理基础。
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