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[发明专利]用于垂直功率晶体管的终端区域架构-CN201680067333.3在审
发明人： T·E·哈林顿;J·V·施波恩海默;屈志军 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种垂直功率切换装置，例如垂直超级结金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，其中集成电路的拐角中的终端结构经拉伸以有效地塑形横向电场。所述装置中的终端结构包含例如掺杂区域、场板、绝缘体薄膜及高电压导电区域及处于经施加衬底电压的元件的特征。这些终端结构的边缘根据二阶平滑非圆形解析函数来塑形及放置，以便与恒定距离路径相比从所述装置的核心区域更深入延伸到裸片拐角中。本发明还揭示所述终端区域中的电浮动护环，以抑制寄生p‑n‑p‑n结构的触发。
终端结构终端区域拐角塑形金属氧化物半导体垂直功率晶体管场效晶体管绝缘体薄膜掺杂区域衬底电压垂直功率导电区域核心区域横向电场恒定距离解析函数切换装置超级结电浮动非圆形高电压有效地平滑场板触发二阶护环寄生拉伸裸片集成电路架构垂直施加延伸

[发明专利]在垂直功率半导体装置中的源极－栅极区域架构-CN201680067249.1在审
发明人： T·E·哈林顿 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有到源极及本体区域的经改进接触的垂直漂移金属氧化物半导体VDMOS晶体管及一种制造所述VDMOS晶体管的方法。所述源极区域到相反类型的本体区域中的掩蔽离子植入界定本体接触区域的位置，随后使用毯覆式植入而植入所述本体接触区域。所述源极区域及本体接触区域的表面是硅化物包层，且沉积及平坦化上覆绝缘体层。接触开口经形成穿过所述平坦化绝缘体层，在所述接触开口内形成导电插塞以接触所述金属硅化物及因此所述装置的所述源极及本体区域。金属导体整体经形成到所要厚度且接触所述导电插塞以将偏置提供到所述源极及本体区域。
源极接触区域植入导电插塞接触开口绝缘体层源极区域平坦化金属氧化物半导体漂移掩蔽半导体装置金属硅化物垂直功率金属导体偏置提供相反类型栅极区域硅化物毯覆式包层界定沉积离子架构垂直穿过制造改进

[发明专利]用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法-CN201810153423.5在审
发明人： T.E.哈林顿三世 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能或更低的效率来设计他们的系统。公开了一种用于针对垂直半导体器件实现所期望目标规格的体系结构和方法。阈值电压的精确微调改进了导通电阻和开关时间两者的达到目标。栅极电阻的精确微调还改进了开关时间的达到目标。器件的有效宽度的精确微调改进了导通电阻和电流携载能力两者的达到目标。器件参数被微调以改进单个器件，或者达到参数规格的目标来匹配在两个或更多器件上的规格。
微调垂直半导体器件改进导通电阻体系结构垂直器件单个器件功率效率目标筛选期望目标器件参数系统建构有效宽度栅极电阻阈值电压分立半导体匹配期望

[发明专利]用于改进垂直场效应器件的封装的器件体系结构和方法-CN201380071298.9有效
发明人： T.E.哈林顿;R.K-C.杨 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：公开了半导体场效应器件，其利用与八边形或逆八边形栅极沟槽组合的八边形或逆八边形深沟槽超结。场效应器件实现了改进的封装密度、改进的电流密度以及改进的导通电阻，同时保持与本地的光掩模处理的45°角度的倍数的可兼容性，并且具有良好地特征化的（010）、（100）以及（110）（及其等效的）硅侧壁表面，用于选择性的外延重新填充以及栅极氧化，从而导致改进的可缩放性。通过使每个侧壁表面的相对长度变化，可以在没有附加的处理步骤的情况下实现具有不同阈值电压的器件。将沟槽与变化的侧壁长度混合还考虑到选择性外延重新填充期间的应力平衡。
八边形改进封装填充半导体场效应相对长度变化场效应器件光掩模处理选择性外延侧壁表面导通电阻可缩放性体系结构应力平衡栅极沟槽阈值电压垂直场硅侧壁兼容性深沟槽特征化侧壁超结

[发明专利]垂直功率器件内的表面器件-CN201680024714.3在审
发明人： T.E.哈林顿三世;Z.屈 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体器件包括垂直功率器件，诸如超级结MOSFET、IGBT、二极管等，以及表面器件，所述表面器件包括沿半导体器件的顶部表面有电活性的一个或多个横向器件。
垂直功率器件表面

[发明专利]用于垂直场效应器件的温度补偿的器件架构和方法-CN201480027352.4在审
发明人： T.E.哈林顿 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：公开了一种提供接通电阻根据结温度变化减小的场效应器件。具有源结、栅结和漏结的场效应器件包括邻近于漏结的电阻薄膜，其中，该电阻薄膜包括具有电阻负温度系数的材料。该材料选自由掺杂的多晶硅、非晶硅、硅铬和硅镍所组成的组的一个或多个材料，其中，诸如厚度和掺杂水平之类的材料性质被选择，以产生用于场效应器件的期望电阻和温度分布。与用于没有电阻薄膜的类似场效应器件的温度变化相比，减小了用于所公开的场效应器件的接通电阻的温度变化。
用于垂直场效应器件温度补偿架构方法

[发明专利]用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法-CN201380071294.0在审
发明人： T.E.哈林顿三世 -专利权人： D3半导体有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能或更低的效率来设计他们的系统。公开了一种用于针对垂直半导体器件实现所期望目标规格的体系结构和方法。阈值电压的精确微调改进了导通电阻和开关时间两者的达到目标。栅极电阻的精确微调还改进了开关时间的达到目标。器件的有效宽度的精确微调改进了导通电阻和电流携载能力两者的达到目标。器件参数被微调以改进单个器件，或者达到参数规格的目标来匹配在两个或更多器件上的规格。
用于垂直半导体器件精度提高器件体系结构方法

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