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[发明专利]形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法-CN202110393910.0有效
发明人： R·埃斯特夫;T·艾钦格;W·伯格纳;D·屈克;D·彼得斯;R·西明耶科 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。
形成具有屏蔽栅极碳化硅器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201910186229.1有效
发明人： R·西明耶科;W·伯格纳;R·埃斯特夫;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(101、102)。该至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)和布置在源极区域(12)与漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)和在二极管区域(30)与漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(1101)、与第一侧壁相对的第二侧壁(1102)、和底部(1103)；其中本体区域(13)与第一侧壁(1101)邻接，二极管区域(30)与第二侧壁(1102)邻接，并且pn结与沟槽的底部(1103)邻接；栅极电极(21)，布置在沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与本体区域(13)、二极管区域(30)和漂移区域(11)介电绝缘；其中二极管区域(30)包括布置在沟槽的底部(1103)下方的下二极管区域；并且其中下二极管区域包括与沟槽的底部(1103)远离的掺杂浓度最大值。
半导体器件

[发明专利]形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法-CN201510917326.5有效
发明人： R·埃斯特夫;T·艾钦格;W·伯格纳;D·屈克;D·彼得斯;R·西明耶科 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法，其中，提供了一种碳化硅半导体衬底，其具有彼此横向间隔开并且在主表面之下的多个第一掺杂区域，以及形成从主表面延伸到在第一掺杂区域之上的第三掺杂区域的第二掺杂区域。形成从主表面延伸到第一掺杂区域的第四掺杂区域。形成具有布置在第一掺杂区域中的一个区域的一部分之上的底部的栅极沟槽。对衬底应用高温步骤从而沿着沟槽的侧壁对碳化硅原子进行重排列并且在栅极沟槽中形成圆角。从衬底去除在高温步骤期间沿着栅极沟槽的侧壁形成的表面层。
形成具有屏蔽栅极碳化硅器件方法

[发明专利]具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件-CN201710368872.7有效
发明人： R·西明耶科;T·艾钦格;W·伯格纳;R·埃斯特夫;K·费尔德拉普;D·屈克;D·彼得斯;R·拉普;C·施特伦格;B·齐佩利乌斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。
具有沟槽栅极结构宽带半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510267326.5有效
发明人： R·西明耶科;W·伯格纳;R·埃斯特夫;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(10₁、10₂)。该至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)和布置在源极区域(12)与漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)和在二极管区域(30)与漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(110₁)、与第一侧壁相对的第二侧壁(110₂)、和底部(110₃)；其中本体区域(13)与第一侧壁(110₁)邻接，二极管区域(30)与第二侧壁(110₂)邻接，并且pn结与沟槽的底部(110₃)邻接；栅极电极(21)，布置在沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与本体区域(13)、二极管区域(30)和漂移区域(11)介电绝缘；其中二极管区域(30)包括布置在沟槽的底部(110₃)下方的下二极管区域；并且其中下二极管区域包括与沟槽的底部(110₃)远离的掺杂浓度最大值。
半导体器件

[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法-CN201710911179.X在审
发明人： R·拉普;C·黑希特;J·康拉斯;W·伯格纳;H-J·舒尔策;R·埃尔佩尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。
碳化硅器件用于形成方法

[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法-CN201410113715.8有效
发明人： R·拉普;C·黑希特;J·康拉斯;W·伯格纳;H-J·舒尔策;R·埃尔佩尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。
碳化硅器件用于形成方法

[发明专利]一种在硅基质中成形内埋板的方法-CN99103647.6无效
发明人： B·弗利德纳;W·伯格纳 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-03-09 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种在硅基质中成形内埋板的方法，该方法使用在其中刻有深沟的硅基质。在所述沟中形成高度掺杂的多晶硅层。然后在所述沟中在所述多晶硅层上面形成一个氮化物层。在形成所述多晶硅层和所述氮化物层之后，将多晶硅层和氮化物层从所述沟的侧壁的某些最上面部分除去。以露出位于所述侧壁的最上面部分的硅基质。在露出位于所述侧壁最上面部分的外露的硅基质上形成一个环形氧化物层，从而防止所述多晶硅层的任何边缘因蚀刻步骤而外露。
一种基质成形内埋板方法

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