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[发明专利]具有钙钛矿膜的晶体管器件-CN202211462449.0在审
发明人： A·森古普塔;J·J·普罗姆伯恩;D·E·尼科诺夫;K·P·奥布莱恩;I·A·扬;M·V·梅茨;C-C·林;S·B·克伦德宁;P·德巴什;C·L·罗根;B·J·霍利比;K·奥乌兹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：本文描述了使用钙钛矿材料形成的集成电路器件。可以将具有类似晶体结构和不同电性质的钙钛矿材料分层以实现晶体管或存储器器件。在一些实施例中，铁电钙钛矿可以结合到具有其他钙钛矿膜的器件中以形成铁电存储器器件。
具有钙钛矿膜晶体管器件

[发明专利]基于铁电氧化物和铁电单硫族化合物的电容器-CN202211424667.5在审
发明人： C-C·林;T·A·戈萨维;U·E·阿维奇;S-C·常;H·李;D·E·尼科诺夫;K·奥乌兹;A·V·佩努马季哈;J·J·普罗姆伯恩;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开涉及基于铁电氧化物和铁电单硫族化合物的电容器。第一种类型的铁电电容器包括电极和绝缘层，电极和绝缘层包括铁电氧化物。在一些实施例中，电极和绝缘层包括钙钛矿铁电氧化物。第二种类型的铁电电容器包括包含特定单硫族化合物的铁电绝缘层。这两种类型的铁电电容器都可以具有小于一伏的矫顽电压。对于下一代半导体制造技术而言，此类电容器具有被用于低电压非易失性嵌入式存储器的吸引力。
基于氧化物铁电单硫族化合物电容器

[发明专利]具有压电选择器的交叉点磁性随机存取存储器-CN201680086224.6有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：描述了一种磁性随机存取存储器(MRAM)位单元的三维(3D)阵列，其中，所述阵列包括由下述部分构成的网格：沿第一轴延伸的第一互连；沿第二轴延伸的第二互连；以及沿第三轴延伸的第三互连，其中，所述第一轴、所述第二轴和所述第三轴相互正交；并且其中，所述MRAM位单元的位单元包括：包括耦合至所述第一互连的第一电极的磁性结器件；与第二电极相邻的压电(PZe)层，其中，所述第二电极耦合至所述第二互连；以及与所述PZe层和所述磁性结相邻的第一层，其中，所述第一层耦合至第三互连。
具有压电选择器交叉点磁性随机存取存储器

[发明专利]概率存储器内计算-CN202211155453.2在审
发明人：李海;D·E·尼科诺夫;P·德巴施斯;I·A·杨;M·苏贝达;O·蒂科 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06N3/0464 文献下载
摘要：本公开的实施例针对概率存储器内计算配置和布置以及用于概率存储器内计算的概率位装置（p位）的配置。新兴的概念。概率存储器内计算装置包括p位的阵列，其中每个p位被设置在水平和垂直导线处或附近。每个p位是时变电阻器，所述时变电阻器具有遵循期望的概率分布的时变电阻。每个p位的时变电阻表示随机神经网络的权重矩阵中的权重。在操作期间，输入电压被施加到水平导线，以控制通过每个p位的电流。电流在垂直导线中被累加，由此执行相应乘和累加（MAC）操作。可描述和/或要求保护其他实施例。
概率存储器计算

[发明专利]具有自旋霍尔电极和电荷互连的自旋逻辑-CN201580082333.6有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;A·乔杜里;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：描述了一种装置，其包括：输入铁磁体，所述输入铁磁体用于接收第一电荷流并产生第一自旋电流；第一层，所述第一层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第一自旋电流转换为第二电荷流，其中，所述第一层的至少一部分耦合到所述输入铁磁体；和第二层，所述第二层被配置为经由自旋轨道耦合(SOC)将所述第二电荷流转换为第二自旋电流。
具有自旋霍尔电极电荷互连逻辑

[发明专利]用于逻辑器件和存储器件的金属自旋超晶格-CN201580080352.5有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;A·乔杜里;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C11/155 文献下载
摘要：描述了一种装置，包括：输入铁磁体，其接收第一充电电流并生成对应的自旋电流；以及金属层叠置体，其被配置为将对应的自旋电流转换为第二充电电流，其中，所述金属层叠置体耦合至所述输入磁体。
用于逻辑器件存储金属自旋晶格

[发明专利]自存储和自恢复非易失性静态随机存取存储器-CN201680012419.6有效
发明人： S·汤米施玛;D·E·尼科诺夫;E·V·卡尔波夫;I·A·扬;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：描述了一种装置，其包括：具有集成在SRAM单元内的至少两个非易失性(NV)电阻式存储器元件的静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及将存储在SRAM单元中的数据自存储到至少两个NV电阻式存储器元件的第一逻辑。提供了一种方法，其包括：当施加到SRAM单元的电压降低到阈值电压时执行自存储操作以将SRAM单元的电压状态存储到至少两个非NV电阻式存储器元件，其中至少两个NV电阻式存储器元件与SRAM单元集成在一起；以及当施加到SRAM单元的电压增加到阈值电压时通过将数据从至少两个NV电阻式存储器元件复制到SRAM单元的存储节点来执行自恢复操作。
存储恢复非易失性静态随机存取存储器

[发明专利]磁电器件和互连件-CN201480083511.2有效
发明人： D·E·尼科诺夫;S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种互连件，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部，其中所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部。描述了一种多数逻辑门器件，其包括：铁磁层；以及耦合到所述铁磁层的第一、第二、第三和第四磁电材料层。描述了一种设备，其包括：具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部；以及具有耦合到铁磁层的隧道结器件的第二端部。描述了一种设备，其包括：耦合到隧道结器件的第一端子；耦合到将隧道结器件和磁电器件耦合的层的第二端子；以及耦合到所述磁电器件的第三端子。
磁电器件互连

[发明专利]由每个能够存储两个以上状态的多个存储设备组成的宏存储单元-CN202010217097.7在审
发明人： I·A·扬;D·E·尼科诺夫;E·V·卡尔波夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种装置。该装置包括具有第一存储设备和第二存储设备的宏存储单元。第一和第二存储设备均能够存储两个以上的状态。宏存储单元存储多个值，这些值是从第一和第二存储设备分别存储的状态的组合得出的。
每个能够存储两个以上状态设备组成单元

[发明专利]应变辅助自旋力矩翻转自旋转移力矩存储器-CN201480081445.5有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;A·汗;R·金;T·加尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：描述了一种设备，其包括：磁性隧道结(MTJ)，所述MTJ具有自由磁性层；压电层；以及导电应变传递层，所述导电应变传递层耦合至所述自由磁性层和所述压电层。描述了一种方法，其包括：利用电压驱动的电容性刺激来激励压电层；以及经由应变辅助层写入至耦合至所述压电层的MTJ。还描述了一种设备，其包括：晶体管；导电应变传递层，所述导电应变传递层耦合至所述晶体管；以及MTJ器件，所述MTJ器件具有耦合至所述导电应变传递层的自由磁性层。
应变辅助自旋力矩翻转转移存储器

[发明专利]用于从原位沉积的磁性叠层制造自旋逻辑器件的方法-CN201480083526.9有效
发明人： D·J·米夏拉克;S·马尼帕特鲁尼;J·S·克拉克;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种方法，包括：在衬底或模板上形成磁体，所述磁体具有界面；在所述磁体的界面上形成非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和非磁体导电材料的层。描述了一种装置，包括：形成在衬底或模板上的磁体，所述磁体在结晶、电磁或热力条件下形成，所述磁体具有界面；以及形成在磁体的界面上的非磁体导电材料的第一层，使得原位形成所述磁体和所述非磁体导电材料的层。
用于原位沉积磁性制造自旋逻辑器件方法

[发明专利]具有可调强度的耦合自旋霍尔纳米振荡器-CN201480079051.6有效
发明人： S·S·玛尼帕特鲁尼;G·I·布里阿诺夫;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：描述的是一种振荡装置，其包括：具有自旋耦合材料(例如自旋霍尔效应(SHE)材料)的互连；及具有两个磁性层的磁性叠层，使得所述磁性层中的一个耦合到所述互连，其中，所述两个磁性层中的每一个具有各自的磁化方向以使得所述磁性叠层振荡。
具有可调强度耦合自旋霍尔纳米振荡器

[发明专利]具有包括晶态合金的金属接触部的半导体器件-CN201780094562.9在审
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;U·E·阿维奇;C·J·维甘德;A·乔杜里;J·S·沙瓦拉;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了用于形成包括源极接触部和漏极接触部以及栅电极中的一个或多个(其包括含有过渡金属的晶态合金)的半导体集成电路的技术。所述晶态合金有助于降低对于半导体器件的接触电阻。在本公开的一些实施例中，这一接触电阻的降低是通过使晶态合金的功函数与源极区和漏极区的功函数对齐，使得与晶态合金与源极区之间的界面和晶态合金与漏极区之间的界面相关联的肖特基势垒高度处于小于或等于0.3eV的范围内而实现的。
具有包括晶态合金金属接触半导体器件

[发明专利]具有可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管-CN201480076343.4有效
发明人： U·E·阿维奇;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了包括可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。在一些实施例中，可以通过诸如电压或电场等力的施加或撤除的至少其中之一来动态改变可变带隙沟道的一个或多个带隙特性。在一些实施例中，可变带隙沟道可以被配置为响应于力的施加和/或撤除而从导通调制到截止状态，反之亦然。可变带隙沟道在导通状态中可以呈现出比在截止状态中更小的带隙。结果，TFET可以呈现出相对高的导通电流、相对低的截止电流和低于60mV/十倍程的亚阈值摆幅中的一个或多个。
具有可变沟道场效应晶体管

[发明专利]自旋电子逻辑元件-CN201380079248.5有效
发明人： D·E·尼科诺夫;S·马尼帕特鲁尼;M·基申维斯凯;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：实施例包括被实施为自旋逻辑器件的C元件逻辑门，所述C元件逻辑门通过利用自旋电子技术实施C元件来提供异步逻辑的紧凑且低功率的实施方式。实施例包括：包括第一接触部和第一固定磁层的第一纳米柱；包括第二接触部和第二固定磁层的第二纳米柱；以及包括第三接触部、隧道势垒和第三固定磁层的第三纳米柱；其中，(a)所述第一纳米柱、所述第二纳米柱和所述第三纳米柱都形成在自由层之上，(b)所述第三固定磁层、所述隧道势垒和所述自由磁层形成磁隧道结(MTJ)。本文描述了其它实施例。
自旋电子逻辑元件

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