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[发明专利]衬底处理方法及使用所述衬底处理方法制造的器件-CN201910445545.6有效
发明人：闵允基 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法以及使用所述衬底处理方法制造的器件，所述衬底处理方法及器件可改善沉积在台阶式结构上的绝缘层的蚀刻选择性。衬底处理方法包括：在台阶式结构上形成第一层，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；使所述第一层的至少一部分弱化；在所述第一层上形成第二层；以及对所述第一层与所述第二层实行各向同性蚀刻工艺。
衬底处理方法使用制造器件

[发明专利]衬底处理方法-CN201810841057.2有效
发明人：金永勋;崔钟完;禹正俊;柳太熙 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种衬底处理方法，当在具有阶梯结构的VNAND装置上选择性地形成阻挡层时，所述衬底处理方法能够防止由蚀刻溶液导致的对阶梯结构的一部分的过度蚀刻。衬底处理方法包含：交替地堆叠第一绝缘层以及第二绝缘层；通过蚀刻堆叠的第一绝缘层以及第二绝缘层来形成阶梯式结构，所述阶梯式结构具有上表面、下表面以及使上表面连接到下表面的侧表面；使阶梯式结构致密；在致密化的第二绝缘层上形成阻挡层；以及对包含第二绝缘层以及阻挡层的牺牲字线结构的至少一部分执行各向同性蚀刻。在于各向同性蚀刻步骤处蚀刻阻挡层期间，第二绝缘层并不经蚀刻或经略微蚀刻到可忽略的程度。
衬底处理方法

[发明专利]衬底处理系统-CN201910537169.3有效
发明人：闵允基;金永勋;李学周;千承珠 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种用于提高工艺生产率的衬底处理系统。就此来说，所述衬底处理系统包括：第一室，提供在其中容置至少一个衬底的空间；第二室，被配置为将至少一个衬底转移到所述第一室；以及温度控制单元，被配置为改变所述第二室中的气体的温度。
衬底处理系统

[发明专利]衬底处理方法和使用其制造的半导体装置-CN201810379780.3有效
发明人：柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法和使用其制造的半导体装置。所述衬底处理方法包含将各自包含绝缘层和牺牲层的多个堆叠结构堆叠在彼此上。方法还包含通过蚀刻堆叠结构来产生阶梯结构以及在阶梯结构的侧表面上产生分离层。方法进一步包含去除牺牲层且在去除牺牲层的空间中产生导电字线结构。分离层提供在导电字线结构之间。本发明的衬底处理方法可通过在台阶式结构的选择性区域上沉积薄膜来防止或最小化可在工艺期间出现的某些风险。
衬底处理方法使用制造半导体装置

[发明专利]衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件-CN201810335908.6有效
发明人：柳太熙;闵允基;刘龙珉 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件，所述衬底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的工艺中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；及对所述堆叠结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成掩模层；通过利用第一蚀刻溶液对所述掩模层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述掩模层进行蚀刻。
衬底处理方法通过制造半导体器件

[发明专利]基板支撑装置-CN201810530514.6有效
发明人：郑相桭;韩政勳;崔永锡;朴柱赫 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种基板处理设备、基板处理方法以及基板支撑装置，其防止处理气体在高温处理中侵入基板的后表面。基板支撑装置包括支撑部分，该支撑部分被构造为与在特定温度下变形的基板的边沿去除区域具有线接触。
支撑装置

[发明专利]基板处理设备-CN201711328250.8有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理设备，包括：具有至少一个通孔的分隔件，通过所述通孔布置在所述分隔件中的导管，与所述导管连接的气体供给单元，以及设置在所述通孔的侧壁和所述导管之间的低介电材料。
处理设备

[发明专利]衬底处理装置-CN201810835270.2有效
发明人：李主日;金熙哲;金大渊 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置能够防止顶盖通过衬底处理装置的自身重量和/或由真空泵产生的真空吸引力和/或高温过程下的热冲击而在包含多个反应器的腔室中向下方下垂。并且，提供一种用于在多个反应器之间传递衬底的旋转轴。
衬底处理装置

[发明专利]基板处理设备-CN201711376999.X有效
发明人：金永勋;韩镕圭;金大渊;张显秀;李政镐 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种具有改进的均匀性和反应速度的基板处理设备。一种基板处理设备，包括：主体部分，其包括排放路径；气体供应单元，其连接到所述主体部分；第一分隔件，其从所述主体部分延伸；第二分隔件，其从所述主体部分延伸，并且布置在所述气体供应单元与所述第一分隔件之间；以及基板支撑单元，其被构造为与所述第一分隔件表面密封，其中所述第一分隔件和所述第二分隔件之间的第一区域以及所述气体供应单元和所述第二分隔件之间的第二区域连接到所述排放路径。
处理设备

[发明专利]薄膜形成方法及衬底处理装置-CN201910378791.4有效
发明人：金永宰;金永勋 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文公开了一种薄膜形成方法以及衬底处理装置。所述薄膜形成方法包括：第一操作，将源气体以第一流速供应到反应器中；第二操作，将所述反应器中的所述源气体吹洗到排气单元；第三操作，将反应气体以第二流速供应到所述反应器中；第四操作，将等离子体供应到所述反应器中；以及第五操作，将所述反应器中的所述反应气体吹洗到所述排气单元，其中，在所述第二操作到所述第五操作期间，所述源气体旁通到所述排气单元，且旁通到所述排气单元的所述源气体的流速小于所述第一流速。根据所述薄膜形成方法，源气体及反应气体的消耗可降低，且在排气单元中反应副产物的产生可最小化。
薄膜形成方法衬底处理装置

[发明专利]衬底处理设备-CN201810994464.7有效
发明人：严基喆;张显秀;李政镐;韩镕圭 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体供应单元及一种包括所述等离子体供应单元的衬底处理设备，所述等离子体供应单元包括：第一导电部分；第二导电部分，其至少一部分延伸成与所述第一导电部分交叠；以及接地屏蔽物，位于所述第一导电部分与所述第二导电部分之间。
衬底处理设备

[发明专利]基底处理方法-CN201910250125.2有效
发明人：崔丞佑 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种能够均匀地维持对基底上形成的薄膜下方的图案结构的损害的基底处理方法包含：将源材料供应到其上形成有与反应物发生反应的图案结构的基底；以及在等离子体气氛中通过供应单元的至少一个中心进气口供应反应物，其中，在反应物的供应期间，与反应物不同的阻挡材料通过与供应单元的中心进气口隔开的额外进气口供应，且基底的边缘处的阻挡材料的流量增加，从而增加基底的中心附近的反应物的自由基密度。
基底处理方法

[发明专利]衬底支撑设备、包含其的衬底处理设备以及衬底处理方法-CN201910098776.4有效
发明人：崔丞佑;李承桓;朴柱赫 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底支撑设备、包含其的衬底处理设备以及能够在不考虑反应空间的压力变化的情况下稳定地装载衬底的衬底处理方法，所述方法包含：供应惰性气体；以及通过依次且反复地供应源气体、供应反应气体以及使反应气体活化来形成薄膜，其中衬底的中心部分与基座的中心部分彼此间隔开以形成分隔空间，衬底上方的反应空间与分隔空间经由一个或多个通道彼此连通，在惰性气体的供应期间通过一个或多个通道将惰性气体引入到分隔空间，且惰性气体防止在薄膜沉积工艺期间分隔空间与反应空间之间的压力不平衡。
衬底支撑设备包含处理以及方法

[发明专利]衬底处理设备-CN201710626938.8有效
发明人：郑元基;田星训;郑东洛 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理设备，在所述衬底处理设备中，在维护/修复操作期间根据维护/修复的目的或对象来对部件进行选择性升降。所述衬底处理设备包括：腔室；第一盖体及第二盖体，位于所述腔室上；升降装置，连接到所述第一盖体并被配置成对所述第一盖体进行升降；以及连接区。当所述升降装置与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此，或者所述第一盖体与所述第二盖体通过所述连接区连接到彼此时，所述第一盖体及所述第二盖体通过所述升降装置进行升降。
衬底处理设备

[发明专利]冷却装置、气体供应装置及衬底处理设备-CN201810836604.8有效
发明人：金承煜;李主日;郑元基;郑东洛;金鸿玄 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种冷却装置、气体供应装置及衬底处理设备。所述冷却装置能够控制反应器的上部部分或更具体来说例如喷头的气体供应装置的温度的冷却装置。所述冷却装置包括被配置成均匀且有效地冷却所述气体供应装置的分隔件。
冷却装置气体供应衬底处理设备

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