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[发明专利]一种抗单粒子烧毁的SiC JFET器件结构及制备方法-CN202310798197.7在审
发明人：方星宇;舒磊;王亚坤;李同德;王亮;张彦龙;朱永钦;杜芊;鲍一豪;刘智超 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。
一种粒子烧毁 sic jfet 器件结构制备方法

[发明专利]施工质量设计规范的事件自动抽取方法-CN202310632066.1在审
发明人：黑新宏;鲍一豪;朱磊;赵钦;杨明松;何敏;孟海宁;姬文江;王一川 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F16/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种施工质量设计规范的事件自动抽取方法，包括：获取并预处理原始规范数据集；输入至预训练的语言模型中进行处理，得到预处理数据集的事件触发词识别结果；采用单触发词与多触发词分类处理方式，利用规则匹配方法和深度学习模型联合处理多触发词情况，对预处理数据集多触发词识别结果按冒号、分号、逗号顺序依次处理，并利用深度学习方法和相似度方法得到完整元事件数据集；根据聚类方法挖掘计量单位与计量词关联关系，并使用相似度方法进一步补充事件语义，提高事件表达能力。本发明通过语法匹配和深度学习结合的方法，完成规范检查数据生成，有助于增加公开的中国建筑数据集数量。
施工质量设计规范事件自动抽取方法

[发明专利]一种基于DICE的抗多节点和时钟单粒子翻转的锁存器-CN202310343632.7在审
发明人：杜芊;李同德;于春青;王亚坤;朱永钦;苑靖爽;鲍一豪;孙雨;王亮 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明一种基于DICE的抗多节点单粒子翻转和时钟信号单粒子翻转的D型锁存器。通过设计由1个C单元及延迟结构组成的输入电路，可以抵抗输入信号的单粒子瞬态脉冲；由4个时钟控制的传输单元、DICE结构组成的锁存电路和由3个C单元及1个反相器组成的输出电路，可以抵抗多节点单粒子翻转；由4个反相器组成的双时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
一种基于 dice 节点时钟粒子翻转锁存器

[发明专利]一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路-CN202310287650.8在审
发明人：苑靖爽;李同德;王亚坤;朱永钦;于春青;孙雨;鲍一豪;杜芊;王亮;王勇;赵元富 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本申请公开了一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路，包括输入输出电路、传输门电路、时钟输出电路以及冗余互锁的主从锁存器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、时钟信号以及输出数据到触发器电路的输出端Q。传输门电路用于控制信号在主从锁存器中的传播。冗余互锁的主从锁存器电路用于锁存数据以及保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本申请设计的电路，针对单粒子翻转，加固效果好，电路设计简单，易实现。
一种冗余互锁抗多位单粒子翻转触发器电路

[发明专利]一种通用的激光背辐照试验样品制备方法-CN202210601758.5在审
发明人：于春青;陈雷;李同德;王亮;郑宏超;岳素格;宋立国;孙雨;杜芊;鲍一豪 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用的激光背辐照试验样品制备方法，首先根据待测芯片管脚数目选取通用管壳；再根据待测芯片尺寸和敏感区分布决定管壳开孔方案，并根据开孔方案对通用管壳进行开孔；然后将裸芯键合到选取的已开孔的通用管壳里，使待测芯片的全部敏感区域裸漏；最后对待测芯片的全部敏感区域进行激光扫描试验。本发明简化了样品制备的方法，解决了激光不能穿透金属层对器件开展激光单粒子试验研究的问题，为集成电路开展激光背辐照试验提供支撑和指导。
一种通用激光辐照试验样品制备方法

[发明专利]一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法-CN202110336380.6在审
发明人：刘红侠;鲍一豪;王树龙;陈树鹏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法，包括：建立器件模型；根据器件模型建立SRAM电路；对SRAM电路的器件模型沿长度方向进行均匀划分以建立复合敏感体；获取SRAM电路在复合敏感体的不同入射位置和不同入射深度使SRAM电路发生翻转的LET阈值；基于LET阈值，根据预设数量的入射粒子入射复合敏感体得到使SRAM电路发生翻转的粒子数占比；根据使SRAM电路发生翻转的粒子数占比得到器件模型在不同入射能量下的翻转截面分布传递曲线。本发明进行器件单粒子蒙特卡洛仿真并且测定翻转截面的方法，模拟粒子间的相互作用，并计算能量吸收与碰撞等核物理过程，完成粒子随机过程仿真，通过进行多粒子轰击，完成随机过程的翻转截面统计。
一种基于蒙特卡洛方法 sram 粒子翻转截面预测