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[发明专利]一种分离栅闪存单元的半导体结构及其制造方法-CN201910362571.2有效
发明人：张磊;胡涛;王小川;田志;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种分离栅闪存单元的半导体结构及其制造方法。本发明所提供的分离栅闪存单元至少包括形成在衬底上的选择栅极和浮栅极，上述选择栅极的一侧形成有隔离墙，上述隔离墙的另一侧为上述浮栅极，上述隔离墙下方的衬底上部形成有离子注入区，其中上述离子注入区的离子注入类型不同于上述衬底的离子注入类型。本发明还提供了一种用以制造上述分离栅闪存单元的制造方法，本发明提供的制造方法能够兼容现有的分离栅闪存单元的制造工艺，在不增加工艺成本、工艺复杂度的情况下所制造出的分离栅闪存单元能够降低沟道反型空乏区域对沟道电流的影响，从而改善闪存单元沟道电流的特性，优化器件性能。
一种分离闪存单元半导体结构及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法-CN201910358958.0有效
发明人：顾珍;田志;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括形成自对准硅化物区域阻挡层，覆盖像素区；形成应力记忆介电层，覆盖所述像素区和像素区的栅极以及侧墙；对像素区上的应力记忆介电层进行退火处理；去除像素区上的应力记忆介电层；本发明还提供了一种CMOS图像传感器，包括半导体基底，半导体基底上包括像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区上分别形成有栅极和侧墙，所述像素区和像素区上的栅极与侧墙上形成自对准硅化物区域阻挡层，在像素区形成应力记忆介质层，通过退火将应力记忆介电层的高应力转移到像素区中，通过应力的方式能够增加近红外光产生电子的迁移率，从而增加近红外光产生电子成为信号电荷，提高近红外光的收集效率。
cmos 图像传感器形成方法

[发明专利]闪存的工艺集成结构和方法-CN201711138163.6有效
发明人：田志;钟林建;殷冠华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的工艺集成结构，闪存单元的栅极结构包括由第一栅氧化层、多晶硅浮栅、第二ONO层和多晶硅控制栅形成的叠加结构；在闪存单元阵列中的有源区和多晶硅浮栅的俯视面尺寸相同且自对准。在各多晶硅控制栅两侧的有源区中分别形成有对应源区和漏区，漏区的顶部通过接触孔连接对应列的位线上；在多晶硅栅行的表面依次形成有第三氧化硅层和第四氮化硅层。本发明还公开了一种闪存的工艺集成方法。本发明器件在多晶硅控制栅表面覆盖第四氮化硅层能减少漏区接触孔和多晶硅控制栅之间的漏电从而有利于器件尺寸缩小，同时能消除氮化硅在多晶硅控制栅的表面引入的应力缺陷以及消除逻辑区的多晶硅栅表面缺陷。
闪存工艺集成结构方法

[发明专利]分栅闪存的制造方法-CN201811630467.9有效
发明人：王小川;张磊;胡涛;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种分栅闪存的制造方法，包括：在半导体衬底中形成场氧并隔离出多个有源区，各有源区包括多条呈条形结构且互相平行的有源区行，源区对应的各行有源区行在列方向上连通成一整条并形成有源区列；形成选择栅，各选择栅呈条形列结构且互相平行；形成浮栅，浮栅形成在对应的选择栅的第一侧的有源区行上；形成擦除栅，各擦除栅覆盖在选择栅第一侧的顶部表面并延伸到浮栅的顶部；将各浮栅的和有源区列垂直的两侧面用介质层覆盖；形成光刻胶图形将有源区列、擦除栅的靠近第一侧的部分区域和第一侧外的各浮栅也打开；进行源注入。本发明能在源注入中对浮栅进行保护，防止源注入对沟道穿通产生影响，从而提高器件的性能。
闪存制造方法

[发明专利]分离栅flash器件的工艺方法-CN201811553752.5有效
发明人：王小川;张磊;田志;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离栅flash器件的工艺方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成选择栅极、浮栅、擦除栅极、栅极氧化层，以及在选择栅极的两侧形成侧墙；步骤二，以所述选择栅极的两侧侧墙为遮挡，对整个器件表面进行离子注入，形成所述flash器件的源区；步骤三，淀积多晶硅并刻蚀，形成所述flash器件的控制栅极；去除所述选择栅极的两侧的侧墙，进行整体的N型离子注入，形成所述flash器件的漏区。本发明通过刻蚀来控制选择栅极的侧墙的厚度，对漏区进行可调控的遮挡，实现对源区的无掩膜版的离子注入。
分离 flash 器件工艺方法

[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法-CN202011095029.4在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅控整流器包括：N阱和P阱形成于P型半导体衬底上部；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区形成于N阱上部；第二高浓度P型掺杂区和第二高浓度N型掺杂区形成于P阱上部；第三高浓度P型掺杂区形成于N阱和P阱分界处上方。本发明还提供了一种硅控整流器制造方法。本发明能降低电子从寄生NPN的发射极高浓度N型掺杂区注入并到达P阱/N阱界面的效率，所以能降低寄生NPN三极管的电流增益，能进一步降低寄生三极管PNP和NPN三极管的电流增益的乘积，有助于减少实现无回滞效应所需的器件关键尺寸，从而能降低器件整体尺寸，节省版图面积。
一种整流器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202011486015.5在审
发明人：王奇伟;邹荣;陈昊瑜;张金霜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种半导体结构的制备方法中，由于其是通过将存储单元区和逻辑电路区中栅极结构两侧的侧墙通过多步材料沉积以及不同的刻蚀去除来分别形成，从而既满足了存储单元区中侧墙足够薄的需求，以保证后续存储单元区中层间介质层的填充窗口，同时又满足了逻辑电路区中的侧墙足够厚的需求，以保证逻辑电路区形成的器件有足够的击穿电压窗口。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]垂直栅半导体器件的制备方法-CN202011486084.6在审
发明人：陈彩云;张磊;顾珍;董立群;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直栅半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽限定出光电二极管区和浮动扩散区；在所述沟槽中形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底的表面；对所述第一多晶硅层进行第一离子注入工艺；在所述沟槽中形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充所述沟槽并覆盖所述第一多晶硅层；对所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行第二离子注入工艺。本发明以改善图像传感器电学性能不均的现象。
垂直半导体器件制备方法

[发明专利]NOR flash单元结构及其制造方法-CN202011266794.8在审
发明人：田志;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR flash单元结构，包括形成在半导体衬底上的有源区和隔离区，自下而上顺序形成在闪存存储区有源区上的隧穿氧化硅层、浮栅极、ONO介质层和控制栅，控制栅两侧的源极和漏极，其源极引出区和控制栅引出区的有源区和隔离区上形成有：逻辑区高压器件氧化硅层，其形成在源极两侧的有源区上；控制栅，形成在逻辑区高压器件氧化硅层和隔离区上；隔离侧墙，其形成在各控制栅和逻辑区高压器件氧化硅层的两侧；层间介质层，其覆盖控制栅、源极和隔离侧墙；以及，源极和控制栅极引出结构。本发明还公开了一种NOR flash单元结构制造方法。本发明能抑制接触孔与控制栅极之间短接和控制栅极之间的漏电。
nor flash 单元结构及其制造方法

[发明专利]改善分栅结构闪存多步多晶硅刻蚀损伤的工艺集成方法-CN201811217631.3有效
发明人：胡涛;张磊;田志;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开一种改善分栅结构闪存多步多晶硅刻蚀损伤的工艺集成方法，包括：步骤S1：提供硅基衬，并在其上形成分栅闪存器件；步骤S2：在器件制备过程中，形成氮化硅层，并将后工序需形成局部硅氧化的有源区暴露；步骤S3：对氮化硅层进行干法刻蚀，以形成氮化硅侧墙结构，并对有源区设置刻蚀凹槽；步骤S4：对有源区之暴露区域进行硅氧化工艺，以形成二氧化硅阻挡层；步骤S5：将氮化硅侧墙结构去除，并进行后续多晶硅生长与刻蚀工艺。本发明可有效避免分栅结构闪存中多步多晶硅刻蚀产生的有源区刻蚀损伤，提高整体工艺的稳定性，且工艺过程简单，并方便的嵌入到现有工艺流程中，并大大降低有源区发生刻蚀损伤的风险，亦符合FAB的工艺技术要求，值得推广应用。
改善结构闪存多晶刻蚀损伤工艺集成方法

[发明专利]拼接芯片版图及光刻拼接工艺的套刻精度监控方法-CN202011483299.2在审
发明人：张磊;顾珍;董立群;黄斌冰;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种拼接芯片版图及光刻拼接工艺的套刻精度监控方法。由于本发明实施例中在拼接芯片版图中不仅添加了用于隔离不同曝光区域的主遮光带，还在主遮光带的两侧分别设置了副遮光带和多个套刻对准标志，因此，再之后通过光刻拼接工艺，利用本发明提供的拼接芯片版图形成拼接芯片的实际芯片版图的之后，可以通过测量套准在一起的一对或者多对套刻对准标志的重叠精度(或称为套准精度)，来直接对光刻拼接工艺的套刻精度进行监控，而无需针对每个拼接芯片版图出版测试光罩，因此，节约了晶圆生产过程中光罩的费用。
拼接芯片版图光刻工艺精度监控方法

[发明专利]一种硅控整流器及其制造方法-CN202011094759.2在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅控整流器包括：N阱和P阱形成于P型半导体衬底上；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区形成于N阱上；第二高浓度N型掺杂区和第二高浓度P型掺杂形成于P阱上；第三高浓度P型掺杂区形成于N阱和P阱分界处上方，且与第二高浓度N型掺杂区邻接,第三高浓度P型掺杂区上表面形成有非金属硅化层；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区之间形成有第一宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区和第三高浓度P型掺杂区之间形成有第二宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区宽度为第三宽度，第三高浓度P型掺杂区宽度为第四宽度。本发明还公开了一种硅控整流器制造方法。本发明降低了寄生NPN三极管的电流增益,进而能减小实现无回滞效应所需保护环宽度，因此能节省版图面积。
一种整流器及其制造方法

[发明专利]存储器阈值电压均匀性的电性测试方法-CN202011347770.5在审
发明人：唐小亮;李妍;辻直樹;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器阈值电压均匀性的电性测试方法，包括：向选择管施加第一电压，让选择管一直开启；连接所有存储单元的接源线，连接所有存储单元的位线以及连接所有存储单元的基极区；向存储管施加第二电压，第二电压为扫描电压；第二电压每变化一次电压，在存储管上施加一次脉冲电压；量测基极区的电流；将基极区的电流和第二电压的值做成阈值电压表；保持基极区的电流恒定，第二电压变化的幅度越小，则存储器阈值电压越均匀。本发明可以不使用额外的测试结构，可以同时测试所有存储单元的阈值电压，以判断存储器的阈值电压是否均匀，测试简单，并且，不用编写测试程序，测试时间较短，减少存储器开发的时间。
存储器阈值电压均匀测试方法

[发明专利]改善近红外图像传感器串扰特性的方法-CN202011305458.X在审
发明人：秦佑华;陈昊瑜;姬峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善近红外图像传感器串扰特性的方法，包括：在半导体衬底中形成浅沟槽；依次沉积第一高介电介质和第一氧化层，使第一氧化层完全填充浅沟槽；去除半导体衬底表面上的第一氧化层和第一高介电介质；在半导体衬底中形成深沟槽；依次沉积第二高介电介质和第二氧化层，使第二氧化层形成在器件的表面上以及深沟槽的侧壁和底部上；在第二氧化层上沉积金属铝，所述金属铝完全填充深沟槽；对所述金属铝进行刻蚀并停在第二氧化层上，且所述深沟槽中的金属铝保留。本发明利用浅沟槽隔离结构中的高介电介质可以实现近红外成像，利用深沟槽隔离结构中的金属铝填充介质提高像素之间的串扰特性。
改善红外图像传感器特性方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN202011353688.3在审
发明人：田伟思;邹荣;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述第一电极覆盖部分所述半导体衬底，所述第一插层覆盖所述第一电极，并且所述第一插层的电阻率小于所述阻变层的电阻率，所述阻变层覆盖所述第一插层，所述第二插层覆盖所述阻变层，并且所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，所述第二电极覆盖所述第二插层，由于所述第二插层与所述阻变层中均具有氧原子，当阻变存储器施加正电压后，所述阻变层与所述第二插层中的氧原子均会向所述第二电极移动，由此可以增加氧空位的浓度，从而有助于氧空位导电细丝的产生，进而提高阻变存储器的一致性。
存储器及其制造方法