[发明专利]分栅闪存的制造方法

摘要

本发明公开了一种分栅闪存的制造方法，包括：在半导体衬底中形成场氧并隔离出多个有源区，各有源区包括多条呈条形结构且互相平行的有源区行，源区对应的各行有源区行在列方向上连通成一整条并形成有源区列；形成选择栅，各选择栅呈条形列结构且互相平行；形成浮栅，浮栅形成在对应的选择栅的第一侧的有源区行上；形成擦除栅，各擦除栅覆盖在选择栅第一侧的顶部表面并延伸到浮栅的顶部；将各浮栅的和有源区列垂直的两侧面用介质层覆盖；形成光刻胶图形将有源区列、擦除栅的靠近第一侧的部分区域和第一侧外的各浮栅也打开；进行源注入。本发明能在源注入中对浮栅进行保护，防止源注入对沟道穿通产生影响，从而提高器件的性能。

主权项

1.一种分栅闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底中形成场氧，由所述场氧隔离出多个有源区，各所述有源区包括多条呈条形结构且互相平行的有源区行，各所述场氧也呈条形行结构；所述分栅闪存包括源区，所述源区的区域中的各行所述有源区行在列方向上连通成一整条并形成有源区列，同一行上的各所述场氧在所述有源区列处断开；步骤二、依次形成第一栅介质层和第一导电材料层，采用光刻加刻蚀工艺对所述第一导电材料层进行图形化形成多个选择栅；各所述选择栅呈条形列结构且互相平行，各所述选择栅覆盖同一列上的各所述有源区行和各所述场氧，所述第一栅介质层隔离在对应的所述选择栅和所述有源区行之间；步骤三、依次形成第二栅介质层和第二导电材料层，采用光刻加刻蚀工艺对所述第二导电材料层进行图形化形成多个浮栅；各所述浮栅形成在对应的所述选择栅的第一侧的所述有源区行上，所述选择栅的第一侧的所述场氧、所述选择栅的顶部表面、所述选择栅的第二侧外部以及所述有源区列上的所述第二导电材料层被去除；所述第二栅介质层隔离在对应的所述浮栅和底部的所述有源区行之间以及所述浮栅和所述选择栅之间；步骤四、依次形成第三栅介质层和第三导电材料层，采用光刻加刻蚀工艺对所述第三导电材料层进行图形化形成多个擦除栅；各所述擦除栅呈条形列结构且互相平行，各所述擦除栅覆盖在对应列的所述选择栅的靠近第一侧的顶部表面并延伸到对应的所述浮栅的顶部，各所述选择栅的靠近第二侧的顶部表面露出；所述第三栅介质层隔离在对应的所述擦除栅和所述选择栅之间以及所述擦除栅和所述浮栅之间；步骤五、将各所述浮栅的位于对应的所述有源区行一侧的两侧面用第一介质层覆盖，各所述浮栅的位于对应的所述有源区列一侧的侧面打开；步骤六、采用光刻工艺形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将所述选择栅的全部区域以及所述擦除栅的靠近第二侧的部分区域以及所述选择栅的第二侧外的区域覆盖，所述擦除栅的靠近第一侧的部分区域以及所述擦除栅的第一侧外的各所述浮栅以及所述有源区列打开；步骤七、以所述光刻胶图形为掩模进行源注入在所述有源区列中形成源区，通过步骤五中形成的所述第一介质层对各所述浮栅的两个侧面的覆盖，能减少所述源注入对所述浮栅的掺杂产生影响并从而能防止所述浮栅底部的沟道产生穿通。