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[发明专利]一种四通道高速陶瓷外壳-CN202211562199.8在审
发明人：颜汇锃;陈寰贝;梁秋实;施梦侨;李帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种四通道高速陶瓷外壳，包括高速端口、壳体以及光窗，高速端口采用差分对结构进行信号的传输。本发明的有益效果是：在高速外壳的端口上多采用相位相反的差分对进行信号传输，拐角可以使布线更加紧密，实现陶瓷外壳的小型化。差分对的拐角结构会破坏差分对的对称性，造成失真现象，通过设置补偿拐角对差分对结构进行电容补偿，使得差分信号在两条传输线上的相位保持相反，保证高速信号传输的信号完整性。将拐角补偿与面通孔技术相结合后的四通道高速陶瓷外壳，可以在隔离度得到保证的同时具有良好的信号完整性，在当前信号传输速率飞速提升的背景下实现小型化、高速化，支持更高速率的光电模块及芯片封装。
一种通道高速陶瓷外壳

[发明专利]一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法-CN202211551124.X在审
发明人：陈杨;李欣源;陈骏;陈寰贝;黎超群 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法，包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷，共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是：陶瓷采用中温烧结技术，可在1220~1280°C温度下致密化烧结，且具有高强度性能可满足封装外壳的可靠性要求；所述低阻导带材料采用钨网铜颗粒填充技术，即先在生瓷表面印刷钨铜金属化浆料作为基层，随后通过在钨铜金属化表面再套印中温瓷共烧钨浆的方法实现陶瓷表面金属化。所述陶瓷与低阻导带材料能够实现中温共烧，且具有较高的机械强度，以及良好的共烧匹配性，金属化方阻低至5.0m/□，能够满足大功率微波器件封装的要求。
一种适用于微波功率器件封装外壳陶瓷制备方法

[发明专利]一种用于大功率器件封装外壳陶瓷绝缘子及制造方法-CN202111503968.2在审
发明人：莫仲;陈骏;周昊;庞学满;陈寰贝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01B17/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于功率器件封装外壳陶瓷绝缘子及制造方法，采用HTCC工艺，包含键合区穿墙金属化内埋槽、封接面加强陶瓷墙、封接面焊料流淌区、侧面保护陶瓷墙。优点：1）有效解决大功率器件封装外壳机械性能差、气密性差等缺陷；2）焊料流淌释放区可以有效缓解钎焊残余应力，解决环境试验后陶瓷微裂纹，降低外壳失效风险；3）满足固态微波功率器件大功率、大电流、低电阻需求；4）兼容HTCC工艺，加工成型方法简单，制作成本低，便于批量生产。
一种用于大功率器件封装外壳陶瓷绝缘子制造方法

[发明专利]一种射频微系统三维封装外壳结构以及制作方法-CN202010401883.2有效
发明人：庞学满;陈寰贝;梁秋实 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频微系统三维封装外壳结构以及制作方法，外壳本体采用BGA封装，外壳本体包括方型壳体，方型壳体包括陶瓷底座，在陶瓷底座内形成方形壳体的内腔，且内腔的开口未封闭；在陶瓷底座上固设焊环；在方型壳体内腔的四个侧壁上均设置若干层台阶；相邻两侧的台阶连接处布设垂直散热通道，相邻垂直散热通道之间通过散热连接材料连接；在内腔底面中心位置设置水平散热通道；在每层台阶上开设若干中心金属孔，在中心金属孔周围开设若干金属接地孔，且金属接地孔以中心金属孔的圆心作为中心分布；在中心金属孔、金属接地孔上均覆设焊盘；本发明具有集成度高、微波传输性能好、可实现垂直散热等方面的特点。
一种射频系统三维封装外壳结构以及制作方法

[发明专利]具有多级基板堆叠与垂直散热通道的射频微系统三维封装组件与制作方法-CN202011524196.6有效
发明人：庞学满;陈寰贝;夏庆水 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多级基板堆叠与垂直散热通道的射频微系统三维封装组件与制作方法，包括外壳，其包括陶瓷底座，陶瓷底座的两侧均开设腔室，形成双面腔结构，每个腔室内嵌设若干陶瓷基板，且两个腔室之间形成水平散热通道；腔室内设置若干层台阶，每层台阶表面分布BGA焊盘面阵结构，在朝向地面的腔室端面两侧平出金属引线，在两个腔室的开口端分别架设金属框架；陶瓷基板表面或者底面分别开设至少一个腔体，陶瓷基板的表面同样设置BGA焊盘面阵结构，且位于陶瓷基板表面的BGA焊盘面阵结构与位于台阶表面的BGA焊盘面阵结构匹配；在每个陶瓷底座的腔室内，沿着台阶的端面设置垂直散热通道；本发明具备集成度高、微波性能优良、散热性能较佳的特质。
具有多级堆叠垂直散热通道射频系统三维封装组件制作方法

[发明专利]一种高温共烧陶瓷生瓷框的侧面印刷方法-CN201911406528.8有效
发明人：夏庆水;陈宇宁;陈寰贝 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温共烧陶瓷生瓷框的侧面印刷方法，包括以下步骤：（1）使用生瓷带和第一金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作生瓷框；（2）将所述生瓷框设置在侧面印刷模具的模具板中，按照生瓷框的长度方向，将模具板固定在侧面印刷模具的模具底座的凹槽中；（3）将生瓷框在印刷机上印刷第二金属化浆料；（4）烘干。该方法可以用于侧面印刷壁薄的生瓷框，避免了侧面印刷时侧壁受印刷网版的压力而产生变形失效问题，使用本发明的方法生产的瓷框，侧壁变形量小于0.02mm，瓷件性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种高温陶瓷生瓷框侧面印刷方法

[发明专利]一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法-CN201810763878.9有效
发明人：夏庆水;曹坤;陈寰贝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/638 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法，包括以下步骤：1）生瓷件和生瓷垫片的制备：使用生瓷带和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作大尺寸生瓷件和生瓷垫片；2）生瓷件和生瓷垫片的的排版：将大尺寸生瓷件放置在生瓷垫片上，然后一起放在承烧板上；3）排胶：将所述放有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入排胶炉中排胶；4）烧结：将排胶后放的、有生瓷件和生瓷垫片的承烧板放入高温烧结炉中烧结。优点：1）有效防止瓷件烧结收缩过程中的变形和背面划伤，可应用于高可靠、气密器件封装及多芯片组件基板及外壳等领域。2）所得共烧陶瓷背面无划痕、瓷框的变形量小于0.02mm，性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种尺寸高温陶瓷烧结方法

[发明专利]一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计及制作方法-CN201810574723.0有效
发明人：莫仲;陈宇宁;陈寰贝;龚锦林 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于TO型端封类管壳陶瓷墙结构的设计，包括高温氧化铝共烧陶瓷片、陶瓷端封孔、金属化连筋图形、应力释放槽和金属化侧壁印刷，在陶瓷墙端封区域设有金属化连筋图形，同时在烧结成型前制作应力释放槽，达到金属‑陶瓷钎焊过程中焊料流淌分步均匀目的。其制造方法包括金属化图形连筋制作、陶瓷端封孔无变形制作、陶瓷端封孔壁无浆料堆积制作、应力释放槽制作。优点：1）有效解决外壳机械性能差、气密性难以保证、端封孔易变形、焊料易堆积、端封孔壁裂纹等缺陷；2）显著提升管壳电流耐压与抗冲击性能，同时满足高载流能力、耐高电压能力的要求；3）加工成型方法简单，制作成本低，便于批量生产。
一种基于 to 型端封类管壳陶瓷结构设计制作方法

[发明专利]一种陶瓷插针外壳结构及其制造方法-CN201711123445.9有效
发明人： 陈寰贝;陈宇宁;周昊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明是陶瓷插针外壳结构及制造方法，其外壳结构是陶瓷件与金属引针之间采用端封与轴封结合的方式。其制造方法，包括如下工艺步骤：1）通过流延，获得氧化铝生瓷带；2）将每层氧化铝生瓷带开孔；3）对最表层、对最底层瓷带进行印刷，获得陶瓷件与外壳框架焊接所需的金属化；4）对最表层瓷带开孔进行挂孔；5）获得单个熟瓷瓷件；6）采用化学镀镍；7）制得半成品外壳；8）制成为成品封装外壳。优点：能够有效提升高可靠电力电子封装外壳的气密可靠性，并且为大规模生产工艺能够保证该类型产品的批量化制备。
一种陶瓷外壳结构及其制造方法

[发明专利]一种陶瓷平面焊盘阵列封装外壳及加工方法-CN201811271088.5在审
发明人：唐利锋;程凯;陈寰贝;周昊;张鹏飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷平面焊盘阵列封装外壳及加工方法，采用与BGA/PGA安装主板相兼容的设计结构；定位模组中部镂空且与焊盘阵列配套，在外壳与主板安装过程可为融化的焊料球提供定位；传输线由表面连接线、内埋连接线和层间通孔构成，为内部封装芯片和电路提供电力和信号输入/输出；陶瓷围框和金属封接框构成后续芯片和电路安装空间，金属封接框上表面可在后续与金属盖板进行气密性封接的结构。外壳采用高温共烧陶瓷技术和电镀的方法进行加工，具有加工方法简单并且减少了板级封装过程铅的使用量、安装高度低、重量轻、机械强度高、化学性能稳定、电性能优良和可靠性高等优点。
焊盘阵列连接线封装外壳金属封接陶瓷平面加工传输线电路提供电力高温共烧陶瓷气密性封接安装主板层间通孔电路安装定位模组封装过程封装芯片化学性能金属盖板设计结构信号输入中部镂空主板安装电性能焊料球上表面重量轻电镀板级内埋围框兼容融化陶瓷芯片输出配套

[发明专利]一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法-CN201811075795.7在审
发明人： 陈寰贝;陈骏;夏庆水 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成模块级封装用多层氮化铝基板及其制造方法，其基板结构上下表层为高精度、高密度金属化焊盘；基板侧壁为满金属化；基板内部存在多层金属化布线。上下表层金属化焊盘与硅基芯片球栅焊接；侧壁满金属化实现信号屏蔽；基板内部多层金属化布线满足复杂电路信号传输互联。利用多层共烧工艺，选用氮化铝陶瓷作为陶瓷基体材料，钨作为金属化材料，采用生瓷带束缚微形变加工工艺，并使用化学镀镍、化学镀金工艺对表层钨金属线路层进行镀覆。优点：氮化铝基板与硅基芯片热膨胀系数高度匹配，保证了硅基芯片的球栅焊接封装可靠性；基板的热导率提高至170 W/mK，能够满足高集成模块封装高功率密度封装散热需求。
氮化铝基板硅基芯片高集成多层封装多层金属基板内部金属化布线焊盘球栅化学镀金工艺陶瓷基体材料氮化铝陶瓷高密度金属金属化材料热膨胀系数表层金属复杂电路高度匹配焊接封装化学镀镍基板侧壁基板结构模块封装散热需求信号传输信号屏蔽高功率热导率生瓷带微形变钨金属线路层侧壁镀覆共烧基板焊接制造互联束缚保证

[发明专利]应用于高频电路的低损耗高温共烧氧化铝黑瓷的制备方法-CN201510851312.8有效
发明人：夏庆水;庞学满;陈寰贝;程凯 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明是一种应用于高频电路的低损耗高温共烧氧化铝黑瓷的制备方法，它是采用92%~95%的氧化铝含量，使用粘土、滑石粉和碳酸钙作为助烧剂，使用三氧化二铬、二氧化钛和三氧化钼作为着色剂的一种黑瓷的制备方法。利用合理的三元着色剂配比，使得通过配料、混料球磨、流延、切片、打孔、填孔、印刷、层压、生切和烧结等工艺后，陶瓷呈现均匀的黑色，并且陶瓷的体电阻率和高频损耗特性满足40G以内高频电路的使用要求。
应用于高频电路损耗高温氧化铝制备方法

[发明专利]多层陶瓷双面孤立凸台结构成型方法-CN201711229047.5在审
发明人：梁秋实;陈寰贝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B32B38/04 文献下载
摘要：本发明是一种多层陶瓷双面孤立凸台结构成型方法，采用生瓷片余料作为底层孤立凸台结构的限位模具，并为上层陶瓷提供支撑；利用同样的方法对顶层孤立凸台结构进行限位；同时利用表面做过处理的聚酯膜置于余料与多层陶瓷之间，防止层压过程中发生粘连；最后将生瓷片、凸台结构、生瓷片余料置于塑料包封袋中进行真空包封、层压处理，将生瓷片余料去除，获得多层陶瓷双面孤立凸台结构。优点：1、无需另外制作模具，利用加工过程中的余料进行限位、填充，实现较高的凸台精度，加工简单。2、保证多层陶瓷结合强度，提高叠片效率和情节性，节约制作成本。
凸台结构多层陶瓷余料生瓷片孤立限位成型层压处理叠片效率限位模具真空包封制作模具防止层聚酯膜塑料包粘连顶层封袋凸台去除填充陶瓷上层节约支撑制作加工保证

[发明专利]小尺寸方形扁平无引脚型封装层间互连结构及制造方法-CN201710423603.6在审
发明人：莫仲;龚锦林;唐利峰;陈寰贝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明是一种小尺寸高可靠QFN（方形扁平无引脚）型封装层间互连结构及制造方法，其结构包括小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区和封接框。其制造方法，包括步骤a）0.5mm节距小孔冲制；b）0.5mm节距细间距图形及0.3mm直径小孔侧面金属化印刷；c）0.3mm直径小孔无变形叠层及烧结成型；d）0.3mm直径互连小孔陶瓷件焊接；e）0.3mm直径互连小孔产品电镀。优点结构强度高、化学稳定性好、电热性能优良、布线密度高的高温共烧陶瓷封装技术基础上采用0.5mm节距小孔侧面金属化印刷实现引出端和键合区互联，解决了外壳气密性、小孔变形和焊料堆积，镀液难以进入小孔内等问题。
尺寸方形扁平引脚封装互连结构制造方法

[发明专利]一种高温共烧氧化铝陶瓷的烧结方法-CN201710505469.4在审
发明人：夏庆水;陈寰贝;张智旻 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明是一种高温共烧氧化铝陶瓷的烧结方法，该方法包括以下步骤（1）使用氧化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氧化铝生瓷件；（2）将氧化铝生瓷件放置在承烧装置中；（3）将承烧装置中的氧化铝生瓷件排胶；（4）将排胶后承烧装置中的氧化铝生瓷件在烧结炉中烧结。本发明的优点1）该方法可以制备高温共烧氧化铝陶瓷，应用于高可靠、气密器件封装及多芯片组件（MCM）基板及外壳等领域。2）使用本发明的方法烧结，得到的共烧氧化铝陶瓷的密度大于3.60g/cm3、抗折强度大于300MPa、1mm2金属化面积的抗拉力大于20N，性能满足电子陶瓷的使用要求。
一种高温氧化铝陶瓷烧结方法

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