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[发明专利]静电保护器件-CN201810502138.X有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
静电保护器件

[发明专利]一种制备多孔有机半导体薄膜的方法-CN202110199553.4有效
发明人：胡袁源;郭景;陈平安;陈卓俊 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多孔有机半导体薄膜的方法，分别将有机半导体和有机铵盐溶于有机溶剂中，并按照一定的比例混合得混合液，将所述混合液旋涂于衬底上，随后退火，即可得到多孔有机半导体薄膜。由于有机溶剂挥发过程中有机铵盐会促进有机半导体结晶，有机半导体结晶时释放出的空间形成均匀的多孔。本发明制备工艺简单，所得多孔有机半导体薄膜孔径均匀，重复性良好，对设备要求较低，能够快速获得大面积的多孔有机薄膜。本发明所得的多孔有机薄膜可广泛用于新型光电器件和气相传感器等领域。
一种制备多孔有机半导体薄膜方法

[发明专利]一种有机铵盐p型掺杂剂-CN202110017402.2有效
发明人：胡袁源;郭景;仇鑫灿;陈卓俊 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机铵盐作为p型掺杂剂及其在有机半导体光电器件中的应用。这种p型掺杂剂可以通过与受体材料共混或者将受体材料暴露在p型掺杂剂的蒸汽中对受体材料进行p掺杂。这种掺杂剂加入p型半导体中可以提升有机半导体的电导率及空穴迁移率等性质，从而可以应用在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等领域。
一种有机铵盐掺杂

[发明专利]一种功率器件-CN202011597627.1有效
发明人：晋虎;许军;陈卓俊;张辰晨;万欣 -专利权人：浙江清华长三角研究院;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开一种功率器件，在终端过渡区，该功率器件包括第一P型掺杂层、氧化层和多晶硅层，多晶硅层连接栅极，在第一P型掺杂层和氧化层之间，功率器件还包括第二P型掺杂层和/或N型掺杂层，第二P型掺杂层为重掺杂层且连接源极。本申请的功率器件在终端过渡区具有较强的抗单粒子效应的能力。
一种功率器件

[发明专利]一种双态物理不可克隆函数电路-CN202110658063.6有效
发明人：张吉良;陈卓俊;李文商;关振宇 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明涉及物理不可克隆函数技术领域，尤其涉及一种双态物理不可克隆函数电路，所述电路包括：信号驱动电路将接收的串行激励信号和串行配置信号分别转换为并行信号；若干个双态物理不可克隆函数电路单元，每个单元根据激励信号和配置信号获取响应；时序控制电路确保本电路按设计的时序工作；并行/串行转换器电路实现多比特响应的串行输出。其中每个双态物理不可克隆函数电路单元包括：状态配置电路根据配置信号切换本电路的工作状态；放大器链电路对带有工艺偏差的信号进行放大；响应读出电路根据激励信号选择单元并输出响应。通过设置本电路生成了高可靠性的密钥。
一种物理不可克隆函数电路

[发明专利]基于物理不可克隆函数的安全分支预测器抗Spectre攻击的方法-CN202210024761.5在审
发明人：张吉良;关振宇;陈卓俊;洪庆辉;陈聪聪 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院;湖南大学
申请日： 2022-01-09 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：本发明提出一种基于物理不可克隆函数的安全分支预测器抗Spectre攻击的方法，包括BTB的逆向过程、Spectre防御微架构设计以及基于PUF的安全分支预测器的实施及性能开销测试。基于PUF的安全分支预测器，通过引入进程标识符和完整分支地址作为物理不可克隆函数的激励，物理不可克隆函数的响应用来生成抗冲突的分支索引。本发明提出的方法，可为同地址空间和跨地址空间的分支预测状态提供安全隔离，使攻击者难以创建分支冲突来毒化受害分支，有效缓解了Spectre‑BTB和Spectre‑PHT攻击；且在各分支预测器上的实验评估表明该方法产生的平均性能开销小于3％，较好地平衡开销并保证了安全性。
基于物理不可克隆函数安全分支预测 spectre 攻击方法

[发明专利]软硬件结合的卷积神经网络模型知识产权保护方法-CN202210018007.0在审
发明人：张吉良;廖慧芝;伍麟珺;洪庆辉;陈卓俊;关振宇 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种软硬件结合的卷积神经网络模型知识产权保护方法，通过对神经网络模型两次重训练构建子网和非子网，根据子网和非子网分布修改加速器计算单元电路结构。使用DRAM PUF建立与硬件对应的唯一性密钥，根据密钥的正确性生成不同的输入信号，若密钥正确，则生成的输入信号控制加速器计算单元电路选择模型的子网权重参与计算，计算结果正确。反之，生成的输入信号控制加速器计算单元电路选择模型的全部权重参与计算，计算结果错误。权重选择无需额外的选择时间，使用加速器中自带的DRAM用作PUF验证密钥，无需特定的解密过程，硬件开销极小，可以实现高效率，低开销，高安全性的神经网络模型权重知识产权保护。
软硬件结合卷积神经网络模型知识产权保护方法

[发明专利]基于模糊反馈移位寄存器的物理不可克隆函数电路-CN202111680103.3在审
发明人： 陈卓俊;关振宇;张吉良;李文商;丁林 -专利权人：湖南大学;北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明提出一种基于模糊反馈移位寄存器的物理不可克隆函数电路，所述基于模糊反馈移位寄存器的物理不可克隆函数电路包括激励处理模块、移位寄存器模块、熵源模块、与门处理模块、异或处理模块以及非线性模糊模块。本发明提出的基于模糊反馈移位寄存器的物理不可克隆函数电路，实现了对机器学习建模攻击的抵抗，并生成了高安全的密钥，满足了实际应用需求。
基于模糊反馈移位寄存器物理不可克隆函数电路

[发明专利]增强有机半导体热电性能的方法及有机半导体热电器件-CN202110198823.X有效
发明人：胡袁源;陈凯旋;陈平安;陈卓俊 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强有机半导体热电性能的方法以及制备有机半导体热电器件，本发明以有机半导体材料为主体，并将量子点沉积到有机半导体层上，形成有机半导体/量子点异质结。该方法工艺简单，成本低，具有通用性，高电导率和较大的功率因数，从而可以应用在热电器件领域。
增强有机半导体热电性能方法热电器件

[发明专利]多叉指静电保护器件-CN201810662973.X有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;吴志强;张云 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多叉指静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有第一P阱、第二P阱、第三P阱，第二P阱位于第一P阱和第三P阱的中间，第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区，第一P阱与第二P阱之间设有第二P+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区，第二P阱内设有第四P+注入区、第四N+注入区、N+/P+掺杂注入区、第五N+注入区、第五P+注入区，第四P+注入区以及第五P+注入区均与深N阱跨接，N+/P+掺杂注入区内设有多个交替设置的N+注入区和P+注入区，该多叉指静电保护器件以N+/P+掺杂注入区为对称中心对称设置。本发明能够解决导通不均匀的问题。
多叉指静电保护器件

[发明专利]LDMOS静电保护器件-CN201810540058.3有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有第一P阱和第一N阱，所述第一P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述第一N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N阱构成第一NPN结构，所述第一P阱、所述第一N阱、所述第三P+注入区构成第一PNP结构，所述第一NPN结构与所述第一PNP结构形成第一SCR路径；所述第一N+注入区、所述第一P阱、所述第二N+注入区构成第二NPN结构，所述第三P+注入区、所述第一N阱、所述第二P+注入区构成第二PNP结构，所述第二NPN结构与所述第二PNP结构形成第二SCR路径。本发明增加了一条SCR路径，提高了静电泄放能力。
ldmos 静电保护器件

[发明专利]LDMOS静电保护器件-CN201810482780.6有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区和第二P+注入区互相连接；第一P+注入区、第一N+注入区连接阴极；第三P+注入区、第四N+注入区连接阳极，第三P+注入区、深N阱、第一P阱构成第一PNP型晶体管；深N阱、第一P阱、第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；第二N+注入区、第一P阱、第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。本发明能够在不牺牲SCR结构较强泄放电流能力的同时提高维持电压，避免LDMOS器件发生闩锁，维持鲁棒性。
ldmos 静电保护器件

[发明专利]一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法-CN201810146750.8有效
发明人： 陈卓俊;董业民;单毅 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H03L7/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法，其包括：步骤S1，通过电路仿真或示波器测试，获得锁相环在被辐照前的输出波形；步骤S2，对所述锁相环进行单粒子效应仿真或实验，捕获所述锁相环在被辐照后的输出波形；步骤S3，计算获得所述锁相环在被辐照前的相位偏移和所述锁相环在被辐照后的相位偏移；步骤S4，累加获得所述锁相环在被辐照前的累积相位偏移和所述锁相环在被辐照后的累积相位偏移；步骤S5，计算获得累积相位抖动；步骤S6，将所述累积相位抖动等效为一个阶跃响应，利用所述阶跃响应的稳定值量化评估锁相环电路的单粒子敏感性。本发明通过提出累计相位抖动的指标，实现了锁相环电路单粒子敏感性的全面量化评估。
一种锁相环电路粒子敏感性量化评估方法

[发明专利]可控硅静电保护器件-CN201810542367.4有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。
可控硅静电保护器件

[发明专利]静电保护器件-CN201810661331.8有效
发明人： 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;吴志强;张云 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
静电保护器件

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