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[发明专利]衣物处理装置-CN202110191797.8有效
发明人：陈东铉;金旼秀;朴伦弘 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： D06F39/02 文献下载
摘要：本发明提供一种衣物处理装置，本发明的衣物处理装置包括：箱体，包括形成有洗涤剂开口的前面面板；外桶，设置在所述箱体内部；内桶，以可旋转的方式设置在所述外桶内部；以及洗涤剂储存单元，通过所述洗涤剂开口向所述箱体内部引入或引出，在内部储存向所述内桶供应的洗涤剂，所述衣物处理装置还包括：进出壳体，结合在所述前面面板，在所述洗涤剂开口的后方包围引入到所述箱体内部的所述洗涤剂储存单元的至少一部分，具有朝向所述洗涤剂储存单元凸出的开口挡止件，所述洗涤剂储存单元包括：卡止凸起，在引入到所述箱体内部的状态下位于所述开口挡止件的后方，在从所述箱体引出过程中，所述卡止凸起接触到所述开口挡止件来限制引出距离。
衣物处理装置

[发明专利]存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法-CN201910952640.5有效
发明人： 金旼秀;高兑京;金大正;金度翰;金成峻;申院济;李光熙;李昌珉;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了存储模块、操作其的方法以及操作控制其的主机的方法。所述存储模块包括动态随机存取存储器(DRAM)装置、非易失性存储器装置和高速缓冲存储器。操作所述存储模块的方法包括：响应于外部设备进入页面故障模式，将存储在所述非易失性存储器装置中的目标数据复制到所述高速缓冲存储器；从所述外部设备接收第一刷新命令；以及响应于所述第一刷新命令，在第一刷新参考时间内执行与所述DRAM装置相关联的第一刷新操作，并且将复制到所述高速缓冲存储器的所述目标数据移动到所述DRAM装置。
存储模块操作方法以及控制主机

[发明专利]形成图案的方法-CN202211535262.9在审
发明人：文炯朗;金荣权;许伦旼;李旻映;金旼秀;李圭原;崔正敏;朴哲弘;高武铉;裴相元;金贞儿 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。
形成图案方法

[发明专利]光阻底层组成物以及使用所述组成物形成图案的方法-CN202180054499.2在审
发明人：崔有廷;权纯亨;金旼秀;金圣振;白载烈;阵和英;朴贤;裵信孝;宋大锡;千玟基 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明有关于一种光阻底层组成物以及使用所述光阻底层组成物形成图案的方法，所述光阻底层组成物包括：具有在环中包含两个或更多个氮原子的环骨架的聚合物、由化学式1表示的化合物及溶剂。化学式1的定义如说明书中所述。[化学式1]
底层组成以及使用形成图案方法

[发明专利]用于保护电子设备的装置和方法-CN201680066265.9有效
发明人：姜秉益;金旼秀;金源真;吕必球;郑相哲;郑太东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F21/70 文献下载
摘要：根据各个实施例的用于操作装置的方法可以包括以下操作：检测从控制设备向储存设备发送的第一信号是否包括指定地址；以及当第一信号包括指定地址时向控制设备发送第二信号，其中，第一信号可以是由控制设备向存储设备发送对于数据的请求的信号，并且第二信号可以是用于检测在从第一信号生成的信号中是否包括罕见数据的信号。
用于保护电子设备装置方法

[发明专利]抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法-CN202210845633.7在审
发明人：崔有廷;权纯亨;金旼秀;金圣振;白载烈;阵和英;南宫烂;朴贤;宋大锡 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开一种抗蚀剂底层组合物，所述抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，包含主链、侧链或包含在环中包含两个或大于两个氮原子的杂环的主链和侧链；化合物，包含由化学式1表示的部分；以及溶剂；以及一种使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法：化学式1的定义与实施方式中所描述的相同。[化学式1]
抗蚀剂底层组合使用形成图案方法

[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法-CN202210794402.8在审
发明人：李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
金属抗蚀剂去除边缘组合包括使用步骤形成图案方法

[发明专利]含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法-CN202210793674.6在审
发明人：许伦旼;文炯朗;李旻映;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
金属光致抗蚀剂显影剂组合以及包括使用进行显影步骤形成图案方法

[发明专利]跳过刷新操作的存储器件及其操作方法-CN202111204990.7在审
发明人： 金旼秀;金南亨;金大正;金度翰;朴赞益;徐德浩;申院济;李昌珉;丁日奎;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供一种跳过刷新操作的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括N个行；刷新控制器，所述刷新控制器被配置为基于刷新命令控制针对所述存储单元阵列的所述N个行的刷新操作；以及访问信息存储电路，所述访问信息存储电路包括多个寄存器，所述多个寄存器被配置为存储与所述N个行中的每一行对应的标志信息，其中，所述标志信息在具有第一值时指示已被访问的行，并且在具有第二值时指示未被访问的行。所述刷新控制器进一步被配置为：基于与所述第一行对应的所述标志信息，控制是否在针对所述第一行的刷新定时针对所述N个行中的第一行执行刷新操作。
跳过刷新操作存储器件及其操作方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子设备-CN202111545971.0在审
发明人：庾庸准;金南亨;金度翰;金旼秀;徐德浩;申院济;李昌珉;丁日奎;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：提供了一种包括具有改进的可靠性的存储器器件的半导体器件。所述半导体器件包括：至少一个数据引脚，被配置为传输数据信号；至少一个命令地址引脚，被配置为传输命令和地址；至少一个串行引脚，被配置为传输串行数据信号；以及处理电路，连接到所述至少一个数据引脚和所述至少一个串行引脚。所述处理电路被配置为通过至少一个数据引脚从外部接收数据信号，并且所述处理电路被配置为响应于所接收的数据信号而通过至少一个串行引脚输出串行数据信号。
半导体器件包括电子设备

[发明专利]加速器、包括加速器的计算系统以及加速器的操作方法-CN202111079951.9在审
发明人： 金旼秀;金南亨;金大正;金度翰;朴赞益;徐德浩;申院济;李昌珉;丁日奎;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：提供了一种加速器、包括加速器的计算系统以及加速器的操作方法。所述加速器包括：信号控制/监测电路，被配置为：基于监测从主机提供的信号，检测进入存储器装置的自刷新模式和退出自刷新模式；加速器逻辑，被配置为：生成第一命令/地址信号和第一条数据；以及选择器，被配置为：基于检测到进入自刷新模式而将第一命令/地址信号和第一条数据输出到存储器装置，并且基于检测到退出自刷新模式而将从主机提供的第二命令/地址信号和第二条数据输出到存储器装置。
加速器包括计算系统以及操作方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子设备-CN202111454561.5在审
发明人：李昌珉;金南亨;金大正;金度翰;金旼秀;徐德浩;申院济;庾庸准;丁日奎;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：提供了一种包括具有改进的可靠性的存储器器件的电子设备。半导体器件包括：数据引脚，被配置为发送数据信号；命令/地址引脚，被配置为发送命令和地址；命令/地址接收器，连接到命令/地址引脚；以及计算单元，连接到命令/地址接收器，其中，命令/地址接收器通过命令/地址引脚从外部接收第一命令和第一地址并基于第一命令和第一地址生成第一指令，并且计算单元接收第一指令并基于第一指令执行计算。
半导体器件包括电子设备

[发明专利]用于自适应缓存管理的方法和装置-CN201680050701.3有效
发明人：姜秉益;金旼秀;金源真;吕必球;郑相哲;郑太东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F12/0813 文献下载
摘要：提供了一种用于处理数据的装置和方法。用于由终端处理数据的所述方法，该方法包括：识别用于分组的多个检查类型；基于预定标准，从用于分组的多个检查类型中确定至少一个检查类型；并且处理所确定的用于分组的至少一个检查类型。
用于自适应缓存管理方法装置

[发明专利]有机层组成物及图案形成方法-CN201680087729.4有效
发明人：南沇希;姜善惠;金瑆焕;郑瑟基;金旼秀;文秀贤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明揭示一种有机层组成物及使用有机层组成物的图案形成方法，有机层组成物包含：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元；添加剂，在作为含芳族环化合物的结构中包含经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的乙烯基、经取代或未经取代的乙炔基、叠氮基及腈基中的至少一者；以及溶剂。化学式1与在说明书中所定义的相同。本发明因包含预定聚合物及预定添加剂而在以旋涂方法进行涂布的同时具有提高的耐蚀刻性的有机层组成物。由有机层组成物制造的有机层具有提高的膜密度及膜平坦度。
有机组成图案形成方法

[发明专利]用于访问存储器模块的方法-CN202110081007.0在审
发明人：申院济;金南亨;金大正;金度翰;金旼秀;徐德浩;庾庸准;李昌珉;崔仁寿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：提供了一种用于访问存储器模块的方法。所述方法包括：对第一部分突发长度的第一数据进行编码以生成第一奇偶校验信息和第一循环冗余码；对第二部分突发长度的第二数据进行编码以生成第二奇偶校验信息和第二循环冗余码；将第一数据和第二数据写入第一存储器装置；以及将第一奇偶校验信息、第一循环冗余码、第二奇偶校验信息和第二循环冗余码写入第二存储器装置和第三存储器装置。
用于访问存储器模块方法

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