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[发明专利]半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法-CN202180036970.5在审
发明人：文京守;姜恩美;金宰贤;金智敏;金兑镐;禹昌秀;田桓承;蔡承龙;韩承 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组成物及使用所述半导体光致抗蚀剂组成物形成图案的方法。所述组成物包含溶剂及由化学式1表示的有机金属化合物。化学式1的具体细节如在说明书中所定义。
半导体光致抗蚀剂组成使用形成图案方法

[发明专利]从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法-CN202210794402.8在审
发明人：李旻映;文炯朗;许伦旼;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。
金属抗蚀剂去除边缘组合包括使用步骤形成图案方法

[发明专利]含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法-CN202210793674.6在审
发明人：许伦旼;文炯朗;李旻映;金旼秀;金荣权;金宰贤;禹昌秀;崔正敏;高武铉;金贞儿;都星安;裵相元;韩勋;洪锡九 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。
金属光致抗蚀剂显影剂组合以及包括使用进行显影步骤形成图案方法

[发明专利]半导体光刻胶组合物及使用所述组合物形成图案的方法-CN202111360348.8在审
发明人：文京守;姜恩美;金宰贤;金智敏;禹昌秀;田桓承;蔡承龙;韩承 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]
半导体光刻组合使用形成图案方法

[发明专利]印刷电路板-CN202110671312.5在审
发明人：曺正铉;李鎭洹;姜秉国;禹昌秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本公开提供一种印刷电路板，所述印刷电路板包括：芯基板，包括多个芯层；多个磁性构件，嵌入所述多个芯层中的每者中；第一线圈图案，设置在所述芯基板上方；以及第二线圈图案，设置在所述芯基板下方。
印刷电路板

[发明专利]电子组件嵌入式基板-CN202110086513.9在审
发明人：郑求雄;高京焕;曺正铉;禹昌秀;郑淳哲 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本公开提供一种电子组件嵌入式基板，所述电子组件嵌入式基板包括第一芯层，具有第一通孔；第一无源组件，设置在所述第一通孔中；第二芯层，设置在所述第一芯层上并且具有第二通孔；第二无源组件，设置在所述第二通孔中；绝缘材料，覆盖所述第一无源组件和所述第二无源组件中的每个的至少一部分并且设置在所述第一通孔和所述第二通孔中的每个的至少一部分中；以及第一布线层，设置在所述第一无源组件与所述第二无源组件之间，并且所述第一布线层的至少一部分被所述绝缘材料覆盖。所述第一无源组件和所述第二无源组件通过所述第一布线层彼此连接。
电子组件嵌入式

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110262666.4在审
发明人： 禹昌秀;金海龙;金润洙;文瑄敏;宋政奎;郑圭镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于窗膜的组合物、可挠性窗膜以及可挠性显示装置-CN201680044671.5有效
发明人：金旻惠;姜炅求;朴志桓;禹昌秀;任智善;张胜宇;韩东一 -专利权人：索立技术股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于窗膜的组合物、可挠性窗膜以及可挠性显示装置，该用于窗膜的组合物，含有包含化学式1的硅氧烷树脂、交联剂及引发剂；一种由所述组合物形成的可挠性窗膜；以及一种包括所述可挠性窗膜的可挠性显示装置。本发明的用于窗膜的组合物可实现在硬度、可挠性及外观方面具有良好性质的可挠性窗膜。
用于组合可挠性窗膜以及可挠性显示装置

[发明专利]半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法-CN202110510318.4在审
发明人：韩承;金宰贤;文京守;禹昌秀;蔡承龙;南宫烂;田桓承 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。
半导体光刻组合使用形成图案方法

[发明专利]半导体光刻胶组合物和使用所述组合物形成图案的方法-CN202110349838.1在审
发明人： 禹昌秀;姜恩美;金宰贤;金智敏;金兑镐;南宫烂;文京守;田桓承;蔡承龙;韩承 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开一种包含由化学式1表示的有机金属化合物、光酸产生剂(PAG)以及溶剂的半导体光刻胶组合物和使用其形成图案的方法。化学式1的细节如详细描述中所定义。[化学式1]。
半导体光刻组合使用形成图案方法

[发明专利]用于窗膜的组合物、由其形成的柔性窗膜和包含所述柔性窗膜的柔性显示器-CN201680066503.6有效
发明人：韩东一;姜炅求;金旻惠;朴志桓;禹昌秀;任智善;张胜宇 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：提供一种包含结构式1的硅氧烷树脂、交联剂和引发剂的用于窗膜的组合物，由其形成的柔性窗膜以及包含所述柔性窗膜的柔性显示器。结构式1(R1SiO3/2)x(R2SiO3/2)y(R3R4SiO2/2)z(SiO4/2)w(结构式1中，R1是含有脂环族环氧基团的官能团，R2是含有缩水甘油基的官能团，R3和R4各自独立地是氢，包含脂环族环氧基团的官能团，包含缩水甘油基的官能团，可选取代的C1‑C20烷基，可选取代的C5‑C20环烷基或可选取代的C6‑C20芳基，其中0x1，0y≤0.5，0≤z1，0≤w1，而x+y+z+w＝1)。
用于组合形成柔性包含显示器

[发明专利]电阻式存储器件及其制造方法-CN201510345530.4有效
发明人：吴东妍;禹昌秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。电阻式存储器件包括：下电极；阻变层，其形成在下电极上的电阻变化区域中；上电极，其形成在阻变层上；以及插入层，其配置成允许从上电极到下电极形成的阻变层的复位电流路径在垂直于或平行于下电极的表面的方向上旁通。
电阻存储器件及其制造方法

[发明专利]用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的可挠性窗膜及包括所述可挠性窗膜的可挠性显示器-CN201680049027.7有效
发明人： 禹昌秀;姜炅求;金旻惠;朴志桓;任智善;张胜宇;韩东一 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供：一种用于窗膜的组合物、由所述组合物形成的窗膜以及包括所述窗膜的可挠性显示器，用于窗膜的组合物含有包含以下化学式1的硅酮树脂、交联剂及引发剂。化学式1与具体实施方式中所定义的相同。＜化学式1＞(R1SiO3/2)x(SiO3/2‑Q‑SiO3/2)y(R2SiO3/2)z。
用于组合形成可挠性窗膜包括述可挠性窗膜可挠性显示器

[发明专利]用于窗膜的组合物、由其形成的柔性窗膜以及包含该窗膜的显示装置-CN201680079240.2有效
发明人：金旻惠;姜炅求;朴志桓;禹昌秀;任智善;张胜宇;崔晋喜;韩东一 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种化学式1的硅氧烷树脂，一种用于窗膜的组合物，该组合物含有交联剂和引发剂，一种由该组合物形成的柔性窗膜和一种包含该柔性窗膜的柔性显示装置。
用于组合形成柔性以及包含显示装置

[发明专利]用于窗膜的组合物、可挠性窗膜以及可挠性显示装置-CN201680023668.5有效
发明人：韩东一;姜炅求;金旻惠;朴志桓;禹昌秀;任智善;张胜宇 -专利权人：三星SDI株式会社;三星电子株式会社
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C08L83/06 文献下载
摘要：提供一种用于窗膜的组合物、一种由所述用于窗膜的组合物形成的可挠性窗膜以及一种包括所述可挠性窗膜的可挠性显示装置，所述用于窗膜的组合物包含：第一硅酮树脂，以化学式1表示；第二硅酮树脂，含有可交联官能基以及Q单元及桥接单元中的一个或多个；交联剂；以及引发剂，其中化学式1为：(R1SiO3/2)x([R2R3SiO2/2]n)y(R4R5SiO2/2)z(R6R7R8SiO1/2)w，在式1中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、n、x、y、z及w与在本发明的以下详细说明中所定义的相同。
用于组合可挠性窗膜以及可挠性显示装置

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