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[发明专利]一种基于反对称光栅的单片集成气体检测装置-CN202210502451.X在审
发明人：施跃春;王鸿基;陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01N21/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反对称光栅的单片集成气体检测装置，包括集成制作在外延片上的有源区、无源区和探测器；有源区、无源区和探测器依次对接成型，且无源区为单路或双路结构，有源区的数量为1个，并与无源区对接，探测器的数量与无源区的路数相同，并与无源区对接；有源区和探测器的能带结构一致，无源区能带的带隙大小与有源区不同。本装置采用单片集成气体检测芯片，光源仅需用宽谱光源，通过无源区滤波实现对波长的准确控制，无源区物理过程对比起有源区相对简单，波长更加容易控制，因此本发明降低了对激光器的制作工艺、封装工艺的相关成本，从而降低
一种基于对称光栅单片集成气体检测装置

[实用新型]无源混合类型的显示装置-CN201821182758.1有效
发明人：何志玲;赵景罡;张丽娜 -专利权人：浙江富申科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种无源混合类型的显示装置，包括无源液晶显示区、无源电泳型电子纸显示区、驱动控制芯片和与驱动控制芯片连接的接口部，所述无源电泳型电子纸显示区的驱动背板与无源液晶显示区的上基板或下基板共用同一块基板，且无源液晶显示区与无源电泳型电子纸显示区不重叠
无源电泳型电子纸驱动控制芯片液晶显示区显示区混合类型显示装置接口部基板产品应用基板连接驱动背板不重叠上基板下基板产品结构

[发明专利]分布式反馈加反射激光器-CN202011073661.9在审
发明人：松井康浩 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：一种分布式反馈加反射(DFB+R)激光器，包括有源区、无源区、低反射(LR)镜和标准具。有源区包括分布式反馈(DFB)光栅，并且被配置成在激射模下操作。无源区与有源区端对端地耦接。LR镜形成在无源区上或无源区中。该标准具包括DFB光栅的一部分、无源区和LR镜。有源区的激射模对准至标准具的反射峰的长波长边缘。
分布式反馈反射激光器

[发明专利]无源混合类型的显示装置及其驱动方法-CN201810825239.0在审
发明人：何志玲;赵景罡;张丽娜 -专利权人：浙江富申科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种无源混合类型的显示装置，包括无源液晶显示区、无源电泳型电子纸显示区、驱动控制芯片和与驱动控制芯片连接的接口部，所述无源电泳型电子纸显示区的驱动背板与无源液晶显示区的上基板或下基板共用同一块基板，且无源液晶显示区与无源电泳型电子纸显示区不重叠本发明还提供一种无源混合类型的显示装置的驱动方法。
无源电泳型电子纸驱动控制芯片液晶显示区混合类型显示装置显示区接口部基板驱动产品应用基板连接驱动背板不重叠上基板下基板产品结构

[发明专利]一种水平拉通型锗硅雪崩光电探测器-CN202210691507.0在审
发明人：戴道锌;项宇銮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：包括第一无源区、第二无源区和有源区，第一无源区通过有源区连接到第二无源区，第一无源区、第二无源区均由输入条形波导与锥形模式转换区构成；有源区中，锗吸收区从硅本征区中生长出来，作为探测器的吸收区；锗吸收区一侧依次与第一电荷收集区和第一欧姆接触层相连，另一侧依次与电荷区/雪崩放大区、第二电荷收集区和第二欧姆接触层相连，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层分别与第一电极和第二电极相连。
一种水平拉通型锗硅雪崩光电探测器

[发明专利]一种高功率分布反馈激光器-CN202110583304.5有效
发明人：陆巧银;向敏文;国伟华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开一种高功率分布反馈激光器，包括反射区、有源区和无源区，有源区、无源区和反射区内由下至上依次设置有下电极层、下波导盖层、无源波导层和上波导盖层，有源区的无源波导层和上波导盖层之间由下至上依次设置有有源层和有源波导层，有源波导层上设置有相移区，反射区和无源区一端设置有增透膜；上波导盖层上形成有脊波导结构，有源区内脊波导上由下至上依次设置有欧姆接触层和上电极层；有源层包括由下至上依次设置的下分别限制层、量子阱和上分别限制层，有源区的有源波导层和反射区的无源波导层均刻有布拉格光栅。反射区光栅可以精确控制相移，因而降低了器件的制作成本，提高了器件的边模抑制比。
一种功率分布反馈激光器

[发明专利]一种超高带宽的半导体激光器及其调制方法-CN202211427746.1在审
发明人：张敏明;田琦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高带宽的半导体激光器及其调制方法，半导体激光器包括：分布反馈激光器区和无源光反馈区，无源光反馈区包括分布于分布反馈激光器区两侧的第一无源光反馈段和第二无源光反馈段；分布反馈激光器区包括从下至上依次叠设的有源区、光栅层和顶电极，光栅层包括用于选模的一阶相移光栅和用于将光耦合至上方发射二阶光栅；第一无源光反馈段包括从下至上依次叠设的第一无源材料波导和第一电极，第二无源光反馈段包括从下至上依次叠设的第二无源材料波导和第二电极只要向无源光反馈段和分布反馈激光器区分别施加电流驱动，且调节两个无源光反馈段的电流，激光器的小信号响应曲线可以出现三峰响应，可大幅度提高器件的带宽。
一种超高带宽半导体激光器及其调制方法

[发明专利]脉搏感测元件-CN202010424852.9有效
发明人：许清华;黄仲钦;张倚涵;江旻谦;徐文斌;谢昊伦 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： A61B5/02 文献下载
摘要：一种包括基板、多个有源元件、多个有源电极、第一无源电极、第二无源电极以及多个接垫的脉搏感测元件被提出。基板具有有源区与接合区。多个有源元件与多个有源电极设置于有源区。第一无源电极与第二无源电极分别设置于至少部分有源电极的相对两侧。多个接垫设置于接合区。多个有源元件、第一无源电极与第二无源电极分别电性连接于这些接垫。
脉搏元件

[发明专利]无结纳米线场效应晶体管及其制造方法-CN202080006544.2有效
发明人：李龙飞;刘保良;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种无结纳米线场效应晶体管，包括无结纳米线(100)，无结纳米线(100)包括沿其轴线方向依次定义的源区(101)、沟道区(103)和漏区(102)；沟道区(103)为不掺杂或轻掺杂，源区(101)、漏区(102)和沟道区(103)掺杂类型相同。源区(101)和漏区(102)的掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度。一种无结纳米线场效应晶体管的制造方法，包括形成无结纳米线(100)，对沟道区(103)进行轻掺杂或不掺杂，使用掺杂工艺对源区(101)和漏区(102)进行与沟道区(103)的掺杂类型相同的掺杂，且掺杂浓度大于沟道区(103)的掺杂浓度，使得源极金属层(301)和漏极金属层(302)与半导体体硅接触时由肖特基势垒引起的接触电阻降低，增大器件的开态电流与跨导，抑制随机掺杂引起的波动。
纳米场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]激光器及其制造方法-CN202210344280.2在审
发明人：朱尧;周志强 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/02251 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光器及其制造方法，其中激光器包括无源段，无源段包括无源段波导层，光束在无源段波导层内沿第一方向传播，无源段波导层包括渐变区，渐变区沿第一方向厚度递减，渐变区沿第一方向宽度递增。制造方法包括在在基介质层上外延生长无源段波导层；制作掩膜；将掩膜盖在基介质层和部分无源段波导层上；将无源段波导层的渐变区刻蚀为沿第一方向厚度递减，沿第一方向宽度递增。
激光器及其制造方法

[发明专利]有源和无源雷达精度分区航迹综合处理方法及设备-CN202110338610.2有效
发明人：程东升;祁伟;孙合敏;蒋伟 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01S13/87 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种有源和无源雷达精度分区航迹综合处理方法及设备。所述方法包括：获取无源雷达探测空域及目标定位精度，根据目标情报质量标准及目标定位精度，构建精度分区规则；获取有源雷达的有效探测区域与无源雷达的有效探测区域的重叠区域，根据重叠区域确定非融合信息区及可融合信息区；根据精度分区规则确定非融合信息区和可融合信息区的信息处理模式。本发明实施例提供的有源和无源雷达精度分区航迹综合处理方法及设备，根据无源雷达目标定位精度对无源雷达探测空域进行区域划分，并在不同的区域内，对有源、无源雷达目标情报的综合处理进行自动管控，提高了情报处理效率，有效实现了有源、无源雷达目标情报的综合利用。
有源无源雷达精度分区航迹综合处理方法设备

[发明专利]一种无结型场效应晶体管-CN201710059574.X有效
发明人：万文波;楼海君;肖颖;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种无结型场效应晶体管，包括中心对称地设置在沟道区两侧的源区和漏区，沟道区、源区和漏区的掺杂类型和掺杂浓度均相同；沟道区上设置栅极介质层以及其上的栅电极；源区和漏区上分别设置源极介质层、源电极和源端侧电极、以及漏极介质层、漏电极和漏端侧电极；隔离介质层，将源电极和栅电极隔开；源电极和漏电极的功函数为根据掺杂类型确定的功函数，以在源区和漏区表面形成导电载流子层。本发明通过调节源电极和漏电极的金属功函数，可以在源区和漏区表面积累相应类型的载流子进行电流输运。该结构不仅可以抑制工艺波动线边缘粗糙对器件性能的影响，并且可以保持无结器件的电流驱动能力，优化无结器件的亚阈值特性，进而提高器件的稳定性。
一种无结型场效应晶体管

[发明专利]在有源区上具有存储节点的半导体器件及其制造方法-CN200810215206.0有效
发明人：赵珉熙;朴承培 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：公开了在有源区上具有存储节点的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底中的有源区，具有顺序地设置在有源区中的第一、第二和第三区域。半导体衬底中的无源区限定有源区。部分地掩埋在有源和无源区中的栅极图案被安置在第一与第二区域之间或第二与第三区域之间，成直角地与有源区相交。位线图案成直角地与栅极图案相交并且与无源区重叠，该位线图案包括电连接到有源区的第二区域的区域。该层间绝缘层上的存储节点电连接到有源区。第一存储节点与第一区域和无源区重叠，并且第二存储节点与第三区域、无源区和位线图案重叠。
有源具有存储节点半导体器件及其制造方法

[发明专利]波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器-CN202310057550.6在审
发明人：周代兵;安欣;贺卫利;梁松;赵玲娟;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种波长可调谐激光器的制备方法及其制备的激光器，该方法包括：在衬底层上生长增益层；对增益层进行划分，自左向右依次得到第一光栅区、第一增益区、第一相位区、第三光栅区、第二相位区、第二增益区和第二光栅区；刻蚀去除目标区的增益层；利用波导对接生长方法，在目标区生长无源层；在第一光栅区的无源层、第二光栅区的无源层和第三光栅区的无源层制作取样光栅；在无源层的上表面和增益层的上表面均生长包层和电接触层；刻蚀电接触层和包层
波长调谐激光器制备方法及其

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