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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种封装结构及其形成方法、封装系统-CN202310753967.6在审
发明人：王贻源;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种封装结构及其形成方法、封装系统，所述封装结构的形成方法包括：提供沿第一方向堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第二半导体结构远离所述第一半导体结构的一侧包括第一衬底；在所述第一衬底中形成至少一个冷却通道；形成与所述冷却通道连接的通道入口和通道出口；形成覆盖所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的塑封层；在所述塑封层中形成与所述通道入口连接的接入通道，和与所述通道出口连接的接出通道；所述接入通道和所述接出通道用于与外部冷却装置连接。
一种封装结构及其形成方法系统

[发明专利]芯片载体、其形成方法以及晶圆键合结构的形成方法-CN202310511377.2有效
发明人： 薛迎飞;蓝天 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种芯片载体、其形成方法以及晶圆键合结构的形成方法，其中，芯片载体的形成方法包括：提供基板；在所述基板内形成若干第一开口，各所述第一开口顶部的尺寸大于底部的尺寸，各所述第一开口用于固定芯片结构；在所述第一开口的底部表面、侧壁表面以及基板的顶部表面形成粘附层。所述芯片载体、芯片载体的形成方法以及晶圆键合结构，提高了芯片与晶圆键合过程中的对准精度，降低了对准难度，提升了键合集成工艺的效率。
芯片载体形成方法以及晶圆键合结构

[发明专利]芯片载体、其形成方法、晶圆键合结构及其形成方法-CN202310513429.X有效
发明人： 薛迎飞;王喜龙;宋倩倩;洪齐元 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种芯片载体、芯片载体的形成方法、晶圆键合结构以及晶圆键合结构的形成方法，其中，芯片载体的形成方法包括：提供初始基板；在所述初始基板内形成若干初始凹槽，形成基板；在所述初始凹槽侧壁表面形成侧墙结构，在所述初始凹槽内形成第一开口，所述侧墙结构暴露出所述基板表面，所述侧墙结构底部的厚度大于所述侧墙结构顶部的厚度，各所述第一开口用于固定芯片结构。所述芯片载体、芯片载体的形成方法、晶圆键合结构及其形成方法，提高了芯片与晶圆键合过程中的对准精度，降低了对准难度，提升了键合集成工艺的效率。
芯片载体形成方法晶圆键合结构及其

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202310287290.1在审
发明人：王喜龙;薛迎飞;余兴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及制备方法，所述半导体结构包括：第一晶圆层，其具有第一表面和第二表面，所述第一晶圆层的第一表面上具有第一图形结构，所述第一图形结构上方具有光阻挡层；第二晶圆层，其具有第一表面和第二表面，所述第二晶圆层的第一表面上具有第二图形结构，所述第二图形结构上方具有光阻挡层，所述第二晶圆层堆叠在所述第一晶圆层上；第三晶圆层，其具有第一表面和第二表面，所述第三晶圆层的第一表面上具有第三图形结构，所述第三图形结构上方具有光阻挡层，所述第三晶圆层堆叠在所述第二晶圆层上。能有效提高光刻对准工艺时对准精度。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种反熔丝器件及其制造方法-CN202211394411.4在审
发明人：余兴;朱梦丽;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种反熔丝器件及其制造方法。所述反熔丝器件包括：设于衬底内的第一掺杂区和第二掺杂区；位于所述衬底上的栅氧化层，所述栅氧化层包括沿第一方向紧邻设置的第一栅氧化层和第二栅氧化层，所述第二栅氧化层沿第二方向的长度大于所述第一栅氧化层沿所述第二方向上的长度，其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于衬底表面；所述第二栅氧化层包括位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的第一部分和位于所述第一掺杂区和所述第一栅氧化层之间的第二部分；所述第一栅氧化层沿第三方向上的厚度小于所述第二栅氧化层沿所述第三方向上的厚度，其中，所述第三方向为垂直于衬底表面的方向；位于所述栅氧化层上的栅极。
一种反熔丝器件及其制造方法

[发明专利]芯片及其设计方法-CN202111215561.X在审
发明人：杨溢;王贻源;薛迎飞;王喜龙 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种芯片及其设计方法，所述方法包括：根据芯片上多个标准单元的分布参数，确定所述芯片上至少两个不同区域的功耗；根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数；根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置。
芯片及其设计方法

[发明专利]集成电路的设计方法、设计设备及计算机存储介质-CN202111181480.2在审
发明人：王贻源;薛迎飞;王喜龙 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种集成电路的设计方法、设计设备及计算机存储介质，所述设计方法包括：获取待设计集成电路的版图，所述版图包括：衬底以及位于所述衬底内的多个标准单元，位于所述衬底上方且用于电连接所述多个标准单元的中间金属层，及贯穿所述衬底的导电通孔；在所述版图中抓取至少一个第一区域，所述第一区域内不含所述标准单元和所述导电通孔；在所述至少一个第一区域内抓取目标区域，所述目标区域内不含所述中间金属层，且所述目标区域位于所述第一区域的中央位置处；在所述目标区域内放置导热通孔。
集成电路设计方法设备计算机存储介质

[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器-CN202110410507.4在审
发明人：华文宇;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；在所述柱状本体侧面形成半包围所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两端；在所述柱状本体侧面形成覆盖所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道的两端部形成源电极和漏电极。上述技术方案是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。
晶体管制造方法基本存储单元以及动态随机存取存储器

[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器-CN202110410508.9在审
发明人：华文宇;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成贴附于绝缘侧墙的柱状导电沟道；在所述柱状导电沟道侧面形成半包围所述柱状导电沟道的栅绝缘层，并暴露所述柱状导电沟道两端；在所述柱状导电沟道侧面形成覆盖所述栅绝缘层的栅电极；在所述柱状导电沟道两端形成源电极和漏电极。上述技术方案是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。
晶体管制造方法基本存储单元以及动态随机存取存储器

[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器-CN202110411355.X在审
发明人：华文宇;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两侧的端部；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。
晶体管制造方法基本存储单元以及动态随机存取存储器

[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器-CN202110411368.7在审
发明人：华文宇;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成柱状导电沟道；形成环绕所述柱状导电沟道的栅绝缘层，并暴露所述柱状导电沟道两端；形成环绕所述栅绝缘层的栅电极；在所述柱状导电沟道两端形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。
晶体管制造方法基本存储单元以及动态随机存取存储器

[发明专利]堆叠式高带宽存储器-CN202011016040.7在审
发明人： 薛迎飞;王喜龙 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠式高带宽存储器，包括至少两个相互键合的芯片，所述两个芯片各自独立地选自于逻辑芯片和存储器芯片中的任意一种，两芯片之间的物理连接采取氧化物介质层作为中间层相互键合；两芯片之间的电学连接通过导电通孔直连。本发明各个芯片之间通过导电通孔(TSV)直接，相对于采用微凸块(uBump)连接的技术方案而言缩短了芯片间连线距离，减小了连线电阻值；采用氧化物介质层填满了芯片之间的空隙，介质层导热速度优于有机物填充料，因此增加了芯片散热速度；氧化物介质层替代微植球实现芯片之间的物理连接，也提高了芯片之间的连接牢固程度。以上技术方案都可以提升芯片性能。
堆叠带宽存储器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010980690.7在审
发明人：王喜龙;薛迎飞 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面，所述第一衬底内还具有若干沿垂直于第一衬底表面的方向重叠排布且相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一面暴露出所述第一掺杂区表面；位于所述第一衬底内的栅极，所述栅极自第一面朝向第二面延伸，每个栅极贯穿1个第一掺杂区以及1个第二掺杂区；位于所述第一面上的若干字线；位于所述第一面上的若干位线；位于所述第二面的若干电容，且每个电容在第二面的投影与1个第二掺杂区在第二面的投影至少部分重合。从而，降低了存储器的制造工艺难度，并提高了存储器的存储容量。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010808523.4在审
发明人： 薛迎飞;王喜龙 -专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供多个第一芯片，每个第一芯片具有相对的第一功能面和第一非功能面；提供载体晶圆，所述载体晶圆具有承载面；将多个所述第一芯片与载体晶圆固定，所述第一非功能面朝向承载面；提供第二晶圆；在将多个所述第一芯片与载体晶圆固定后，将所述第二晶圆与多个第一芯片键合，所述第一功能面朝向所述第二晶圆。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。
半导体结构及其形成方法

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