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[发明专利]含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法-CN202310292012.5在审
发明人：小林直贵;泷泽彼方;三井亮;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
金属硬掩膜形成组成图案方法

[发明专利]金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法-CN202310194659.4在审
发明人：小林直贵;郡大佑;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗蚀剂下层膜)形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，其特征为含有(A)金属氧化物纳米粒子、(B)为选自下列通式(I)、通式(II)及通式(III)中的一种以上表示的化合物及/或分子量5000以下的聚合物的流动性促进剂、及(C)有机溶剂，该(A)金属氧化物纳米粒子与该(B)流动性促进剂的重量比例为10/90～90/10。
金属氧化形成组成图案方法

[发明专利]有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法-CN202310160844.1在审
发明人：山本靖之;石绵健汰;矢野俊治;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明关于提供具有高程度平坦化特性的有机膜形成用组成物的有机膜形成用平坦化剂、含有此平坦化剂的有机膜形成用组成物、使用此组成物的有机膜形成方法、及图案形成方法。一种有机膜形成用平坦化剂，由以分子式表示的分子量为200～500的含芳香族的化合物构成，其特征为通过将该有机膜形成用平坦化剂掺合在复数粘度(complex viscosity)于175℃以上的温度范围为1.0Pa·s以上的含有有机膜形成用树脂及溶剂的组成物，以具有该组成物的复数粘度于175℃以上的温度范围成为未达1.0Pa·s的温度范围。
有机形成平坦组成方法图案

[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法-CN202211478179.2在审
发明人：小林直贵;郡大佑;山本靖之;佐藤裕典;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题的解决手段是一种抗蚀剂下层膜材料，特征为含有：(A)具有下述通式(1A)表示的化合物的树脂、及(B)有机溶剂；前述通式(1A)表示的化合物的Mw/Mn为1.00≤Mw/Mn≤1.25，前述通式(1A)中，X为下述通式(1B)表示的基团，前述通式(1B)中，R1为氢原子、碳数1～10的有机基团、及下述通式(1C)表示的结构中的任一者，构成前述R1的结构中，令氢原子的比例为a，并令碳数1～10的有机基团或前述通式(1C)表示的结构的比例为b时，以(A)成分整体计，符合a+b＝1、0.2≤b≤0.8的关系。
抗蚀剂下层材料图案形成方法以及

[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法-CN202211394286.7在审
发明人：佐藤裕典;郡大佑;小林直贵;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。本发明提供具有优良的填埋特性、密合性、及良好的平坦化特性的抗蚀剂下层膜材料、使用此材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，其特征为含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂、及(B)有机溶剂，且前述树脂的含量为20质量％以上。
抗蚀剂下层材料图案形成方法

[发明专利]抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法-CN202211393733.7在审
发明人：小林直贵;郡大佑;新井田惠介;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
抑制半导体图案崩塌填充形成材料处理方法

[发明专利]热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法-CN202010017271.3有效
发明人： 矢野俊治;三井亮;前田和规;荻原勤;橘诚一郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C08G77/18 文献下载
摘要：本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
化性化合物含硅膜形成组成以及图案方法

[发明专利]有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010660845.9在审
发明人：郡大佑;石绵健汰;山本靖之;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
有机形成组合图案方法以及聚合物

[发明专利]图案形成方法-CN201910864595.8在审
发明人：荻原勤;矢野俊治;前田和规;三井亮;永田岳志 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
图案形成方法

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