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[发明专利]有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法-CN202310160844.1在审
发明人： 山本靖之;石绵健汰;矢野俊治;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明关于提供具有高程度平坦化特性的有机膜形成用组成物的有机膜形成用平坦化剂、含有此平坦化剂的有机膜形成用组成物、使用此组成物的有机膜形成方法、及图案形成方法。一种有机膜形成用平坦化剂，由以分子式表示的分子量为200～500的含芳香族的化合物构成，其特征为通过将该有机膜形成用平坦化剂掺合在复数粘度(complex viscosity)于175℃以上的温度范围为1.0Pa·s以上的含有有机膜形成用树脂及溶剂的组成物，以具有该组成物的复数粘度于175℃以上的温度范围成为未达1.0Pa·s的温度范围。
有机形成平坦组成方法图案

[发明专利]有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法-CN202211477433.7在审
发明人：新井田惠介;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C09D4/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法。本发明提供一种有机膜形成材料，其在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，不仅是在即使具有宽广沟渠结构(wid trench)等特别难以平坦化的部分的被加工基板上仍能形成平坦性、成膜性优异的有机膜，而且对于在以CVD法形成无机硬掩膜中间膜时的高温的加热亦能够耐受。一种有机膜形成材料，其特征为含有：(A)下列通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。
有机形成材料半导体装置制造用基板方法图案

[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法-CN202211478179.2在审
发明人：小林直贵;郡大佑;山本靖之;佐藤裕典;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题的解决手段是一种抗蚀剂下层膜材料，特征为含有：(A)具有下述通式(1A)表示的化合物的树脂、及(B)有机溶剂；前述通式(1A)表示的化合物的Mw/Mn为1.00≤Mw/Mn≤1.25，前述通式(1A)中，X为下述通式(1B)表示的基团，前述通式(1B)中，R1为氢原子、碳数1～10的有机基团、及下述通式(1C)表示的结构中的任一者，构成前述R1的结构中，令氢原子的比例为a，并令碳数1～10的有机基团或前述通式(1C)表示的结构的比例为b时，以(A)成分整体计，符合a+b＝1、0.2≤b≤0.8的关系。
抗蚀剂下层材料图案形成方法以及

[发明专利]有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物-CN202211211942.5在审
发明人：郡大佑;小林直贵;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物。本发明的目的是提供一种化合物，能形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成材料。本发明的解决手段是一种有机膜形成材料，其特征在于含有下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，R1是下述式(2)的任一者，R2表示硝基、卤素原子、羟基、烷基氧基、炔基氧基、烯基氧基、直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、三氟甲基氧基；n表示0或1，m表示1～3的整数，p表示0或1，l表示0～2的整数；W是碳数2～40的2价有机基团。
有机形成材料图案方法以及化合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物-CN202211182821.2在审
发明人：郡大佑;山本靖之;小林直贵 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物。本发明的解决手段是一种有机膜形成用组成物，其特征在于含有下述通式表示的有机膜形成材料及有机溶剂。该通式中，R1为氢原子、烯丙基、或炔丙基，R2表示硝基、卤素原子、羟基、碳数1～4的烷基氧基、碳数2～4的炔基氧基、碳数2～4的烯基氧基、碳数1～6的直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、或三氟甲基氧基；m＝0、1，n＝1、2，l＝0、1，k表示0～2的整数，W是碳数1～40的2价有机基团；V各自独立地表示氢原子或连接部分。
有机形成组成图案方法以及化合物聚合物

[发明专利]涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法-CN202110240480.9在审
发明人：新井田惠介;郡大佑;山本靖之;中原贵佳;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
涂布型有机形成组成图案方法聚合物以及制造

[发明专利]有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物-CN202011354547.3在审
发明人：郡大佑;中原贵佳;石绵健汰;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
有机形成用材图案方法以及聚合物

[发明专利]有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010660845.9在审
发明人：郡大佑;石绵健汰;山本靖之;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
有机形成组合图案方法以及聚合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010413700.9在审
发明人：郡大佑;中原贵佳;泽村昂志;佐藤裕典;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用其的图案形成方法及适合其的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)或(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，Ar1、Ar2表示也可以有取代基的苯环或萘环，X为单键或亚甲基，L为下列中的任一者；上式中的破折线代表价键，R为氢原子或碳数1～20的1价有机基团。上述通式(1B)中，W1为羟基、碳数1～10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团，Ar1、Ar2、X、L同前所述。
有机形成组成图案方法以及聚合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物-CN202010379131.0在审
发明人：郡大佑;中原贵佳;山本靖之;佐藤裕典;荻原勤 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用此有机膜形成用组成物的图案形成方法，及适合此有机膜形成用组成物的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。该聚合物，利用伴随位于芴环上的三苯甲基位的氢彼此的脱氢的偶联反应而交联。[化1]
有机形成组成图案方法以及聚合物

[发明专利]脱硫装置-CN201410505708.2有效
发明人：野口明彦;山本靖之 -专利权人：新日铁住金工程技术株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本发明提供一种脱硫装置。脱硫装置(1)包括：脱硫塔(20)，通过使焦炉煤气(G1)与吸收液(S2)对流接触来将焦炉煤气中的硫化物吸收到吸收液中；再生塔(30)，向从脱硫塔排出的吸收液供给含有氧的气体而将硫化物氧化，使至少一部分吸收液在脱硫塔中循环。脱硫塔具有多层吸收层(26)。各个吸收层具有200mm～1500mm的厚度，用于将吸收液暂时保持而自上向下进行引导，焦炉煤气自下向上通过该吸收层。再生塔(30)具有混合槽(40)。混合槽从脱硫塔中接收吸收液，并且接收含有氧的气体而构成气液混合流体，使气液混合流体一边回旋一边上升。
脱硫装置

[发明专利]聚集装置及聚集方法、微小物体聚集结构体的制造装置、微生物的聚集除去装置、被检测物质的检测装置、被分离物质的分离装置以及被导入物质的导入装置-CN201580023860.X在审
发明人：饭田琢也;床波志保;中濑生彦;西村勇姿;山本靖之 -专利权人：公立大学法人大阪府立大学;夏普株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明的聚集装置(100)将粒径互不相同的的微珠(1、2)聚集。聚集装置(100)具备基板(10)和光发热用光源(20)。基板(10)以能够保持分散有微珠(1、2)的样品(13)的方式构成。光发热用光源(20)向基板(10)或样品(13)照射激光(201)，使样品(13)内产生温度差。
聚集装置方法微小物体结构制造微生物除去检测物质分离以及导入

[实用新型]脱硫装置-CN201420562329.2有效
发明人：野口明彦;山本靖之 -专利权人：新日铁住金工程技术株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C10K1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种脱硫装置。脱硫装置(1)包括：脱硫塔(20)，通过使焦炉煤气(G1)与吸收液(S2)对流接触来将焦炉煤气中的硫化物吸收到吸收液中；再生塔(30)，向从脱硫塔排出的吸收液供给含有氧的气体而将硫化物氧化，使至少一部分吸收液在脱硫塔中循环。脱硫塔具有多层吸收层(26)。各个吸收层具有200mm～1500mm的厚度，用于将吸收液暂时保持而自上向下进行引导，焦炉煤气自下向上通过该吸收层。再生塔(30)具有混合槽(40)。混合槽从脱硫塔中接收吸收液，并且接收含有氧的气体而构成气液混合流体，使气液混合流体一边回旋一边上升。本实用新型能够提供一种脱硫能力优异的脱硫装置。
脱硫装置

[发明专利]数据传送方法和数据传送设备-CN03147639.2有效
发明人： 山本靖之 -专利权人：索尼计算机娱乐公司
申请日： 1998-04-22 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：第一总线(11)和第二总线(12)通过具有缓冲存储器的总线中继器(13)连接，DMA(直接存储器控制)控制器(22、27)分别连接这两条总线(11和12)。总线中继器(13)能发出DMA请求到DMA控制器(22、27)，CPU(21、26)能屏蔽这些DMA请求，DMA控制器(22)DMA传送总线(11)上的数据到总线中继器(13)中的缓冲存储器，或从该缓冲存储器中DMA传送数据。DMA控制器(27)在缓冲存储器和总线(12)之间DMA传送数据。CPU(21)能屏蔽来自总线中继器的DMA请求，并直接存取该缓冲器以检验DMA功能。这就有助于要通过缓冲器在不同总线之间进行DMA传送的系统调试。
数据传送方法设备

[发明专利]数据传送方法和数据传送设备-CN98800800.9有效
发明人： 山本靖之 -专利权人：索尼计算机娱乐公司
申请日： 1998-04-22 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：第一总线(11)和第二总线(12)通过具有缓冲存储器的总线中继器(13)连接，DMA(直接存储器控制)控制器(22、27)分别连接这两条总线(11和12)。总线中继器(13)能发出DMA请求到DMA控制器(22、27)，CPU(21、26)能屏蔽这些DMA请求，DMA控制器(22)DMA传送总线(11)上的数据到总线中继器(13)中的缓冲存储器，或从该缓冲存储器中DMA传送数据。DMA控制器(27)在缓冲存储器和总线(12)之间DMA传送数据。CPU(21)能屏蔽来自总线中继器的DMA请求，并直接存取该缓冲器以检验DMA功能。这就有助于要通过缓冲器在不同总线之间进行DMA传送的系统调试。
数据传送方法设备

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