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[发明专利]具有其中包含空隙的热屏蔽的拉锭器设备-CN202180088011.8在审
发明人：柯佳颖;S·S·巴加瓦特;J·柳;B·迈耶;W·卢特尔;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：公开用于通过丘克拉斯基方法制备单晶硅锭的拉锭器设备。所述拉锭器设备包含热屏蔽。所述热屏蔽具有腿片段，所述腿片段包含安置于所述腿片段中的空隙(即，无隔热件的开放空间)。所述热屏蔽还可包含部分在所述热屏蔽内的隔热件。
具有其中包含空隙屏蔽拉锭器设备

[发明专利]具有腰带的吸收制品-CN202080107374.7在审
发明人：张京植;A·马金;J·柳;M·恩比德 -专利权人：金伯利-克拉克环球有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： A61F13/494 文献下载
摘要：公开了包括弹性腰部构件的吸收制品和制造方法。在一个实施方案中，吸收制品能够包括底片，该底片包括吸收主体和面向身体的表面。该制品还能够包括设置在该底片的该面向身体的表面上的第一粘合剂，以及通过该第一粘合剂联接到该底片的该面向身体的表面的弹性腰部构件。该制品还能够包括设置在该弹性腰部构件上的第二粘合剂，以及通过该第二粘合剂联接到该弹性腰部构件的腰区覆盖材料。
具有腰带吸收制品

[发明专利]用于确定拉晶器中硅熔体与反射器之间的距离的非接触式系统及方法-CN202180085611.9在审
发明人： B·M·迈耶;W·L·卢特尔;J·柳 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种测量系统包含界定中心通道及开口的反射器、测量组合件以及控制器。所述测量组合件包含具有通过所述开口可见的头部的运行销、通过所述反射器中的所述开口捕获图像的相机及通过所述开口将相干光传输到所述运行销的所述头部以在硅熔体的表面上产生所述运行销的反射的激光器。所述控制器经编程以控制所述激光器以将来自所述激光器的相干光引导到所述运行销，在将所述相干光引导在所述运行销处的同时通过所述开口控制所述相机捕获图像，及基于所述经捕获图像中的所述运行销的所述反射的位置确定所述硅熔体的所述表面与所述反射器的底面之间的距离。
用于确定拉晶器中硅熔体反射之间距离接触系统方法

[发明专利]将热屏蔽安置在侧加热器下方的拉锭器设备及使用此设备制备锭的方法-CN202080107867.0在审
发明人： S·S·巴加瓦特;P·达葛卢;B·M·迈耶;J·柳 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：公开在侧加热器下方安置有热屏蔽的拉锭器设备及用于在此拉锭器设备中制备锭的方法。在一些实施例中，所述侧加热器相对较短。当坩埚在所述拉锭器中位于其最低位置时，所述侧加热器可完全高于所述坩埚的底面。
屏蔽安置加热器下方拉锭器设备使用制备方法

[发明专利]通过水平磁场柴式法生产单晶锭的方法-CN202180052415.1在审
发明人： J·柳;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;池浚焕;尹佑镇 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开用于通过水平磁场柴式法生产单晶硅锭的方法。在颈部的生长及/或冠部的至少一部分的生长期间，不对所述颈部及/或冠部施加磁场，或者施加1500高斯或更小的相对弱的磁场。在锭主体的生长期间施加水平磁场(例如，大于1500高斯)。
通过水平磁场柴式法生产单晶锭方法

[发明专利]在单晶硅锭生产期间确定杂质积累的多个样品棒生长-CN201980043763.5有效
发明人：卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;J·柳 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明揭示其中从熔体生长多个样品棒的用于形成单晶硅锭的方法。测量与所述熔体或所述锭的杂质浓度相关的参数。在一些实施例中，所述样品棒各自具有小于产品锭的直径的直径。
单晶硅生产期间确定杂质积累样品生长

[发明专利]使用水平磁场生产硅的系统及方法-CN202080086321.1在审
发明人： J·柳;池浚焕;尹佑镇;R·菲利普斯;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含：旋转装纳硅熔融物的坩埚；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。
使用水平磁场生产系统方法

[发明专利]用于高分辨率、高速胶囊内窥镜检查的系统和方法-CN202080075129.2在审
发明人： G·J·蒂尔尼;J·柳 -专利权人：通用医疗公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： A61B1/05 文献下载
摘要：一种用于执行内窥镜检查的探头，包括：光源；波导，所述波导耦合到光源；衍射光栅，波导将光从光源引导到衍射光栅；以及透镜，所述透镜具有第一非球面表面和第二双圆锥表面，来自衍射光栅的衍射光被引导到透镜的非球面表面中并且从透镜的双圆锥表面朝向探头的透明圆柱形表面发射。
用于高分辨率高速胶囊内窥镜检查系统方法

[发明专利]包含磁性变色微胶囊的打印装置和组合物-CN201980019622.X有效
发明人： S·H·韩;J·河;J·S·查;W·Y·郑;J·柳;J·H·朱 -专利权人：法国比克公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B41J2/035 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于打印或分配可固化打印组合物的打印装置，所述可固化打印组合物能够以未固化状态响应于施加磁场而改变颜色。所述打印装置可以是手持型装置，例如便携式笔。本公开进一步涉及可与前述打印装置组合使用或在其它应用中使用的可固化组合物、墨盒和方法。
包含磁性变色微胶囊打印装置组合

[发明专利]具有腰部防漏构件的吸收制品-CN201780089571.9有效
发明人： J·柳;K·金;J·洪;E·黄 -专利权人：金伯利-克拉克环球有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： A61F13/494 文献下载
摘要：一种吸收制品(10，110，210)可包含具有第一纵向侧边缘(72)、第二纵向侧边缘(74)、近侧部分(76)和远侧部分(78)的腰部防漏构件(54)。折叠部(79a)能将所述近侧部分(76)与所述远侧部分(78)分离。所述近侧部分(76)能联接到底托(11)，并且所述远侧部分(78)能被构型为在所述吸收制品(10，110，210)处于松弛构型时相对于所述底托(11)自由移动以提供开口(89)。所述折叠部(79a)能安置成相比所述远侧部分(78)的自由边缘(88)更接近所述横向轴线(31)。所述吸收制品(10，110，210)可包含一对防漏折片(50，52)。所述防漏折片(50，52)可各自包含底部部分(64)和突出部分(66)。
具有腰部防漏构件吸收制品

[发明专利]使用连续柴可斯基(CZOCHRALSKI)方法生长单晶硅锭的方法-CN202080029515.8在审
发明人：卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;J·柳 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开一种用于通过连续柴可斯基(Czochralski)方法生长单晶硅锭的方法。熔体深度及热条件在生长期间是恒定的，这是因为硅熔体在其被消耗时被连续补充，且坩埚位置是固定的。临界v/G由热区配置确定，且在生长期间连续补充硅到熔体实现在锭的主体的基本部分的生长期间锭以与所述临界v/G一致的恒定提拉速率生长。
使用连续柴可斯基 czochralski 方法生长单晶硅

[发明专利]用于激光扫描显微镜的基于散斑的图像畸变校正-CN202080025783.2在审
发明人： G·J·蒂尔尼;J·柳 -专利权人：通用医疗公司
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02B27/48 文献下载
摘要：一种校正图像的畸变的方法，包括：由处理器，分析该图像的图像段以识别散斑伪影，该图像段从扫描成像设备获得；由该处理器，确定该散斑伪影的形状的纵横比；由该处理器，基于该纵横比确定用于该散斑伪影的该形状的校正因子；以及由该处理器，基于该校正因子来调整该图像段的维度。
用于激光扫描显微镜基于图像畸变校正

[发明专利]用于抬头显示器的驱动装置-CN201880029750.8有效
发明人： J·柳 -专利权人：大陆汽车有限责任公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于抬头显示器的驱动装置，该驱动装置包括马达；驱动齿轮，其安装在所述马达上，且当所述马达运转时所述驱动齿轮旋转；蜗轮，其通过其内部与所述驱动齿轮接合，并且通过与所述驱动齿轮互锁而旋转；可移动的镜，其构造成反射图像信号并通过与蜗轮接合而线性地移动；止挡件，其构造成限制所述可移动的镜的移动；以及防弯曲部，其形成在驱动齿轮中并构造成插入到所述蜗轮中，使得在过量扭矩部分维持驱动齿轮和蜗轮之间的接合，进而防止噪音产生。
用于抬头显示器驱动装置

[发明专利]用于高电阻率及超高电阻率单晶硅锭生长的阔颈板的改进型电阻率稳定测量-CN201980086459.9在审
发明人：卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;李衡敏;J·柳;R·J·菲利普斯;R·W·斯坦德利 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明揭示具有改进型电阻率控制的用于形成单晶硅锭的方法。所述方法涉及样品棒的生长。所述样品棒可具有小于产品锭的直径的直径。裁切所述样品棒以形成中心板。可例如通过四点探针直接测量所述中心板的电阻率。可在测量所述电阻率之前在热供体消除循环中使所述样品棒或任选地所述中心板退火，且使用光辐射所述经退火棒或板以便增强松弛速率且实现更快速电阻率测量。
用于电阻率超高单晶硅生长阔颈板改进型稳定测量

[发明专利]单晶硅锭生产期间的样品棒生长及电阻率测量-CN201980043704.8在审
发明人：卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;J·柳;R·J·菲利普斯;R·斯坦德利;李衡敏;李荣中 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明揭示具有经改进电阻率控制的用于形成单晶硅锭的方法。所述方法涉及样品棒的生长及电阻率测量。所述样品棒可具有小于产品锭的直径的直径。可通过使电阻率探针与形成在所述样品棒上的平坦片段接触而直接测量所述样品棒的电阻率。可在测量所述电阻率之前在热供体消除循环中使所述样品棒退火。
单晶硅生产期间样品生长电阻率测量

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