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[实用新型]一种进口污水自动沉淀系统-CN202222259983.3有效
发明人：钱兆森;吕灿;滕宁宁;耿庆涛;龚军;戴培勤;冀润田;王金翠;刘测;王立伟;田浩 -专利权人：山东中节能天融环保技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01D21/02 文献下载
摘要：一种进口污水自动沉淀系统，进水管、出水管和取样管，进水管出水口上通过第一三通管路连接取样管进水口和出水管进水口，对应所述取样管进水口方向设置有第一电磁阀，转运方便，通过设置保温隔热腔从而保持制冷片所创造的隔热低温环境，利于药剂的保存，通过设置加液管，需要倒出药剂时，仅需要通过将加液软管连接在加液管上，然后通过加液管对药液进行定量输出，从而避免了药剂的倾倒，防止药剂的泄漏。
一种进口污水自动沉淀系统

[实用新型]一种具有自动保护系统的水质监测装置-CN202222311380.3有效
发明人：耿庆涛;刘测;张召波;龚军;戴培勤;吕灿;冀润田;王金翠;滕宁宁 -专利权人：山东中节能天融环保技术有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：一种具有自动保护系统的水质监测装置，涉及水质检测设备技术领域，包括反应釜，所述反应釜设置在控制柜内，所述控制柜包括柜体和安装在所述柜体一个侧面上的柜门，所述柜门门板内镶嵌有门板电磁铁，所述柜体上对应所述门板电磁铁设置有柜体磁铁，所述控制柜内还设置有控制主板，所述控制主板信号连接所述门板电磁铁，所述柜门门板的外侧还设置有报警灯，所述控制柜内还设置有温湿度仪，所述温湿度仪信号连接所述控制主板。通过设置门板电磁铁和柜体磁铁通电吸合，从而在设备进行消解反应时，控制柜门板关闭不可手动打开，从而有效防止阀体出现漏液、反应釜爆炸，导致试剂飞溅损伤工作人员。
一种具有自动保护系统水质监测装置

[发明专利]一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件-CN202011119370.9有效
发明人： 王金翠;张秀全;张涛;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，方法包括：在基底层顶表面形成与目标薄膜图案相同的图案保护层，以及裸露区；对裸露区表面处理，使裸露区的表面粗糙度大于或等于0.5nm；去除图案保护层，得到处理后的基底层，利用离子注入法和键合分离法，在处理后的基底层顶表面形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。本申请通过在薄膜层与处理后的基底层键合分离时，由于裸露区和键合区的粗糙度不同，而在粗糙度较小的键合区上形成具有目标薄膜图案的图案薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的图案薄膜层，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
一种具有图案薄膜合体制备方法电子器件

[发明专利]一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件-CN202011119363.9有效
发明人： 王金翠;张秀全;张涛;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，包括对基底裸露区表面粗糙处理，使基底裸露区的表面粗糙度大于或等于基底层顶表面与薄膜基体顶表面键合分离的粗糙度临界值；由薄膜基体顶表面向薄膜基体内注入离子，在薄膜裸露区对应的薄膜基体内形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层的表面图案与目标薄膜图案相同；将处理后的薄膜基体顶表面与处理后的基底层顶表面键合；对键合体热处理，得到具有图案的薄膜键合体。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在处理后的基底层上制备出图案表面完好的薄膜层，并且制备工艺简单，不需要对薄膜层进行刻蚀处理，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
一种具有图案薄膜合体制备方法电子器件

[发明专利]一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件-CN202011119349.9有效
发明人： 王金翠;张秀全;张涛;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开的一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件，包括：在薄膜基体顶表面制备图案保护层，薄膜基体顶表面的裸露区形成的图案与目标薄膜图案相同；向薄膜基体内进行离子注入，由于图案保护层的保护作用，只在薄膜基体内形成与目标薄膜图案相同的薄膜层；去除图案保护层，在薄膜基体顶表面形成非离子注入区，并对所述非离子注入区表面粗糙处理；利用键合分离方法，在基底层上直接形成具有与目标薄膜图案相同的薄膜层。与现有技术相比，本申请提供的制备方法，能够在基底层上制备出图案表面完好的薄膜层，并且制备工艺简单，不需要对薄膜层进行刻蚀处理，从而能够保证应用的电子器件的信噪比、啁啾、耦合效率等。
一种具有图案薄膜合体制备方法电子器件

[发明专利]一种注入靶盘改良方法-CN202210829228.6在审
发明人：张涛;连坤;王金翠 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本申请保护了一种注入靶盘改良方法，包括将靶盘在抛光液中进行一次抛光，得到粗抛靶盘；将所述粗抛靶盘在抛光液中进行二次抛光，得到细抛靶盘。其中抛光液包括水、研磨液、光亮剂和磁性钢针，所述水与所述研磨液的比例为6:1‑10:1，所述水与所述光亮剂的比例为6:1‑10:1。本申请通过对靶盘进行磁力抛光处理，将靶盘表面加工损伤层去除，露出里面新鲜层，然后对靶盘进行清洁处理，得到改良靶盘。改良后的靶盘，使用过程中束流长时间轰击，也不会引起靶盘起皮脱落。
一种注入改良方法

[发明专利]一种加载条型光波导集成结构及其制备方法-CN202010887010.7有效
发明人：张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供的一种加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型掺杂光波导，以及包覆加载条型掺杂光波导的波导包层，其中，加载条型掺杂光波导为掺杂重质量离子的无机材料A，波导包层为无掺杂无机材料B，加载条型掺杂光波导与波导包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型掺杂光波导的底表面与波导包层的底表面在同一水平面，加载条型掺杂光波导的顶表面与波导包层的顶表面在同一水平面。光调制层位于功能薄膜层与隔离层之间，一方面，不会增加驱动电压；另一方面，光信号能够被折射率小的波导包层限制在折射率大的加载条型掺杂光波导和功能薄膜层中传输。
一种加载条型光波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种离子注入的方法-CN202010674035.9有效
发明人： 王金翠;张涛;张秀全;刘桂银;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了一种离子注入的方法，所述方法同时对多片晶片进行大束流离子注入，所述多片晶片在冷却周期内被轮流注入，每片晶片均经过多轮离子注入而最终完成离子注入，所述方法能够采用大束流对晶片进行离子注入，并且在离子注入的过程中能够控制每片晶片的温度均在预设温度范围内，既提高离子注入效率，也能够避免注入片发生翘曲，最终保证所制备薄膜的性能。
一种离子注入方法

[发明专利]一种复合薄膜、制备方法及电子元器件-CN202210522181.9在审
发明人：连坤;王金翠;纪鹏飞;严先成 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本申请公开一种复合薄膜、制备方法及电子元器件，所述制备方法，包括：利用化学气相沉积法，在衬底基板上制备隔离层，得到复合衬底；将所述复合衬底，通过水浴降温至目标温度；在所述复合衬底上制备薄膜层，得到复合薄膜。本申请先利用化学气相沉积法，在衬底基板上制备隔离层，得到复合衬底；然后将复合衬底，通过水浴降温至目标温度，这样降温后的复合衬底不会发生翘曲问题。
一种复合薄膜制备方法电子元器件

[发明专利]一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法-CN202010887032.3有效
发明人：张秀全;王金翠;刘桂银;李真宇;张涛;杨超;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供的一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型光波导，以及包覆加载条型光波导的掺杂包层，其中，掺杂包层为掺杂无机材料，加载条型光波导为二氧化硅材料，加载条型光波导与掺杂包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型光波导的底表面与掺杂包层的底表面在同一水平面，加载条型光波导的顶表面与掺杂包层的顶表面在同一水平面。光可以被限制在折射率大的加载条型光波导内传输。同时，由于本申请实施例中的加载条型光波导与光纤芯层材料相同，均为二氧化硅材料，因此，当光纤耦合至加载条型光波导时，属于相同材料之间的耦合，耦合损耗低。
一种二氧化硅加载条型光波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种退火方法、复合薄膜及电子元件-CN202011608542.9有效
发明人： 王金翠;张涛;张秀全;胡卉;刘桂银;刘阿龙 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供了一种退火方法、复合薄膜及电子元件。本申请提供的方法包括：利用离子注入与键合相结合的方法制备复合薄膜结构体，复合薄膜结构体由下至上包括衬底层和薄膜层；在薄膜层上制备掩膜层；在掩膜层的预设位置处，对掩膜层和薄膜层进行瞬间高温处理；去除经过瞬间高温处理的掩膜层。本申请提供的方法不仅能有效消除在离子注入过程中对薄膜层造成的晶格损伤，并且由于本申请提供的退火方法是利用瞬间高温进行退火，因此衬底层不会长期处于高温环境中，进而也避免了高温对衬底层造成的各层之间相互拉扯或脱落。
一种退火方法复合薄膜电子元件

[发明专利]一种用于改善晶圆抛光厚度均匀性的装置-CN202010668755.4有效
发明人： 王金翠;张秀全;刘桂银;李真宇;孙飞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于改善晶圆抛光厚度均匀性的装置，包括补偿件，所述补偿件包括切边和弧形边，其中，所述切边与待抛光晶圆的大切边对齐后，所述补偿件与所述待抛光晶圆拼接成完整的圆形，所述补偿件的厚度与所述待抛光晶圆的厚度差大于等于‑0.04mm，且小于等于0.04mm。采用与待抛光晶圆大切边空缺部分配合的补偿件，补偿待抛光晶圆大切边与其它边缘的形变差异，对大切边位置处的受力进行平衡补偿，使待抛光晶圆大切边与其它边缘在抛光时受力一致，从而减小了大切边与其它边缘抛光后的厚度差，提高了整个晶圆的厚度均匀性。
一种用于改善抛光厚度均匀装置

[发明专利]一种具有高厚度隔离层的复合衬底及其制备方法-CN202210638753.X在审
发明人： 王金翠;纪鹏飞;连坤;邢兆辉;李勇帅;张耀亮 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开一种具有高厚度隔离层的复合衬底及其制备方法，属于半导体制备技术领域，包括：在衬底层上交替执行以下步骤至少两次，制备得到目标厚度的隔离层；其中，在衬底层上交替执行的步骤，包括：沉积第一硅层；将第一硅层全部氧化为二氧化硅，得到子隔离层；其中，隔离层的目标厚度为每次制备得到的子隔离层的厚度之和，每次制备得到的子隔离层的厚度均小于等于6μm，隔离层的目标厚度大于6μm。这样，通过多个厚度小于等于6μm的子隔离层，形成目标厚度大于6μm的隔离层，这样制备具有高厚度隔离层的复合衬底所需的时间，少于直接在衬底层上制备具有高厚度隔离层的复合衬底所需的时间，并且制备得到的隔离层致密、表面粗糙度低。
一种具有厚度隔离复合衬底及其制备方法

[发明专利]含1,2-二氯乙烷和硫酸盐地下水的模拟修复系统和方法-CN202010819395.3有效
发明人：崔海炜;靳盛海;吕晓立;王金翠;张英;何泽 -专利权人：中国地质科学院水文地质环境地质研究所
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种含1,2‑二氯乙烷和硫酸盐地下水的模拟修复系统和方法，所述系统是将顶部敞口的长方形箱式壳体自左向右依次分隔为污染源段、污染物迁移转化段和污染物修复段；所述污染物修复段的样品空间层自左向右依次为填充过硫酸盐、电气石、黄铁矿和石英砂的混合物的氧化物填充层以及填充电气石、石英砂和硫酸盐还原菌的混合物的脱硫物填充层。本发明优化了含水层的pH值和氧化还原电位，整体提高地下水中类芬顿系统的氧化性和硫酸盐还原菌的活性，明显提升了生物修复系统、化学氧化系统在工业污染地下水修复中的有效性和实用性。
二氯乙烷硫酸盐地下水模拟修复系统方法

[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件-CN202110087678.8有效
发明人： 王金翠;张秀全;刘阿龙;连坤;刘桂银;杨超;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请公开的一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括依次层叠的第一功能薄膜层、第一隔离层、第二隔离层、第二功能薄膜层和衬底层；第二功能薄膜层中与第二隔离层接触的表面的粗糙度大于第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度，第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度大于第一隔离层中与第一功能薄膜层接触的表面的粗糙度；其中，第一功能薄膜层采用电光晶体材料，第二功能薄膜层采用宽禁带半导体材料。在第二隔离层和衬底层之间增设具有禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场强度好、耐高温等特点的宽禁带半导体材料，能够增强第一功能薄膜层抵抗恶劣环境的能力，满足电子元器件在恶劣的环境下稳定工作的需求。
一种电光晶体薄膜制备方法电子元器件