“泷泽修一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子电路模块及其制造方法-CN202210377658.9在审
发明人： 泷泽修一;吉野纯;冲野友贵;原田大梦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本发明涉及电子电路模块及其制造方法，能够防止因焊料回流焊时的热负荷引起的剥离而发生连接不良。电子电路模块(10)包括：电路板(11)、搭载于电路板(11)的上表面(11b)的电子部件(15a、15b)、和以将电子部件(15a、15b)埋入其中的方式覆盖电路板(11)的上表面(11b)和侧面(11c)的模制部件(16)。电路板(11)的侧面(11c)的下部区域(11c1)没有被模制部件(16)覆盖而露出。由此，形成于模制部件(16)的端面(16c)与下部区域(11c1)之间的空间(S)能够作为底部填充材料的收纳部发挥作用，因此，即使底部填充材料过剰了，在焊料回流焊时产生的剥离也不易扩展。
电子电路模块及其制造方法

[发明专利]电子电路封装件及其制造方法、以及具备电子电路封装件的电子设备-CN202310346198.8在审
发明人： 泷泽修一;原田大梦;吉野纯;冲野友贵 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本说明书中公开的电子电路封装件具备：封装件基板，其具有：上表面、位于所述上表面的相反侧的底面、及将所述上表面和所述底面相连的侧面；电子部件，其搭载于所述封装件基板的所述上表面；第一保护层，其以将所述电子部件埋入的方式，覆盖所述封装件基板的所述上表面；以及第二保护层，其覆盖所述封装件基板的所述侧面，所述第一保护层和所述第二保护层相接。
电子电路封装及其制造方法以及具备电子设备

[发明专利]半导体膜、光电转换元件、光检测元件和电子装置-CN202310651016.8在审
发明人： 泷泽修一;塩见治典 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/35 文献下载
摘要：一种半导体膜，包含：第一半导体纳米粒子、第二半导体纳米粒子、第一化合物和第二化合物，所述第一化合物由以下通式(1)表示：在所述通式(1)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数，B1表示Li、Na或K，并且所述第二化合物由以下通式(2)表示：在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数，B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(1)表示的所述第一化合物与所述第一半导体纳米粒子配位，并且其中由所述通式(2)表示的所述第二化合物与所述第二半导体纳米粒子配位。#imgabs0#
半导体光电转换元件检测电子装置

[发明专利]半导体膜的制造方法-CN202310653554.0在审
发明人： 泷泽修一;塩见治典 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：一种半导体膜的制造方法，所述方法包括：用分散液涂布基板以形成第一层，所述分散液包含半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物：[化学式3]#imgabs0#在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数；B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(2)表示的所述化合物与所述半导体纳米粒子配位，并且将所述第一层中的所述化合物的有机阳离子B2+离子交换为碱金属离子。
半导体制造方法

[发明专利]半导体膜及其制造方法、光电转换元件、固态成像元件和电子装置-CN201780040600.2有效
发明人： 泷泽修一;塩见治典 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够实现光电转换效率进一步提高的半导体膜。所述半导体膜包含半导体纳米粒子和由通式(1)表示的化合物，其中由所述通式(1)表示的化合物与所述半导体纳米粒子配位。(在所述通式(1)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)；A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)；n是1～3的整数；并且B1表示Li、Na或K。)
半导体及其制造方法光电转换元件固态成像电子装置

[发明专利]电子部件及其制造方法、和安装基板的制造方法-CN202210268136.5在审
发明人：吉野纯;泷泽修一;冲野友贵;原田大梦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，提供一种表面安装型的电子部件，不用改变焊盘图案的布局，就能够减少残留于焊料的空隙。本发明的电子部件(1)具备：具有端子形成区域(A)的安装面(11)；和在端子形成区域(A)阵列状地排列的多个端子电极(12)。端子形成区域(A)的中心点(C2)相对于安装面(11)的中心点(C1)偏移。由此，在安装至安装基板(20)时，在向焊盘图案供给焊膏后，如果以搭载区域(1a)的中心点(C0)与安装面(11)的中心点(C1)一致的方式安装，则在焊盘图案(22)与端子电极(12)的平面位置产生规定的错位。因此，不用改变焊盘图案(22)的布局，就能够将焊料内部的空气释放至外部。
电子部件及其制造方法安装

[发明专利]半导体膜、光学传感器、固体摄像器件和太阳能电池-CN201980009375.5在审
发明人： 泷泽修一;塩见治典;保原大介;坂本雅典;寺西利治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-02-05 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本技术的目的是提供一种能够进一步提高光电转换效率的半导体膜。提供了一种包含半导体纳米粒子和硫的半导体膜，所述半导体纳米粒子具有核壳结构，核部包含由以下通式(1)表示的化合物，壳部包含ZnS，并且所述硫与所述半导体纳米粒子配位。[化学式1]Cuy1Inz1A1(y1+3z1)/2(1)(在所述通式(1)中，y1满足0y1≤20的关系，z1满足0＜z1≤20的关系，并且A1表示S、Se或Te)。
半导体光学传感器固体摄像器件太阳能电池

[发明专利]负极活性材料、电池、电池组、电子设备和电动车辆-CN201510080171.4有效
发明人：伊藤大辅;泷泽修一;羽生和隆 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及负极活性材料、电池、电池组、电子设备和电动车辆。提供了一种负极活性材料，其包括：包含硅的芯颗粒；以及从由以下项所组成的组中选择的至少一种金属元素：Ge、Sn、Ni、Mo、W、Ag、Pd、Cu、Bi、Fe、Co、Mn、Cr、V、Ga、B、Sb、In、Te、Cd、Rh、Ru、Nb、Ta、Re、Os、Ir、Pt、Pb和P。负极活性材料具有从芯颗粒的中心到芯颗粒的表面连续改变的元素组分。还提供了分别包括负极活性材料的负极、电池、电动车辆、电力存储设备、电子设备以及电力存储系统。
负极活性材料电池电池组电子设备电动车辆

[发明专利]新的微生物及使用该新的微生物制造十二氢-3a,6,6,9a-四甲基萘并[2,1-b]呋喃中间体的方法-CN200680054034.2有效
发明人：五十岚一晓;泷泽修一;桧垣纪彦;萩原浩 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C12N1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的微生物，该微生物使用香紫苏醇作为底物有效产生十二氢-3a，6，6，9a-四甲基萘并[2，1-b]呋喃中间体。作为集中研究的结果，分离并鉴别出多种具有所关注特性并且没有被分类为常规微生物的新的微生物。本发明的新的微生物属于子囊菌纲，并且具有使用香紫苏醇作为底物产生十二氢-3a，6，6，9a-四甲基萘并[2，1-b]呋喃中间体的能力。这些子囊菌纲的微生物代表了新的发现，其可以有效产生十二氢-3a，6，6，9a-四甲基萘并[2，1-b]呋喃及其中间体。
微生物使用制造十二甲基呋喃中间体方法

[发明专利]混合物、阳离子导体及采用这些材料的电化学装置-CN200580011472.6无效
发明人：福岛和明;开本拓郎;泷泽修一;西本淳;野田和宏 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-02-02 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合物和一种阳离子导体，即使在不高于水的沸点的温度范围之内，它们也能够传导阳离子而无需加湿。本发明还公开了使用该混合物或阳离子导体的电化学装置，如燃料电池。该电化学装置包括燃料电极(12)和氧电极(13)，彼此通过电解质膜(11)相对设置。该电解质膜(11)包含第一化合物和第二化合物，其中第一化合物由含有带未共享电子对的N的咪唑衍生物组成，第二化合物由选自具有上式所表示结构的化合物中的至少一种化合物组成。
混合物阳离子导体采用这些材料电化学装置

[发明专利]磷酸化酶的制造方法-CN200480015729.0有效
发明人：五十岚一晓;泷泽修一;桧垣纪彦;人见润 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C12N9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种以高纯度，且简便地从磷酸化酶生产菌制造磷酸化酶的方法。即，本发明的磷酸化酶制造方法是在磷酸类或其盐浓度为50mM以上的培养基中培养磷酸化酶生产菌，提取培养基中生成的磷酸化酶的制造方法。
磷酸化酶制造方法

1
共 11 条