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[发明专利]一种二维钙钛矿材料及其制备方法与紫外探测应用-CN202310638631.5在审
发明人：王鸣魁;刘志荣;申燕;刘宇萍;于海譞;张治国 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明属于光电转换材料与光电子器件领域，公开了一种二维钙钛矿材料及其制备方法与紫外探测应用，其中材料的制备方法包括以下步骤：S1：配置得到A2BCl4钙钛矿前驱体溶液，并向其中加入乙二醇和/或丙二醇作为溶剂添加剂；S2：通过一步旋涂反溶剂萃取法在基底上沉积，退火即可得到位于基底上的二维钙钛矿材料。本发明通过对制备方法的流程工艺设计、反应参与物进行改进，制备得到二维钙钛矿材料除了是纯相二维钙钛矿材料外，还具有取向生长的特点，其无机层所在平面(对应无机层生长方向)、有机层所在平面(对应有机层生长方向)均垂直于基底表面；相应构建得到的紫外探测器具有响应速度快、分辨率高、噪声小、稳定性好等良好的综合性能。
一种二维钙钛矿材料及其制备方法紫外探测应用

[发明专利]一种BCP氯苯反溶剂制备钙钛矿太阳能电池的方法-CN202210292519.6在审
发明人：张偲菡;姚鑫;刘祖刚;赵虹;张铭淇;果馨;帅菊 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳能电池领域。公开了一种以溶解了BCP(BromocresolPurple，二溴邻甲酚磺)的氯苯(CB)溶液作为反溶剂制备钙钛矿吸收层的钙钛矿太阳能电池的方法。该结构包括透明导电玻璃(FTO或ITO)、空穴传输层(HTL)、钙钛矿活性层(PVSK)、电子传输层(ETL)和金属电极，所述钙钛矿活性层位于ETL与HTL之间。反溶剂方法是生产钙钛矿吸收层的常用方法，而在反溶剂CB中引入BCP，改善了钙钛矿成膜特性，优化了界面接触。此外，BCP分子中带有孤对电子的N原子能够有效地钝化钙钛矿薄膜的卤素空位缺陷，降低载流子在界面的复合几率，促进电荷在界面处的分离和传输。该结构制备方法简单，易于实施。
一种 bcp 氯苯溶剂制备钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]反溶剂气刀装置、利用该装置制备钙钛矿活性层的方法及包含该钙钛矿活性层的太阳能电池-CN202310965531.3在审
发明人：阳军亮;高远基;龙操玉;常建辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种反溶剂气刀装置、利用该装置制备钙钛矿活性层的方法及包含该钙钛矿活性层的太阳能电池，反溶剂气刀装置包括洗气瓶、流量计、硬气管、惰性气体和气刀；洗气瓶盛有反溶剂，硬气管包括第一硬气管和第二硬气管，第二硬气管通过气管三通并联在第一硬气管上；惰性气体分两路，一路通过第一硬气管经由第二硬气管进入洗气瓶中的反溶剂内，反溶剂气体在惰性气体的作用下，依次经由洗气瓶的出气口、第二硬气管、第一硬气管到达气刀，另一路通过所述第一硬气管达到气刀。本发明通过用反溶剂气体产生装置产生的反溶剂气刀处理钙钛矿前驱体表面，可以加速钙钛矿结晶，从而获得大面积高质量的钙钛矿薄膜，提高太阳电池组件的能量转换效率。
溶剂装置利用制备钙钛矿活性方法包含太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿薄膜制备方法及叠层太阳能电池-CN202311099841.8在审
发明人：请求不公布姓名;易海芒;请求不公布姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明提供的钙钛矿薄膜制备方法，通过在钙钛矿前驱体溶液中添加了一定比例的低沸点溶剂，并采取了热蘸涂再退火的制膜方法。该方法能在烘干厚湿膜的过程中，达到均匀挥发溶剂的效果。相比于传统方法，该方法能够有效减少绒面基底上残留的有机溶剂和添加剂，防止膜内缺陷的形成，提升钙钛矿薄膜的质量，提高器件性能。通过该方法制备的叠层太阳能电池中的膜内缺陷密度明显减少，拥有更高的开路电压以及短路电流密度，提升了器件的稳定以及光电转化效率。
一种钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]半导体膜的制造方法-CN202310653554.0在审
发明人：泷泽修一;塩见治典 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：一种半导体膜的制造方法，所述方法包括：用分散液涂布基板以形成第一层，所述分散液包含半导体纳米粒子和由以下通式(2)表示的化合物：[化学式3]#imgabs0#在所述通式(2)中，X表示‑SH、‑COOH、‑NH2、‑PO(OH)2或‑SO2(OH)，A1表示‑S、‑COO、‑PO(OH)O或‑SO2(O)，并且n是1～3的整数；B2表示咪唑鎓化合物、吡啶鎓化合物、磷化合物、铵化合物或锍化合物，其中由所述通式(2)表示的所述化合物与所述半导体纳米粒子配位，并且将所述第一层中的所述化合物的有机阳离子B2+离子交换为碱金属离子。
半导体制造方法

[发明专利]钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿层的制备方法和光伏器件-CN202310648283.X在审
发明人：段晨晖;陈谦;朱俊;张学玲;冯志强;高纪凡 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿层的制备方法和光伏器件，钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿前驱体和N‑烷基‑N‑甲基哌啶盐类离子液体。本申请通过在钙钛矿前驱体溶液里面添加N‑烷基‑N‑甲基哌啶盐类离子液体，参与到钙钛矿材料的晶格内，有效阻止晶格发生畸变。
钙钛矿前驱溶液矿层制备方法器件

[发明专利]一种结晶和光学优化的钙钛矿太阳电池制备方法及其应用-CN202310549367.8在审
发明人：薛启帆;黄飞;籍天白;傅年庆;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种结晶和光学优化的钙钛矿太阳电池的制备及其应用，包括以下步骤：S1.在含阴极层的基底上施加电子传输层，并进行首次退火，形成中间元件1；S2.对所述中间元件1施加一定体积配比的溶剂的钙钛矿吸光层，并进行二次退火；形成中间元件2；S3.对所述中间元件2施加空穴传输层，并真空蒸镀阳极中间层和阳极，得到产物。本发明采用特定的钙钛矿溶剂配比(DMSO:DMF＝5:1‑3:1)，有效控制晶粒尺寸，提高透光率，还能通过有机溶剂辅助退火技术，促使晶界减少、晶粒重结晶，提高光电转换效率，并结合光子晶体层，有效控制太阳电池发热，降低能量传输损耗。
一种结晶光学优化钙钛矿太阳电池制备方法及其应用

[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN202310787823.2在审
发明人：蒋晓庆;杨广越;董凯文;朱丽娜;刘仕伟;张凤山;于世涛 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿薄膜技术领域，公开了钙钛矿薄膜的制备方法及其应用，将含羰基和三苯胺基基团的添加剂加入到钙钛矿前驱体溶液中搅拌加热得到修饰后的钙钛矿前驱体溶液；采用溶液旋涂法，将修饰后的钙钛矿前驱体溶液旋涂在FTO导电玻璃上得到FA0.90MA0.03Cs0.07Pb(I0.92Br0.08)3钙钛矿薄膜，其中，FA为甲脒离子，MA为甲铵离子；所述添加剂为三苯胺基苯甲酸；所述添加剂在所述钙钛矿前驱体溶液中的浓度为0.01‑5mg/ml，搅拌加热温度为20‑60℃，时间为1‑48h。本发明提供的添加剂的羰基和三苯胺基团基团可协同增强添加剂的钝化效果，提高钙钛矿矿薄膜的质量和稳定性。
一种钙钛矿薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种抑制钙钛矿太阳电池铅泄露和降低对生物毒性的封装结构及其封装方法-CN202310515583.0在审
发明人：吴武强;杨梅芳;田甜;方玉璇 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳电池材料技术领域，尤其涉及一种抑制钙钛矿太阳电池铅泄露和降低对生物毒性的封装结构及其封装方法。本发明的钙钛矿太阳电池的保护方法为先将CD和BTCA加入钙钛矿前驱体溶液中，得到具有内置自交联CD‑BTCA超分子网络的钙钛矿薄膜，再将该钙钛矿薄膜制备为完整钙钛矿器件，最后使用柔性PS@CD‑BTCA纺丝薄片对钙钛矿器件进行封装。本发明的内置自交联CD‑BTCA超分子网络能够在提高器件性能的同时有效抑制各种铅基钙钛矿太阳电池中的铅泄漏。此外，CD‑BTCA配合物与卤化铅钙钛矿的螯合可以降低铅对生物体的毒性，使铅基钙钛矿薄膜和太阳电池对生物更加环保和安全。
一种抑制钙钛矿太阳电池泄露降低生物毒性封装结构及其方法

[发明专利]一种基于绿色溶剂用于溶液法制备钙钛矿薄膜的方法-CN202210460724.9在审
发明人：赵一新;王天富;缪炎峰;任孟 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于绿色溶剂用于溶液法制备钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳能电池领域。所述溶剂为γ‑戊内酯溶剂，所述制备方法包括如下步骤：将钙钛矿材料溶于γ‑戊内酯溶剂，得到前驱体溶液A；通过涂布工艺将前驱体溶液A成膜，获得钙钛矿前驱体薄膜；将钙钛矿前驱体薄膜使用反溶剂处理，得到准钙钛矿薄膜；将准钙钛矿薄膜通过退火工艺，得到钙钛矿薄膜。本发明通过该溶剂可以制备出高质量的钙钛矿薄膜，且溶剂低毒性，对环境影响小，适于工业化大规模化生产。
一种基于绿色溶剂用于溶液法制备钙钛矿薄膜方法

[发明专利]一种用于溶液法制备钙钛矿光电池器件的绿色混合溶剂-CN202210461206.9在审
发明人：赵一新;王天富;缪炎峰;任孟 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于溶液法制备钙钛矿光电池器件的绿色混合溶剂，所述混合溶剂包括如下特征：混合溶剂低毒性；混合溶剂能溶解钙钛矿材料获得前驱体溶液；前驱体溶液适合大规模制备钙钛矿薄膜。本发明通过该溶剂可以制备出高质量的钙钛矿薄膜及光电器件，且溶剂体系毒性低，对环境影响小，适于工业化大规模化生产。
一种用于溶液法制备钙钛矿光电池器件绿色混合溶剂

[发明专利]钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管-CN202310566330.6在审
发明人：高贇;戴兴良;叶志镇;何海平 -专利权人：浙江大学;温州锌芯钛晶科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿量子点薄膜及其制备方法，以及具有该钙钛矿量子点薄膜的发光二极管。钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括溶液法薄膜原位后处理步骤：在钙钛矿量子点溶液旋涂过程中快速滴加含有类卤素钝化剂的溶剂，提高所得钙钛矿量子点薄膜的荧光量子产率(PLQY)。发光二极管包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点薄膜、电子传输层、电极层。本发明通过溶液法对钙钛矿量子点薄膜进行后处理，提升了钙钛矿量子点发光层的荧光量子产率，从而提升相应的发光二极管器件外量子效率。
钙钛矿量子薄膜及其制备方法发光二极管

[发明专利]一种钙钛矿材料及其制备方法和应用-CN202310482605.8在审
发明人：肖练钢;任国兴;林玮栋;罗振宇;闵永刚 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿材料及其制备方法和应用，具体涉及光电功能材料与器件领域。本发明所提供的钙钛矿材料的制备方法，将氯化甲脒和氯化铅作为共同添加剂，添加到钙钛矿的体系中，两种添加剂通过形成中间相FAPbCl3，延缓了钙钛矿材料的结晶速度，进而能够使钙钛矿晶体能够充分生长，提高了钙钛矿薄膜的结晶度和晶体取向的专一性，进而提高了钙钛矿薄膜中晶体的平均粒径D50，同时降低了钙钛矿薄膜的粗糙度。因此，采用本发明所制备得到的钙钛矿材料组成的钙钛矿太阳能电池，光电转换效率有所提高。
一种钙钛矿材料及其制备方法应用

[发明专利]一种用于制备钙钛矿薄膜组合物、钙钛矿薄膜及制备方法、太阳能电池-CN202310543165.2在审
发明人：吴炳辉;黄晓锋;郑南峰 -专利权人：嘉庚创新实验室
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备钙钛矿薄膜组合物、钙钛矿薄膜及制备方法、太阳能电池，该组合物包含键合分子钙钛矿材料和混合溶剂，混合溶剂包含醚类溶剂和腈类溶剂；键合分子钙钛矿材料包含ABX3和键合分子，其中，A为一价阳离子，B为二价无机阳离子，X为卤素阴离子；键合分子为具有氧代基团的化合物，且键合分子的DN*值小于或等于β值。本发明使键合分子钙钛矿材料分散于含有醚类溶剂和腈类溶剂的混合溶剂中，从而在制备钙钛矿薄膜的过程中能够诱导快速结晶，进而制备得到上下表面均连续致密的钙钛矿薄膜。
一种用于制备钙钛矿薄膜组合方法太阳能电池

[发明专利]使用烷基胺制造A/M/X材料的方法-CN201780016140.X有效
发明人：亨利·詹姆斯·施耐德;帕比塔·纳亚克;伯纳德·威戈;纳基塔·诺埃尔;塞维林·哈比斯如汀格尔;戴维·莫尔 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备结晶A/M/X材料层的方法，其中所述方法包括在衬底上设置前体组合物，所述前体组合物包括：(a)包括第一阳离子(M)的第一前体化合物，其中所述第一阳离子是金属或准金属阳离子；和(b)溶剂，其中所述溶剂包括：(i)乙腈、丙腈、丙酮或它们的混合物；和(ii)烷基胺。本发明还涉及一种组合物，所述组合物包括：(i)式MXn的化合物，(ii)式AX的化合物，(iii)乙腈、丙腈、丙酮或它们的混合物；和(iv)式RANH2所示的烷基胺，其中RA是C1‑8烷基。
使用烷基制造材料方法

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