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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110504613.9有效
发明人：张旭凯;黄治融;董彦佃;朱家宏;梁顺鑫;沈泽民;林斌彦;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201711344639.1有效
发明人： 沈泽民;吴志强;吴忠政;蔡庆威;程冠伦;王志豪;曹敏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的100晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的110晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件中的栅极结构及其形成方法-CN202210344564.1在审
发明人：李欣怡;张文;张翔笔;赵皇麟;程仲良;徐志安;李昆育;沈泽民;董彦佃;吴俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分；去除所述含氟层的第二部分；执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；和在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层。
半导体器件中的栅极结构及其形成方法

[发明专利]基于光学频率梳的可调谐超窄线宽激光器系统-CN202210617838.X在审
发明人： 沈泽民;王健;李传锋;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01S5/0687 文献下载
摘要：一种基于光学频率梳的可调谐超窄线宽激光器系统，包括：可调谐激光器，用于发出激光；分光装置，将激光分成透射光和反射光；移频装置，调节透射光的频率，得到实验光；调节装置，对来自光学频率梳的频梳光的功率和反射光的功率进行调节，使调节后的频梳光和调节后的反射光发生拍频，得到目标拍频电信号；信号处理装置，对目标拍频电信号进行功率放大，得到第一参考信号，根据第一参考信号得到目标拍频电信号的频率；微波信号源，用于发出频率可调的微波信号；伺服装置，根据微波信号的频率，反馈控制可调谐激光器，使目标拍频电信号的频率锁定在微波信号的频率上，进而控制实验光的频率；信号控制装置，对微波信号源、伺服装置和移频装置进行控制。
基于光学频率调谐超窄线宽激光器系统

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210005216.1在审
发明人：董彦佃;黄思维;萧智仁;庄媖涓;黄咏骞;刘冠廷;沈泽民;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使得与前述高介电常数栅极介电层相接的前述功函数金属层的第一部分可掺杂有来自前述硅化物层的硅元素；去除前述硅化物层；以及在前述功函数金属层的上方形成一块体金属层。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置与半导体结构的形成方法、以及半导体装置-CN201910695378.0有效
发明人：江国诚;程冠伦;王志豪;徐继兴;沈泽民;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体装置与半导体结构的形成方法以及半导体装置，包含具有从基底延伸的第一鳍片及第二鳍片的基底的场效晶体管的形成方法与装置。将高介电常数栅极介电层及铁电绝缘体层沉积于第一鳍片及第二鳍片之上。在一些实施例中，将虚设栅极层沉积在位于第一鳍片及第二鳍片之上的铁电绝缘体层之上，以形成第一栅极堆叠于第一鳍片之上并形成第二栅极堆叠于第二鳍片之上。接着移除第一栅极堆叠的虚设栅极层(维持此铁电绝缘体层)以形成第一沟槽。并且移除第二栅极堆叠的虚设栅极层以及此铁电绝缘体层以形成第二沟槽。形成至少一金属栅极层于此第一沟槽及此第二沟槽中。
半导体装置结构形成方法以及

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011392694.X在审
发明人：林含谕;李芳苇;林启德;布力汗;沈泽民;林立德;林斌彦;杨承慈;李慈莉;林执中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110901625.5在审
发明人：马哈维;卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯;沈泽民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方沉积二维(2D)材料层；形成电连接至半导体结构与二维材料层的源极部件与漏极部件，其中源极部件与漏极部件包括半导体材料；以及在二维材料层上方形成栅极结构，并且栅极结构介于源极部件与漏极部件之间。栅极结构、源极部件、漏极部件、半导体结构和二维材料层配置为形成场效应晶体管。半导体结构和二维材料层分别用作源极部件和漏极部件之间的第一沟道和第二沟道。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110335578.2在审
发明人：林含谕;黄治融;董彦佃;沈泽民;颜甫庭;詹贵麟;林耕竹;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110806301.3在审
发明人：王菘豊;张旭凯;黄治融;董彦佃;朱家宏;沈泽民;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储器电路和写入存储器单元的方法-CN202110594595.8在审
发明人：魏焕昇;沈泽民;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了存储器电路和将数据写入存储器单元的方法。存储器电路包括具有多个存储器单元的存储阵列，每个存储器单元包括具有铁电层的栅极结构和与该栅极结构相邻的沟道层，沟道层包括金属氧化物材料。驱动器电路被配置为向存储器单元的栅极结构输出栅极电压，栅极电压在第一写入操作中具有正极性和第一幅度，在第二写入操作中具有负极性和第二幅度，并将第二幅度控制为大于第一幅度。
存储器电路写入单元方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110172261.1在审
发明人：卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯;马哈维;林耕竹;沈泽民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：沟道构件，包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层；以及栅极结构，在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体，并且第二沟道层包括二维材料。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]一种全自动手扳葫芦专用紧线台-CN202020949489.8有效
发明人：梅月媛;陈元璋;沈泽民;林韬;白冰峰;赵强;李燕青;王泽龙 -专利权人：国网福建省电力有限公司;福建省送变电工程有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01M13/023 文献下载
摘要：本实用新型提供手扳葫芦专用紧线台，包含固定于地面的机架及固定于机架上的电机及位于电机下方对应放置的待检测手扳葫芦，所述手扳葫芦的手柄转动轴与电机输出轴同轴设置，所述电机的输出轴上同轴固定有曲轴，手扳葫芦的手柄上固定有套筒，六角螺栓端穿过曲柄并与套筒内腔螺纹连接，本实用新型设计一种全自动手扳葫芦专用紧线台，可实现手扳葫芦链条的机动收紧，取代人工操作，大大降低试验过程的安全风险，同时又能提高手扳葫芦的试验效率。
一种全自动葫芦专用紧线台

[实用新型]双钩紧线器检验保养试验装置-CN202020875508.7有效
发明人： 沈泽民;白冰峰;陈元璋;林韬;梅月媛;赵强;陈丽敏;梁君宇 -专利权人：国网福建省电力有限公司;福建省送变电工程有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双钩紧线器检验保养试验装置，包括机架、固定装置、丝杠旋动装置，机架上表面安装有平台，固定装置固定安装在平台上，平台上于丝杠旋动装置左右两侧对称安装有两个丝杠旋动装置，固定装置左右两侧均依次安装有钢丝刷、喷油嘴，平台上与固定装置左右两侧沿横向安装有轨道槽；丝杠旋动装置包括由内至外依次设置的移动座、横置的液压油缸，移动座外端安装有外连接块，外连接块经拉力传感器与液压油缸的活塞杆相连接，移动座下端安装有滚轮，滚轮位于轨道槽内，移动座上安装有依次连接的电机、减速器，减速器的输出轴安装内连接块，本装置实现了双钩紧线器检验保养试验一体化作业，提高了双钩紧线器检验保养试验工作的效率及质量。
双钩紧线器检验保养试验装置

[发明专利]一种手扳葫芦并联型自动试验装置-CN202010476454.1在审
发明人：陈元璋;梅月媛;沈泽民;陈良芳;白冰峰;谢晓辉;赵强 -专利权人：国网福建省电力有限公司;福建省送变电工程有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01M13/027 文献下载
摘要：本发明提供一种手扳葫芦并联型自动试验装置，包括多个手扳葫芦，各个手扳葫芦的上端上吊钩通过钢丝绳连接于地锚，所述手扳葫芦的链条端的吊钩绕过与地面铰接的滑轮与配重连接，所述手扳葫芦的手柄由驱动装置驱动往复运动，本发明实施例中手扳葫芦的手柄插入延伸管内，通过电机、减速器、移动小车、旋转套筒的依次传动带动手柄往复回转运动，实现链条机动张紧，工人远离试验区域，远程控制，试验过程更加安全可控。
一种葫芦并联自动试验装置

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