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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310662727.5在审
发明人： 詹贵麟;颜甫庭;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，包括一种后沉积处理可以施加在原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)沉积的膜层上，以封闭位于表面处的一或多个缝隙。缝顶处理可以物理性合并缝隙的两侧，使表面表现为一种连续的材料，以容许在膜层的表面上以实质上一致的速率进行蚀刻。缝顶处理可用于合并半导体结构中原子层沉积(ALD)沉积膜层的缝隙，如栅极全绕式场效晶体管(gate‑all‑around field effect transistor,GAAFET)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110335578.2在审
发明人：林含谕;黄治融;董彦佃;沈泽民;颜甫庭;詹贵麟;林耕竹;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。
半导体装置形成方法