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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及其制造方法-CN202110822237.8有效
发明人：杨国江;于世珩;张胜凯;白宗伟 -专利权人：江苏长晶科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构，包括：半导体衬底；外延半导体层，形成在所述半导体衬底之上；阱区，形成在所述外延半导体层之上；源区，形成在所述阱区内部；第一沟槽和第二沟槽，形成在所述外延半导体层、所述源区和所述阱区的内部；以及第二源极导电通道，形成在所述源区和所述阱区的内部，以及形成在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；其中所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的最短距离定义了所述第二源极导电通道的最大宽度。本发明的MOSFET结构可以实现刻蚀的自对准，解决了在两个晶胞之间的间距太小的时候，现有的光刻机台不能满足所需的分辨率的技术问题；并且简化了MOSFET的制造工艺进而节省了制造时间和成本。
一种屏蔽沟槽 mosfet 结构及其制造方法

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