专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]固晶机料盒传输装置-CN202321016121.6有效
  • 王福龙;范永胜;段花山;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-10-13 - H01L21/677
  • 本实用新型涉及一种固晶机料盒传输装置,属于半导体固晶设备领域,包括由底板、侧板围合而成的料盒仓,底板上设置有用于沿x轴方向传输料盒的传输机构,所述料盒仓的输出侧设置有料盒托架,料盒托架连接有驱动其沿z向运动的提升机构,料盒托架的竖向截面呈L型,料盒托架包括竖向的背板及固定连接在背板底端的水平状的多个托板,多个托板沿y轴方向间隔布置,所述托板靠近料盒仓的一端连接有竖向的挡杆,所述挡杆的顶端与托板固定相连;所述底板表面设置有供托板和挡杆沿z向运动的豁口,底板下方具有供挡杆下行的空间;本实用新型能够有限避免支撑机构与料盒发生碰撞、同时又不影响料盒正常出仓。
  • 固晶机料盒传输装置
  • [实用新型]一种带压线端子的整流桥-CN202320790960.7有效
  • 段花山;孟岗;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2023-04-11 - 2023-07-21 - H01L23/10
  • 本实用新型涉及一种带压线端子的整流桥,属于整流桥封装领域,包括整流桥塑封体本体,其特征在于,还包括连接在整流桥塑封体本体外部的多个压线端子,所述压线端子包括端子主体和连接在端子主体两侧的延展部,所述延展部相对于端子主体向上翻折并与端子主体之间形成用于与外接件相连接的接线空间,用于在外力作用下与外接件压合;本实用新型将压线端子与整流桥自身引脚集成为一体,一方面在生产组装电源器件时节省了额外压线端子的使用,另一方面也能够提高压线效率,从而降低生产成本。
  • 一种带压线端子整流
  • [实用新型]一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体-CN202222311325.4有效
  • 段花山;代勇敏;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2022-09-01 - 2022-12-30 - H01L23/13
  • 本实用新型涉及一种整流桥合封MOS用框架结构及基于其的封装体,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包括若干框架单元,每个框架单元包括七条依次平行排布的横筋;其中,第一横筋、第二横筋、第四横筋分别向同一侧延伸设有相互独立的第一基岛、第二基岛、第三基岛,第六横筋向外延伸设有第四基岛,若干框架单元之间通过引脚连筋将各横筋连接为一体;封装体包括MOS芯片、四颗二极管芯片及所述第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛,四颗二极管芯片通过相应关系连接组成整流桥,MOD芯片设置在第四基岛上;本实用新型节省了在PCB板上的占用空间,提高了客户使用过程中的装配效率,合封后解决了用户PCB高低压布线复杂的问题。
  • 一种整流桥合封mos框架结构基于封装
  • [实用新型]一种POE供电模块-CN202221298106.0有效
  • 段花山;代勇敏;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2022-05-27 - 2022-10-18 - H05K1/16
  • 本实用新型涉及一种POE供电模块,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包括电容、过压保护及至少一组整流桥,整流桥的交流输入连接至VIN端,正极输出连接至VOUT1端,负极输出连接至VOUT4端;第一电容一端与整流桥的负极输出相连,另一端与VOUT2端相连;第二电容一端与VOUT2端相连,另一端与GND端相连;第三电容一端与VOUT4端相连,另一端与GND端相连;第一过压保护一端与GND端相连,另一端分别与第二过压保护、第三过压保护的一端相连,第二过压保护的另一端与VOUT2端相连,第三过压保护的另一端与VOUT4端相连;本实用新型能够实现POE供电的集成化,极大缩小了在PCB板上的占用面积。
  • 一种poe供电模块
  • [发明专利]一种POE供电模块-CN202210589662.1在审
  • 段花山;代勇敏;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2022-05-27 - 2022-08-30 - H05K1/16
  • 本发明涉及一种POE供电模块,属于电子元器件封装领域,其特征在于,包括电容、过压保护及至少一组整流桥,整流桥的交流输入连接至VIN端,整流桥的正极输出连接至VOUT1端,负极输出连接至VOUT4端;第一电容一端与整流桥的负极输出相连,另一端与VOUT2端相连;第二电容一端与VOUT2端相连,另一端与GND端相连;第三电容一端与VOUT4端相连,另一端与GND端相连;第一过压保护一端与GND端相连,另一端分别与第二过压保护、第三过压保护的一端相连,第二过压保护的另一端与VOUT2端相连,第三过压保护的另一端与VOUT4端相连;本发明能够实现POE供电的集成化,极大缩小了在PCB板上的占用面积。
  • 一种poe供电模块
  • [实用新型]一种半导体框架结构-CN202220330979.9有效
  • 代勇敏;段花山;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-08-02 - H01L23/495
  • 本申请公开一种半导体框架结构,包括封装本体、基岛、芯片和若干个引脚PAD,其中所述基岛和所述芯片被封装于所述封装本体内,其中若干个所述引脚PAD被部分封装于所述封装本体内,并具有凸出所述封装本体的引脚,所述芯片被设置于所述基岛的顶部,所述基岛于所述封装本体的底部向下凸出预定的高度,其中所述预定的高度为0~0.15mm;本申请提供的半导体框架结构能够通过基岛向连接半导体框架结构的PCB覆铜板直接传递热量,在同等体积结构上散热效果更好。
  • 一种半导体框架结构
  • [实用新型]一种半导体TO系列框架结构-CN202122817200.4有效
  • 段花山;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2021-11-17 - 2022-05-06 - H01L23/495
  • 本实用新型涉及一种半导体TO系列框架结构,属于半导体封装框架领域,其包括阵列布置的若干框架单元,其特征在于,所述框架单元包括PAD区及位于PAD外侧的引脚区,所述PAD区包括基岛以及分布在基岛外侧的引脚PAD,其中引脚PAD与基岛未连接;所述引脚区包括并列排布的X个引脚,X个引脚分别通过上横筋、下横筋和竖筋连接在一起,其中一个引脚与所述基岛相连接,而其余引脚分别与相应引脚PAD相连接;所述上横筋向PAD区方向延伸分别设置有Y个假脚;本实用新型能够实现同系列不同型号产品共用同型号注塑模具,降低了框架和模具开发成本。
  • 一种半导体to系列框架结构
  • [实用新型]一种贴片压敏电阻焊接治具-CN202122817217.X有效
  • 段花山;吕志昆;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2021-11-17 - 2022-05-06 - B23K11/36
  • 本实用新型涉及一种贴片压敏电阻焊接治具,属于电子产品封装焊接领域,包括载板,采用铝材质,其表面设有用于放置框架和芯片的工作位;盖板,对应设置在载板上方,其表面设有与工作位一一对应的通孔;压钉,活动设置于所述通孔中,压钉上端设置有限位块,当盖板水平静置时压钉的下端面下凸于盖板下表面,用于压制在工作位上的目标产品上使框架和芯片结合;本实用新型利用压钉自重压合在产品表面,避免了因传统治具的强力压合及热膨胀导致的焊接偏位、引脚压伤和开焊现象。
  • 一种压敏电阻焊接
  • [实用新型]用于半导体器件的生产线-CN202120359953.2有效
  • 段花山;李乃才;贺先忠;孔凡伟 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2021-02-09 - 2021-11-05 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及一种用于半导体器件的生产线,其用于对料片和芯片进行组焊,所述生产线可以包括:上锡装置,其用于对料片的焊接面进行上焊料;固晶装置,其用于将芯片放置到料片的焊接面上,以使料片的焊接面通过熔融的焊料与芯片相连接;点锡装置,其用于将焊料点在所述芯片的芯片焊点处以及料片的引脚焊点处,以用于焊接跳片,所述跳片用于将料片和芯片电连接;以及跳片装置,其用于将跳片的第一端放置于所述芯片焊点处并且将跳片的第二端放置于所述料片的引脚焊点处,以将芯片焊点和引脚焊点连接。本实用新型的生产线可以改善传统的组焊过程中料片容易被损坏、生产效率较低以及生产成本较高的问题。
  • 用于半导体器件生产线
  • [实用新型]一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块-CN202021358180.8有效
  • 陆新城;段花山;贺先忠 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2020-07-13 - 2020-12-22 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块,属于半导体电子器件领域,其特征在于,包括焊盘、TVS管芯片以及至少两个高压整流二极管芯片组,高压整流二极管芯片组和TVS管芯片集成于具有多个引脚的塑封体内,TVS管芯片设置在高压整流二极管芯片组的输出端,高压整流二极管芯片组通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接,TVS管芯片通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接;高压整流二极管芯片组包括一N型衬底高压整流二极管芯片和一P型衬底高压整流二极管芯片,同一高压整流二极管芯片组内的第一芯片和第二芯片共焊盘;集成封装的同时,又增加对脉冲波的钳位能力,充分保护后级电路。
  • 一种后置tvs保护二极管整流电路模块
  • [实用新型]一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路-CN202021358177.6有效
  • 代勇敏;段花山;贺先忠 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2020-07-13 - 2020-12-18 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及一种倍压整流模块,属于半导体电子器件领域,其特征在于,包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组,每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成,所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片,第二芯片采用N型衬底二极管芯片;所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内,所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接,所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组,其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘;本实用新型集成N型衬底和P型衬底芯片与一体,可以实现从3倍压到N倍压的整流,更进一步实现模块的扁平式封装,产品小型化。
  • 一种整流模块采用电路
  • [发明专利]一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路-CN202010666462.2在审
  • 代勇敏;段花山;贺先忠 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2020-07-13 - 2020-09-25 - H01L25/07
  • 本发明涉及一种倍压整流模块,属于半导体电子器件领域,其特征在于,包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组,每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成,所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片,第二芯片采用N型衬底二极管芯片;所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内,所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接,所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组,其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘;本发明集成N型衬底和P型衬底芯片与一体,可以实现从3倍压到N倍压的整流,更进一步实现模块的扁平式封装,产品小型化。
  • 一种整流模块采用电路
  • [发明专利]一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块-CN202010666467.5在审
  • 陆新城;段花山;贺先忠 - 山东晶导微电子股份有限公司
  • 2020-07-13 - 2020-09-25 - H01L25/07
  • 本发明涉及一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块,属于半导体电子器件领域,其特征在于,包括焊盘、TVS管芯片以及至少两个高压整流二极管芯片组,高压整流二极管芯片组和TVS管芯片集成于具有多个引脚的塑封体内,TVS管芯片设置在高压整流二极管芯片组的输出端,高压整流二极管芯片组通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接,TVS管芯片通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接;高压整流二极管芯片组包括一N型衬底高压整流二极管芯片和一P型衬底高压整流二极管芯片,同一高压整流二极管芯片组内的第一芯片和第二芯片共焊盘;集成封装的同时,又增加对脉冲波的钳位能力,充分保护后级电路。
  • 一种后置tvs保护二极管整流电路模块

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