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[发明专利]一种TVS过压保护器件-CN202110601328.9有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种TVS过压保护器件，包矩形塑壳，矩形塑壳内部形成安装腔，安装腔内设有芯片组，芯片组的上端以及下端分别焊接有上铜粒以及下铜粒，上铜粒的上表面焊接有连接架，安装腔内设有围绕芯片组与上铜粒以及下铜粒的组合体设置的导热壳，矩形塑壳的侧壁上具有若干通孔，通孔内匹配设有导热柱，导热柱与导热壳连接，矩形塑壳内设有灌封胶，灌封胶将芯片组、上铜粒、下铜粒、连接架、导热壳以及导热柱固定于矩形塑壳内，在塑壳内通过灌封胶固定设有导热壳以及导热柱，导热壳收集TVS芯片散发出的热量，并通过若干导热柱将热量导出塑壳散发到空气中，加快了TVS芯片工作时产生的热量的散发，降低了TVS芯片工作环境的温度，提高了适用寿命。
一种 tvs 保护器件

[发明专利]一种TVS二极管封装结构-CN202110529031.6有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种TVS二极管封装结构，包括塑壳，塑壳内安装有TVS芯片模块、上支架、下支架，以及包裹TVS芯片模块设置的硅胶垫圈与硅胶压垫，塑壳还匹配设有封盖，封盖于塑壳可拆卸连接，盖上封盖后，封盖下压硅胶压垫与硅胶垫圈，将TVS芯片模块、上支架、下支架压紧在塑壳内进行固定，便于拆卸，当二极管损坏之后，只需更换损坏的某一部分结构，节省了资源，降低成本。
一种 tvs 二极管封装结构

[发明专利]一种贴片TVS二极管-CN202110529334.8有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种贴片TVS二极管，塑壳包括可拆卸连接的上壳以及下壳，下壳内安装隔片将塑壳的内部分隔为内腔以及外腔，塑壳的下方向外腔中填充环氧树脂，固化后进行密封，防止液体以及灰尘等从下方进入到内腔中，上壳以及下壳的连接处也设有防水结构，防止液体以及灰尘等通过上壳与下壳连接处的缝隙进入到内腔中，将芯片模块设置于内腔中，能够避免液体渗入造成芯片模块短路以及避免灰尘渗入影响芯片模块的工作效率，在拆卸时，塑壳不会与簧片之间产生摩擦造成磨损，以及影响到簧片的形变。
一种 tvs 二极管

[实用新型]一种开结型贴片TVS二极管-CN202120505324.6有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开结型贴片TVS二极管，属于二极管技术领域，包括二极管本体，所述二极管本体侧面中间位置插接有导体，所述导体作用两侧固定连接有贴片块，所述贴片块远离导体一侧可拆卸连接有密封块所述二极管本体左侧两侧中间位置粘贴有长贴胶片，所述二极管本体上下两侧中间位置粘贴有短贴胶片，所述导体底部固定连接有垫片。本实用新型通过在导体四周粘贴长贴胶片和短贴胶片，便于对导体进行绝缘保护，然后在导体两侧安装有贴胶块以及安装有密封块，便于对导体的两侧进行保护，保证二极管的稳定工作。
一种开结型贴片 tvs 二极管

[实用新型]一种积木组合式贴片TVS二极管-CN202120505806.1有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种积木组合式贴片TVS二极管，包括安装板，所述安装板左右两侧均安装有连接块，所述连接块的顶端安装有上开口槽且上开口槽的内部滑动连接有滑动块，所述滑动块的顶端固定连接有连接杆且连接杆的顶端固定连接有外壳，所述外壳的内部安装有TVS二极管且TVS二极管数量为两个，所述滑动块的右侧端开设有螺丝孔，所述螺丝孔的内侧壁上螺纹连接有螺丝，所述上开口槽的左侧端固定连接有支撑板A且支撑板A的顶端固定连接有滑轨，所述滑轨的右侧端滑动连接有滑块且滑块的右侧端固定连接有顶盖，本实用新型结构简单、设计新颖，方便对TVS二极管进行固定，而且TVS二极管发生损坏时，方便进行维修。
一种积木组合式 tvs 二极管

[实用新型]一种双向TVS器件结构-CN202120505808.0有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向TVS器件结构，属于TVS器件结构领域，所述器件结构主体包括防护罩、盖板和TVS器件组合构成，所述防护罩的内侧壁安装有弹簧，所述弹簧有两组呈对称安装在防护罩的内侧壁，所述弹簧的另一端安装有夹板，所述防护罩的外侧壁与防尘网的外侧壁通过螺钉连接。本实用新型通过防护罩、弹簧、夹板、盖板和螺栓的相互配合，从而能够增加防护性避免撞击损坏，在通过防护罩、散热口、螺钉和防尘网的相互配合从而能够增加器件结构主体透气性避免温度过高影响TVS器件的使用寿命，适合被广泛推广和使用。
一种双向 tvs 器件结构

[实用新型]一种多通路TVS器件-CN202120505812.7有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了涉及一种多通路TVS器件，属于TVS器件技术领域，包括外壳和TVS主体，所述TVS主体外侧可拆卸连接有外壳，所述外壳一侧固定安装有旋转轴，所述外壳内部可拆卸连接有海绵垫，所述海绵垫内侧固定安装有弹簧A，所述弹簧A内侧间隙连接有泡沫垫，所述外壳一侧开设有滑槽，所述滑槽内侧滑动连接有拉钮，所述拉钮下方焊接有弹簧B，所述拉钮上方固定安装有定位杆。本实用新型通过安装的拉钮、滑槽、弹簧B、凸块、凹槽、定位杆和定位槽，当要对TVS主体进行维修时，将外壳从TVS主体外侧拆卸，便于对TVS主体进行维修，具有很好的实用性，建议推广。
一种通路 tvs 器件

[实用新型]一种高可靠性的瞬态电压抑制二极管-CN202120505326.5有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠性的瞬态电压抑制二极管，包括二极管保护外壳、密封堵头A、定位套、柔性防护块、外螺纹和内螺纹，所述二极管保护外壳的一端设置有密封堵头A，所述二极管保护外壳的另一端设置有密封堵头B，所述密封堵头A和密封堵头B的外围均套设有定位套，所述二极管保护外壳的内部设置有引线，所述密封堵头A和密封堵头B的外表面设置有外螺纹。该新型二极管防磕碰性能很好，二极管不易损坏，且本新型二极管密封性好，使得二极管中的特殊气体不会产生泄漏，保证发光效果，实用性强，适合广泛推广使用。
一种可靠性瞬态电压抑制二极管

[实用新型]一种TSS与双向TVS合封贴片二极管-CN202120505327.X有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TSS与双向TVS合封贴片二极管，属于二极管技术领域，包括箱体，所述箱体左侧顶部通过螺钉螺纹连接有铰链，所述箱体顶部转动连接有顶盖，所述箱体内壁中间位置插接有支撑板，所述支撑板顶部上表面中间位置固定连接有TSS二极管，所述TSS二极管左侧电性连接有负极导体，所述TSS二极管右侧电性连接有正极导体，所述正极导体远离TSS二极管一端固定连接有插头，所述插头固定于箱体右侧中间位置，所述支撑板顶部上表面右侧安装有状态指示灯。本实用新型通过在箱体两侧安装插头便于将TSS与双向TVS合封贴片二极管进行并联连接使用，便于进行连接，然后在箱体内部安装有状态指示灯便于对二极管进行监控作用，保证二极管的稳定正常工作。
一种 tss 双向 tvs 合封贴片二极管

[发明专利]一种具有失效分断功能的TVS防护器件-CN202110603921.7在审
发明人：周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种具有失效分断功能的TVS防护器件，包括封装外壳，封装外壳的中心封装有包括双向芯片组，双向芯片组包括位于第一TVS芯片以及第二TVS芯片，第一TVS芯片焊接有第一基岛，第一基岛通过第一熔断接线连接第一引线架，第二TVS芯片焊接有第二基岛，第二基岛通过第二熔断接线连接第二引线架，第一熔断接线连接第一基岛与第一接线架，第二熔断接线连接第二基岛与第二接线架，第一熔断接线与第二熔断接线的最大通过容量略小于TVS芯片的烧毁能量，在通过TVS芯片的能量超出TVS芯片的承受力之前熔断断开电路，保证了本器件既不会出现短路失效模式也不会出现炸裂等危险情况，可靠性高，安全性好。
一种具有失效功能 tvs 防护器件

[实用新型]一种增加芯片面积的引线框架封装结构-CN202020956232.5有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2020-05-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增加芯片面积的引线框架封装结构，属于半导体封装技术领域，所述引线框架封装结构包括塑封体以及内置在所述塑封体中的第一类导电柱和第二类导电柱，在塑封体的表面内陷设置有两个互不接触的第一基板和第二基板，第一基板连接第一类导电柱的一端，第二基板连接第二类导电柱的一端，第一类导电柱另一端连接设有芯片，第二类导电柱的另一端连接设有导电板，芯片的正面与第一类导电柱连接，芯片的背面与导电板连接，导电板通过第二类导电柱与第二基板连接，第二类导电柱倾斜设置在导电板和第二基板之间。本实用新型能在有限的封装体积内，芯片的面积不受基板大小的限制，增加了芯片面积和提高了产品的性能和散热能力。
一种增加芯片面积引线框架封装结构

[实用新型]一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构-CN202021306987.7有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞 -专利权人：上海维攀微电子有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，包括N型衬底，N型衬底下设有第一金属层，N型衬底上设有P型外延，P型外延内扩有两个N型阱，N型阱从P型外延的顶部沿伸至P型外延的底部，并与N型衬底相连，P型外延内扩有P型第一阱区和位于P型第一阱区上面的P型第二阱区，在P型外延上覆盖有氧化层，氧化层上设有第二金属层，第二金属层通过接触孔与P型第二阱区相连。本实用新型通过N型衬底、P型第一阱区和P型第二阱区，实现了整个环路上的二极管布局，增加了瞬态电压抑制器的峰值电流IPP流通能力，当用在电流较小的电路中时，无需额外串联限流元件，使用成本更低。
一种通流低钳位瞬态电压抑制器结构

[发明专利]一种双向对称TVS二极管及其制造方法-CN201910251215.3在审
发明人：周伟伟;欧阳炜霞 -专利权人：焕珏（上海）集成电路有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向对称TVS二极管及其制造方法，利用低压化学气相淀积的方法减少了热过程，实现了横向双向TVS，性能稳定，双向的对称性一致；利用干法加湿法的刻蚀方法，既保证窗口内的硅不被过刻，也保证窗口具有良好的形貌，有利于金属覆盖，提高了器件的可靠性，表面介质层用低压化学气相淀积生产的TEOS二氧化硅代替热氧生产的二氧化硅，大大减少了工艺中的热过程，降低了生产成本，提高了器件的稳定性。本发明TVS的一端通过穿通区连接到芯片背面，节省了芯片的面积。
一种双向对称 tvs 二极管及其制造方法

[实用新型]一种双向对称TVS二极管-CN201920420317.9有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞 -专利权人：焕珏（上海）集成电路有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双向对称TVS二极管，包括：P型衬底；N型外延层，形成于所述P型衬底上；P+掺杂区，形成于所述N型外延层表面；P+隔离区，穿过所述N型外延层，所述P+隔离区的底部与所述P型衬底连接；氧化层，形成于所述N型外延层之上，所述P+隔离区的表面通过所述氧化层与所述P+掺杂区连接；金属孔，形成于所述P+隔离区及所述P+掺杂区之上、所述氧化层之间；钝化层，形成于所述金属层之上；以及背面金属层，形成于所述P型衬底的背面。本实用新型结构设计合理，集成度高，尺寸小，大大节约芯片面积。
隔离区衬底掺杂区氧化层本实用新型双向对称背面金属层钝化层集成度金属层金属孔背面芯片穿过节约

[实用新型]一种双向对称低电容TVS二极管-CN201920420308.X有效
发明人：周伟伟;欧阳炜霞 -专利权人：焕珏（上海）集成电路有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双向对称低电容TVS二极管，当A端有正向浪涌时，电流通路沿着P+注入第一区与外延层构成的PIN二极管,N型埋层第一区与P型掺杂衬底形成TVS二极管和P型掺杂衬底、外延层、N+注入第一区构成PIN二极管这条通路释放；当A端为负向浪涌时，电流沿着P+注入第二区与外延层构成PIN二极管，N型埋层第二区与P型掺杂衬底形成TVS二极管以及P型掺杂衬底、外延层以及N+注入第二区构成PIN二极管这条通路释放。本实用新型双向对称性一致，能有效保护来自两个方向的瞬态电流破坏，等效电路结构还具有小电容特性，适用于高频信号电路，将两个双向的TVS集成在一个电路结构里，有利于减小芯片尺寸。
外延层衬底第一区本实用新型双向对称低电容浪涌等效电路结构高频信号电路双向对称性电流通路电路结构瞬态电流释放双向的小电容负向减小正向芯片

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